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1. 发明公开

EP0462494A1 Verfahren und Vorrichtung zum Giessen von Siliciumblöcken mit Kolumnarstruktur als Grundmaterial für Solarzellen 失效
标题翻译：与柱状结构作为太阳能电池的基底材料的硅锭的铸造方法和装置。
公开(公告)号：EP0462494A1
公开(公告)日：1991-12-27
申请号：EP91109551.1
申请日：1991-06-11
申请人： Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH
发明人： Priewasser, Georg , Huber, Lothar , Spatzier, Gerhard
IPC分类号： C30B11/00 , C30B29/06
CPC分类号： C30B29/06 , C30B11/002 , C30B11/003 , Y02E10/546
摘要： Bei dem angegebenen Verfahren und mit Hilfe der angegebenen Vorrichtung wird aufgeschmolzenes Silicium kontinuierlich oder phasenweise erzeugt und zonenweise in eine Kokille eingefüllt, in der es zonenweise zum Erstarren gebracht wird. Die Temperaturverhältnisse in der Erstarrungszone werden dabei mit Hilfe einer beweglichen Heizzone gesteuert, mittels derer die Kristallisationsfront dem steigenden Füllstand in der Kokille nachgeführt wird, wobei dieser seinerseits über die Aufschmelzrate des Siliciums geregelt wird. Es lassen sich multikristalline Siliciumblöcke erhalten, bei denen wegen des ebenen Verlaufes der Kristallisationsfront die kolumnaren einkristallinen Bezirke innerhalb der Blöcke nahezu vertikal verlaufen, und welche ein ausgezeichnetes Solarzellengrundmaterial mit hohen Diffusionslängen und Lebensdauern der Minoritätsladungsträger darstellen, aus dem sich Solarzellen mit dementsprechend hohen Wirkungsgraden fertigen lassen.
摘要翻译：在所指示的过程和由所述指示装置的方式，熔融硅中产生连续或分阶段和纬向填充到模具中，其中它被导致区域性地固化。在凝固区中的温度条件，这里用可动加热区的帮助下，借助于该结晶前被引起以跟随模具的上升电平来控制，反过来水平通过硅的熔化速率被控制，多晶硅块可以在其中获得的块内的柱状单结晶结构域大致垂直延伸由于结晶前的平面形状的，并且其表示具有少数的高扩散长度和使用寿命优异的太阳能电池基底材料电荷载流子，从该相应的高效率可制造太阳能电池的材料。 ... ...

2. 发明公开

EP0217158A3 Process and apparatus for making silicon bars 失效
标题翻译：制造硅棒的工艺和装置
公开(公告)号：EP0217158A3
公开(公告)日：1988-11-09
申请号：EP86112146
申请日：1986-09-02
申请人： Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH
发明人： Stock, Horst, Dipl.-Phys. , Huber, Lothar , Priewasser, Georg
IPC分类号： C30B11/08 , C30B29/60 , C30B29/06 , C30B11/10
CPC分类号： C30B29/605 , C30B11/002 , C30B15/08 , Y10S117/90 , Y10S117/91 , Y10T117/1008 , Y10T117/1036 , Y10T117/1044 , Y10T117/1056 , Y10T117/1068
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung von Siliciumstäben mit einer Kolumnarstruktur aus einkristallinen Kristall bezirken mit kristallographischer Vorzugsorientierung an gegeben. Aus einem Siliciumreservoir wird schmelzflüssiges Silicium in eine Kristallisationskammer überführt, welche durch in Form des gewünschten Stabquerschnittes fugen dicht angeordnete Rollen gebildet wird. Dort bildet das Sil icium zunächst eine stabile Außenschale aus erstarrtem Mat erial aus und wird, während es weiter durchkristallisiert, nach unten abgezogen und von den Rollen freigegeben. Wegen des kurzen Kontaktes mit einer Gefäßwandung wird ein be sonders verunreinigungsarmer Siliciumstab erhalten.

3. 发明公开

EP0217158A2 Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Siliciumstäben 失效
标题翻译：生产硅棒的方法和装置。
公开(公告)号：EP0217158A2
公开(公告)日：1987-04-08
申请号：EP86112146.5
申请日：1986-09-02
申请人： Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH
发明人： Stock, Horst, Dipl.-Phys. , Huber, Lothar , Priewasser, Georg
IPC分类号： C30B11/08 , C30B29/60 , C30B29/06 , C30B11/10
CPC分类号： C30B29/605 , C30B11/002 , C30B15/08 , Y10S117/90 , Y10S117/91 , Y10T117/1008 , Y10T117/1036 , Y10T117/1044 , Y10T117/1056 , Y10T117/1068
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung von Siliciumstäben mit einer Kolumnarstruktur aus einkristallinen Kristallbezirken mit kristallographischer Vorzugsorientierung angegeben. Aus einem Siliciumreservoir wird schmelzflüssiges Silicium in eine Kristallisationskammer überführt, welche durch in Form des gewünschten Stabquerschnittes fugendicht angeordnete Rollen gebildet wird. Dort bildet das Silicium zunächst eine stabile Außenschale aus erstarrtem Material aus und wird, während es weiter durchkristallisiert, nach unten abgezogen und von den Rollen freigegeben. Wegen des kurzen Kontaktes mit einer Gefäßwandung wird ein besonders verunreinigungsarmer Siliciumstab ernalten.
摘要翻译：提供了一种用于生产具有与给定的结晶优选取向单晶晶体区的柱状结构的硅棒的过程。从硅贮存熔融硅转移到由在布置在期望的横截面杆接头密封辊的形式形成的结晶室。在那里，第一硅形成固化的材料的稳定的外壳和，因为它继续通过结晶的下方拉出，并从卷轴松开。因为与血管壁的短接触的获得特别低的杂质硅棒。

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