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1. 发明授权

EP3194410B1 VERFAHREN ZUR AUFREINIGUNG HALOGENIERTER OLIGOSILANE 有权
公开(公告)号：EP3194410B1
公开(公告)日：2024-03-13
申请号：EP15805099.7
申请日：2015-09-07
发明人： BAUCH, Christian , HOLL, Sven , HEUER, Matthias
IPC分类号： C01B33/00 , C07F7/20 , C01B33/107 , C01B33/04 , C07D323/00

2. 发明公开

EP4317062A1 OPTIMIZED PROCESS FOR SILICON DEPOSITION 审中-公开
公开(公告)号：EP4317062A1
公开(公告)日：2024-02-07
申请号：EP22020368.1
申请日：2022-08-02
申请人： Lygin, Alexander
发明人： Lygin, Alexander
IPC分类号： C01B32/318 , B01J21/18 , C01B33/03 , C01B33/033 , C01B33/107
摘要： A process for converting trichlorosilane (HSiCl 3 ) to silicon (Si) and tetrachlorosilane (SiCl 4 ) comprising the following steps:
(a) Disproportionation of trichlorosilane in the presence of a catalyst to obtain a mixture (I) comprising monosilane (SiH 4 ), dichlorosilane (H 2 SiCl 2 ), monochlorosilane (H 3 SiCl) and tetrachlorosilane,
(b) Partial thermal decomposition of the mixture (I) obtained in step (a) at a temperature not exceeding 800°C to obtain silicon and a mixture (II) comprising unreacted tetrachlorosilane, wherein the molar ratio of the unreacted tetrachlorosilane to the obtained silicon is in the range 0.8:1 to 10:1.
(c) Optional feeding of the mixture (II) obtained in step (b) in step (a) followed by repeating steps (a) and (b).

3. 发明公开

EP4180395A1 PROCESS FOR THE PRODUCTION OF SILICON TETRACHLORIDE 审中-公开
公开(公告)号：EP4180395A1
公开(公告)日：2023-05-17
申请号：EP21208645.8
申请日：2021-11-16
申请人： PCC SE
发明人： YANKO, Taras , SIDORENKO, Sergiy , STEPANISHEVA, Dina
IPC分类号： C01B33/107
摘要： The present invention concerns the chemical production of silicon tetrachloride (SiCl 4 ) and describes a process for the production of silicon tetrachloride comprising the following steps:
- providing a metal chloride salt melt in a chlorination reactor,
- feeding a chlorinating agent to the metal chloride salt melt,
- feeding a silicon source to the metal chloride salt melt,
wherein the temperature of the metal chloride salt melt is kept below its equilibrium melting point while silicon tetrachloride is formed.
The use of a chlorinating apparatus, metal chloride salts and/or chlorinating agents for that process including the use of SiCl 4 obtained is also described.

4. 发明授权

EP3898509B1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON CHLORSILANEN 有权
公开(公告)号：EP3898509B1
公开(公告)日：2023-02-22
申请号：EP18829804.6
申请日：2018-12-18
发明人： RIMBOECK, Karl-Heinz , FREIHERR VON ARETIN, Tassilo , SUNDBERG, Johannes
IPC分类号： C01B33/107

5. 发明公开

EP4065512A1 VERFAHREN ZUR ENTFERNUNG EINER VERUNREINIGUNG AUS EINEM CHLORSILANGEMISCH 审中-实审
公开(公告)号：EP4065512A1
公开(公告)日：2022-10-05
申请号：EP19813448.8
申请日：2019-11-27
申请人： Wacker Chemie AG
发明人： KNOTH, Jens Felix , BOCHMANN, Sebastian , PÄTZOLD, Uwe , PROST, Sebastian
IPC分类号： C01B33/08 , C01B33/107

6. 发明公开

EP3976533A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON TRICHLORSILAN MIT STRUKTUROPTIMIERTEN SILICIUM-PARTIKELN 审中-实审
公开(公告)号：EP3976533A1
公开(公告)日：2022-04-06
申请号：EP19728926.7
申请日：2019-05-29
申请人： Wacker Chemie AG
发明人： RIMBÖCK, Karl-Heinz
IPC分类号： C01B33/107

7. 发明授权

EP3715324B1 PRODUCTION METHOD FOR TRICHLOROSILANE 有权
公开(公告)号：EP3715324B1
公开(公告)日：2022-01-19
申请号：EP18877773.4
申请日：2018-11-16
发明人： HIROTA, Kenji , OGIHARA, Katsuya
IPC分类号： C01B33/107 , B01J8/24 , B01J8/12 , B01J8/08

8. 发明授权

EP3653577B1 TRIS(TRICHLORSILYL)DICHLOROGALLYLGERMAN, VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG UND DESSEN VERWENDUNG 有权
公开(公告)号：EP3653577B1
公开(公告)日：2021-10-06
申请号：EP18206148.1
申请日：2018-11-14
发明人： WAGNER, Matthias, Prof. Dr. , TEICHMANN, Julian , LERNER, Hans-Wolfram, Dr.
IPC分类号： C01B33/107 , C23C16/24

9. 发明公开

EP3885315A1 CHLOROSILANE MANUFACTURING METHOD 审中-公开
公开(公告)号：EP3885315A1
公开(公告)日：2021-09-29
申请号：EP19902486.0
申请日：2019-12-20
申请人： Tokuyama Corporation
发明人： OGIHARA, Katsuya , IIYAMA, Shoji , MATSUMURA, Kunihiko
IPC分类号： C01B33/107
摘要： When a chlorosilane is manufactured through the reaction of a metallic silicon and hydrogen chloride, the present invention provides a metallic silicon powder with an oil adhesion quantity of 5ppmw or less as the metallic silicon in the reaction.

10. 发明公开

EP3858788A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON CHLORSILANEN 有权
公开(公告)号：EP3858788A1
公开(公告)日：2021-08-04
申请号：EP21156630.2
申请日：2017-10-05
申请人： Wacker Chemie AG
发明人： Rimböck, Karl-Heinz , Aseervatham, Karone , Müller, Michael , Sofina, Natalia
IPC分类号： C01B33/107 , B01J8/18
摘要： Gegenstand der Erfindung ist ein erstes Verfahren zur Herstellung von Chlorsilanen in einem Wirbelschichtreaktor durch Umsetzung von einem Chlorwasserstoff enthaltenden Reaktionsgas mit einer partikulären Kontaktmasse, enthaltend Silicium und gegebenenfalls einen Katalysator, wobei die Chlorsilane die allgemeinen Formel H n SiCl 4-n und/oder H m Cl 6-m Si 2 mit n = 1-4 und m = 0-4 aufweisen und wobei der hydraulische Durchmesser des Wirbelschichtreaktors d hyd , die Gasleerrohrgeschwindigkeit im Wirbelschichtreaktor u L und der Sauterdurchmesser der partikulären Kontaktmasse d 32 derart gewählt werden, dass in einem kartesischen Koordinatensystem, in welchem die Archimedes-Zahl Ar gegen die Reynolds-Zahl Re aufgetragen ist, Punkte auf einer Fläche abgebildet werden, wobei die Fläche definiert wird durch die Gleichungen 1a und 1b: Ar = 3 ⋅ 10 − 3 ⋅ Re 2 − 8 , 18 ⋅ Re + 1200 Ar = 4 ⋅ 10 − 6 ⋅ Re 2 − 0 , 69 ⋅ Re + 14400 mit einer Untergrenze Ar = 1 und einer Obergrenze Ar = 3000.
Ferner ist Gegenstand der Erfindung ein zweites Verfahren zur Herstellung von Chlorsilanen in einem Wirbelschichtreaktor durch Umsetzung von einem Reaktionsgas, enthaltend Siliciumtetrachlorid und Wasserstoff, mit einer partikulären Kontaktmasse, enthaltend Silicium und einen Katalysator, wobei die Chlorsilane die allgemeinen Formel H n SiCl 4-n und/oder H m Cl 6-m Si 2 mit n = 1-4 und m = 0-4 aufweisen und wobei der hydraulische Durchmesser des Wirbelschichtreaktors d hyd , die Gasleerrohrgeschwindigkeit im Wirbelschichtreaktor u L und der Sauterdurchmesser der partikulären Kontaktmasse d 32 derart gewählt werden, dass in einem kartesischen Koordinatensystem, in dem die Archimedes-Zahl Ar gegen die Reynolds-Zahl Re aufgetragen ist, Punkte auf einer Fläche abgebildet werden, wobei die Fläche definiert wird durch die Gleichungen 2a und 2b: Ar = 5 ⋅ 10 − 9 ⋅ Re 2 + 4 , 8 ⋅ 10 − 3 ⋅ Re − 102 Ar = 1 ⋅ 10 − 9 ⋅ Re 2 − 1 , 1 ⋅ 10 − 2 ⋅ Re + 10774 mit einer Untergrenze Ar = 0,3 und einer Obergrenze Ar = 3000.

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