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1. 发明公开

EP2719664A1 Verfahren zur Hydrierung von Siliciumtetrachlorid zu Trichlorsilan 审中-公开
标题翻译： VERFAHREN ZUR HYDRIERUNG VON SILICIUMTETRACHLORID ZU TRICHLORSILAN
公开(公告)号：EP2719664A1
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：EP13187011.5
申请日：2013-10-02
申请人： Wacker Chemie AG
发明人： Häckl, Dr. Walter , Ellinger, Norbert , Hirschmann, Andreas , Kahler, Markus , Pätzold, Dr. Uwe
IPC分类号： C01B33/107
CPC分类号： C01B33/1071
摘要： Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Hydrierung von Siliciumtetrachlorid in einem Reaktor, bei dem Eduktgas bei einem Druck zwischen 4 und 15 bar, welches Wasserstoff und Siliciumtetrachlorid enthält, zunächst mittels mindestens einem Wärmetauscher aus Graphit und anschließend mittels mindestens einem Heizelement aus mit SiC beschichtetem Graphit auf eine Temperatur von größer als 900°C erwärmt wird und dabei die Temperatur der Heizelemente zwischen 1150°C und 1250°C beträgt, dadurch gekennzeichnet, dass das Eduktgas mindestens eine Borverbindung beinhaltet, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Diboran, höhere Borane, Borhalogenverbindungen und Borsilylverbindungen, wobei die Summe der Konzentrationen aller Borverbindungen größer ist als 1 ppmv bezogen auf den Eduktgasstrom.
摘要翻译：在反应器中氢化四氯化硅包括：（a）在反应器中以4-15巴的压力提供包含氢和四氯化硅的反应气体; 并且（b）将反应物气体加热至大于900℃的温度，最初至少包含一种包含石墨的热交换器，然后与至少一个包含碳化硅涂覆的石墨的加热元件。至少一个加热元件的温度为1150-1250℃。反应气体包含至少一种硼化合物，包括例如乙硼烷，高级硼烷和硼 - 卤素化合物。在反应器中氢化四氯化硅包括：（a）在反应器中以4-15巴的压力提供包含氢和四氯化硅的反应气体; 并且（b）将反应物气体加热至大于900℃的温度，最初至少包含一种包含石墨的热交换器，然后与至少一个包含碳化硅涂覆的石墨的加热元件。至少一个加热元件的温度为1150-1250℃。反应物气体包括至少一种硼化合物，其包含乙硼烷，较高硼烷，硼 - 卤素化合物和硼 - 甲硅烷基化合物，以及所有硼的浓度之和化合物基于反应物气流大于1ppmv。

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