专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明公开

EP3104528A1 BIDIREKTIONALER MOSFET-SCHALTER UND MULTIPLEXER 有权
公开(公告)号：EP3104528A1
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：EP16173464.5
申请日：2016-06-08
申请人： WEETECH GmbH
发明人： Hengl, Rudi , Reuter, Christian
IPC分类号： H03K17/693 , H03K17/689 , H03K17/687 , H03K17/0412
CPC分类号： H03K17/693 , H03K17/04123 , H03K17/6874 , H03K17/6877 , H03K17/689 , H03K2017/6875 , H03K2217/0054
摘要： Die Erfindung betrifft einen bidirektionalen MOSFET-Schalter, aufweisend einen Eingang (A) und einen Ausgang (B) und zwei MOSFET-Transistoren (T1, T2), die mit ihren Source- und Gate-Anschlüssen miteinander verbunden sind, wobei der Eingang (A) und der Ausgang (B) mit jeweils einem Drain-Anschluss der zwei MOSFET-Transistoren (T1, T2) verbunden ist, einen mittels einer Potentialtrennung (I1) galvanisch isolierten Steuereingang (D), der mit einer Steuereinheit (C1) verbunden ist, welche eingerichtet ist, über einen weiteren MOSFET-Transistor (T4) einen Steuerstrom für einen FET-Transistor (T3) zu schalten, der eingerichtet ist, durch den Steuerstrom eine Gate-Spannung Vgs zwischen Gate (G) und Source (S) an den zwei MOSFET-Transistoren (T1, T2) zum Schalten derselben zu erzeugen, und einer potentialfreien Spannungsquelle (V1), welche mit dem Eingang (A) galvanisch verbunden ist und eingerichtet ist, einen Gate-Steuerstrom für die zwei MOSFET-Transistoren (T1, T2) zu erzeugen.
摘要翻译：提供双向MOSFET开关。该开关包括通过其源极和栅极端子彼此连接的输入端子，输出端子和两个MOSFET晶体管。输入和输出端子连接到两个MOSFET晶体管的相应漏极端子。该开关还包括控制输入端子，其由电势隔离器电隔离并连接到控制单元，该控制单元经配置以通过另一MOSFET晶体管切换FET晶体管的控制电流。 FET晶体管被配置为通过控制电流产生用于切换两个MOSFET晶体管的栅极和源极之间的栅极电压Vgs，以及浮动电压源，其被电连接到输入并被配置以产生两个MOSFET晶体管的栅极控制电流。

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式