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1. 发明授权

EP2481708B1 Verfahren zur destillativen Reinigung von Chlorsilanen 有权转让
标题翻译：一种用于氯硅烷的蒸馏纯化过程
公开(公告)号：EP2481708B1
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：EP12153198.2
申请日：2012-01-31
申请人： Wacker Chemie AG
发明人： Pätzold, Dr. Uwe , Häckl, Dr. Walter , Prochaska, Jan
IPC分类号： C01B33/107 , B01D3/14
CPC分类号： B01D3/143 , C01B33/037 , C01B33/046 , C01B33/10778

2. 发明公开

EP2481708A1 Verfahren zur destillativen Reinigung von Chlorsilanen 有权转让
公开(公告)号：EP2481708A1
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：EP12153198.2
申请日：2012-01-31
申请人： Wacker Chemie AG
发明人： Pätzold, Dr. Uwe , Häckl, Dr. Walter , Prochaska, Jan
IPC分类号： C01B33/107 , B01D3/14
CPC分类号： B01D3/143 , C01B33/037 , C01B33/046 , C01B33/10778
摘要： Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur destillativen Reinigung von Chlorsilanen, umfassend Bereitstellen einer borhaltigen Mischung aus Chlorsilanen enthaltend TCS, DCS und STC und destillative Reinigung der Mischung aus Chlorsilanen in mehreren Destillationskolonnen, wobei niedrig-siedende Borverbindungen mittels Kopfströmen enthaltend borangereichertes DCS und höher-siedende Borverbindungen mittels eines borangereicherten Sumpfstromes enthaltend Hochsieder aus den Destillationskolonnen abgezweigt werden.
摘要翻译：氯硅烷的蒸馏提纯包括提供包含三氯硅烷（TCS），二氯硅烷（DCS）和四氯化硅（STC）的氯硅烷的含硼混合物，并在几个蒸馏塔中蒸馏精制氯硅烷的混合物，其中低沸点硼化合物分支通过含有富含硼烷的DCS和较高沸点硼化合物的主流由富含蒸馏塔的含有高锅炉的富含硼烷的底部物流分支。

3. 发明授权

EP2722310B1 Verfahren zur endothermen Gasphasenreaktion in einem Reaktor 有权
标题翻译：维也纳zur吸血鬼在einem Reaktor加油
公开(公告)号：EP2722310B1
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：EP13188066.8
申请日：2013-10-10
申请人： Wacker Chemie AG
发明人： Hirschmann, Andreas , Häckl, Dr. Walter , Pätzold, Dr. Uwe
IPC分类号： C01B33/107
CPC分类号： C01B33/1071 , B01J4/005 , B01J2219/00063 , B01J2219/00135 , B01J2219/00159 , B01J2219/002 , B01J2219/00238

4. 发明公开

EP2722310A1 Reaktor und Verfahren zur endothermen Gasphasenreaktion in einem Reaktor 有权
标题翻译：一种用于在反应器中的吸热气相反应过程
公开(公告)号：EP2722310A1
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：EP13188066.8
申请日：2013-10-10
申请人： Wacker Chemie AG
发明人： Hirschmann, Andreas , Häckl, Dr. Walter , Pätzold, Dr. Uwe
IPC分类号： C01B33/107
CPC分类号： C01B33/1071 , B01J4/005 , B01J2219/00063 , B01J2219/00135 , B01J2219/00159 , B01J2219/002 , B01J2219/00238
摘要： Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur endothermen Gasphasenreaktion in einem Reaktor, bei dem Eduktgase über eine Gaseinlassvorrichtung in den Reaktor eingebracht und mittels einer Gasverteilungsvorrichtung gleichmäßig in eine Heizzone verteilt werden, wobei in der Heizzone die Eduktgase mittels Heizelementen auf eine mittlere Temperatur von 500-1500°C aufgeheizt und anschließend in eine Reaktionszone geführt werden, wobei die Eduktgase in der Reaktionszone zu einem Produktgas reagieren, das über eine Gasauslassvorrichtung aus dem Reaktor geführt wird. Weitere Gegenstände der Erfindung beziehen sich auf ein Verfahren zur endothermen Gasphasenreaktion in einem Reaktor, wobei das Aufheizen der Heizelemente durch Temperaturmessungen in der Reaktionszone gesteuert wird, wobei zu diesem Zweck wenigstens zwei Temperaturfühler in der Reaktionszone vorhanden sind, sowie einen Reaktor zur Durchführung des Verfahrens.
摘要翻译：本发明涉及一种用于在反应器中的吸热气相反应的方法，通过在反应器的气体入口装置，在进料气被引入并通过气体分配装置的装置被均匀分布成一个加热区，其中在所述加热区中，反应物气体通过加热至500-1500的平均温度加热℃，然后引入反应区，其中在所述反应区中的反应物气体反应而形成，其通过从所述反应器的气体出口通过的产物气体。本发明的进一步的目的涉及一种用于在反应器中的吸热气相反应的方法，其中所述加热元件的加热是通过在反应区中测量温度，为此在反应区中的至少两个温度传感器都存在，以及用于实现该方法的反应器控制。

5. 发明公开

EP2719664A1 Verfahren zur Hydrierung von Siliciumtetrachlorid zu Trichlorsilan 审中-公开
标题翻译： VERFAHREN ZUR HYDRIERUNG VON SILICIUMTETRACHLORID ZU TRICHLORSILAN
公开(公告)号：EP2719664A1
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：EP13187011.5
申请日：2013-10-02
申请人： Wacker Chemie AG
发明人： Häckl, Dr. Walter , Ellinger, Norbert , Hirschmann, Andreas , Kahler, Markus , Pätzold, Dr. Uwe
IPC分类号： C01B33/107
CPC分类号： C01B33/1071
摘要： Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Hydrierung von Siliciumtetrachlorid in einem Reaktor, bei dem Eduktgas bei einem Druck zwischen 4 und 15 bar, welches Wasserstoff und Siliciumtetrachlorid enthält, zunächst mittels mindestens einem Wärmetauscher aus Graphit und anschließend mittels mindestens einem Heizelement aus mit SiC beschichtetem Graphit auf eine Temperatur von größer als 900°C erwärmt wird und dabei die Temperatur der Heizelemente zwischen 1150°C und 1250°C beträgt, dadurch gekennzeichnet, dass das Eduktgas mindestens eine Borverbindung beinhaltet, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Diboran, höhere Borane, Borhalogenverbindungen und Borsilylverbindungen, wobei die Summe der Konzentrationen aller Borverbindungen größer ist als 1 ppmv bezogen auf den Eduktgasstrom.
摘要翻译：在反应器中氢化四氯化硅包括：（a）在反应器中以4-15巴的压力提供包含氢和四氯化硅的反应气体; 并且（b）将反应物气体加热至大于900℃的温度，最初至少包含一种包含石墨的热交换器，然后与至少一个包含碳化硅涂覆的石墨的加热元件。至少一个加热元件的温度为1150-1250℃。反应气体包含至少一种硼化合物，包括例如乙硼烷，高级硼烷和硼 - 卤素化合物。在反应器中氢化四氯化硅包括：（a）在反应器中以4-15巴的压力提供包含氢和四氯化硅的反应气体; 并且（b）将反应物气体加热至大于900℃的温度，最初至少包含一种包含石墨的热交换器，然后与至少一个包含碳化硅涂覆的石墨的加热元件。至少一个加热元件的温度为1150-1250℃。反应物气体包括至少一种硼化合物，其包含乙硼烷，较高硼烷，硼 - 卤素化合物和硼 - 甲硅烷基化合物，以及所有硼的浓度之和化合物基于反应物气流大于1ppmv。

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