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1. 发明授权

EP0226503B1 Photocathode à faible courant d'obscurité 失效
标题翻译：低电流光电池
公开(公告)号：EP0226503B1
公开(公告)日：1989-09-20
申请号：EP86402617.4
申请日：1986-11-25
申请人： THOMSON-CSF
发明人： Munier, Bernard , De Groot, Paul , Weisbuch, Claude , Henry, Yves
IPC分类号： H01J1/34 , H01J29/38
CPC分类号： H01J1/34 , H01J2201/3423

2. 发明授权

EP0148654B1 Dispositif photosensible pour l'infra-rouge 失效
标题翻译：用于红外范围的感光装置
公开(公告)号：EP0148654B1
公开(公告)日：1988-07-20
申请号：EP84402302.8
申请日：1984-11-13
申请人： THOMSON-CSF
发明人： Arques, Marc , Munier, Bernard
IPC分类号： H04N5/335 , H04N3/15
CPC分类号： H04N5/33 , H04N5/374

3. 发明公开

EP0230818A1 Photocathode à amplification interne 失效
标题翻译：光阴带内置放大。
公开(公告)号：EP0230818A1
公开(公告)日：1987-08-05
申请号：EP86402820.4
申请日：1986-12-16
申请人： THOMSON-CSF
发明人： Weisbuch, Claude , Munier, Bernard , De Groot, Paul , Moiroud, Guy , Henry, Yves
IPC分类号： H01J1/34
CPC分类号： H01J1/34 , H01J2201/3423
摘要： L'invention concerne une photocathode pour tubes de prise de vues de télévision ou tubes intensificateurs d'image. Dans un exemple de réalisation cette photocathode comporte :
- Une couche transparente (1) ;
- Une couche d'absorption (2) dont la largeur de bande interdite est telle qu'elle convertit en paires électron-trou les photons (8) de la lumière à détecter ;
- Une couche (3) dite de multiplication des électrons, ayant une composition non uniforme procurant une largeur de bande interdite variable qui permet une ionisation par impact, sans bruit ;
- Une couche (4) dite couche de transport ;
- Une électrode de polarisation (5), permettant d'accélérer les électrons libérés par les photons, pour les multiplier par ionisation dans la couche de multiplication (4) ;
- Une couche (6) procurant une affinité électronique négative pour émettre des électrons (7) dans le vide.
Application aux caméras de télévision et aux tubes intensificateurs d'image.

4. 发明授权

EP0230818B1 Photocathode à amplification interne 失效
标题翻译：具有内部放大的照片阴谋
公开(公告)号：EP0230818B1
公开(公告)日：1991-06-12
申请号：EP86402820.4
申请日：1986-12-16
申请人： THOMSON-CSF
发明人： Weisbuch, Claude , Munier, Bernard , De Groot, Paul , Moiroud, Guy , Henry, Yves
IPC分类号： H01J1/34
CPC分类号： H01J1/34 , H01J2201/3423

5. 发明公开

EP0226503A1 Photocathode à faible courant d'obscurité 失效
标题翻译：光阴低暗电流。
公开(公告)号：EP0226503A1
公开(公告)日：1987-06-24
申请号：EP86402617.4
申请日：1986-11-25
申请人： THOMSON-CSF
发明人： Munier, Bernard , De Groot, Paul , Weisbuch, Claude , Henry, Yves
IPC分类号： H01J1/34 , H01J29/38
CPC分类号： H01J1/34 , H01J2201/3423
摘要： L'invention concerne une photocathode comportant : une première couche (11) constituée d'un matériau semi-conducteur de type P⁺, transparent pour toutes les longueurs d'onde de la lumière à détecter ; une seconde couche (15, 17) constituée d'un semi-conducteur de type P⁺ dont la bande interdite a une largeur suffisamment faible pour convertir en paires électron-trou les photons (8) de la lumière à détecter ; au moins une couche (16) intercalée à l'intérieur de la seconde couche (15, 17) et constituée d'un semi-conducteur de type P ou N créant une barrière de potentiel par rapport à la seconde couche (15, 17), et dont l'épaisseur est suffisamment faible pour permettre la traversée d'électrons (9) par effet tunnel avec une probabilité élevée, et suffisamment forte pour arrêter une majeure partie d'un courant de trous ; une électrode métallique (13) permettant de polariser la photocathode pour accélérer les électrons (9) des paires électron-trou créées dans la seconde couche (15, 17) par la lumière ; une dernière couche (14), pour abaisser le potentiel du vide par rapport à la seconde couche (15, 17) pour émettre dans le vide les électrons (9) ainsi accélérés.
Application aux tubes de prise de vues et aux tubes intensificateurs d'images.

6. 发明公开

EP0143047A2 Dispositif photosensible pour l'infra-rouge 失效
标题翻译：用于红外线的光敏装置
公开(公告)号：EP0143047A2
公开(公告)日：1985-05-29
申请号：EP84402303.6
申请日：1984-11-13
申请人： THOMSON-CSF
发明人： Arques, Marc , Munier, Bernard
IPC分类号： H04N5/335 , H04N3/15
CPC分类号： H04N5/33 , H04N5/374
摘要： Ce dispositif comporte N ligne et M colonnes de photodiodes sensibles à l'infra-rouge. On intègre dans une série de capacités (C 11 , C 21 C 31 ...) les charges provenant des détecteurs d'une colonne. Des transistors MOS (T 12 , T 22 , T 32 ...) relient les premières (C 11 , C 21 , C 3 ,...) et les deuxièmes (C 12 , C 22 , C 32 ...) capacités pour que les charges se répartissent entre ces capacités. Des transistors MOS montés en suiveurs (T 14 , T 24 , T 34 ...) lisent le niveau des charges dans les secondes capacités, alors que se produit l'intégration des charges dans les premières capacités des détecteurs de la colonne suivante. Les détecteurs et le reste du dispositif sont intégrés sur deux substrats semi-conducteurs différents, mais l'ensemble du dispositif est intégré dans un même cryostat présentant une sortie (S) unique.
摘要翻译：该器件包含N行和M列对红外线敏感的光电二极管。来自色谱柱检测器的电荷被集成在一系列容量（C11，C21 C31 ...）中。 MOS晶体管（T12，T22，T32 ...）连接第一（C11，C21，C3，...）和第二（C12，C22，C32 ...）能力，从而使电荷被这些功能之间分布。连接为跟随者（T14，T24，T34 ...）的MOS晶体管的读在第二容量的电荷的水平，而产物在下一列的第一容量检测器的电荷的积分。检测器和其他器件集成在两个不同的半导体衬底上，但整个器件集成在具有单个输出（S）的同一个低温恒温器中。

7. 发明授权

EP0228323B1 Photocathode à rendement élevé 失效
标题翻译：高效光刻胶
公开(公告)号：EP0228323B1
公开(公告)日：1990-04-04
申请号：EP86402618.2
申请日：1986-11-25
申请人： THOMSON-CSF
发明人： Munier, Bernard , De Groot, Paul , Weisbuch, Claude , Henry, Yves
IPC分类号： H01J1/34 , H01J29/38
CPC分类号： H01J1/34 , H01J2201/3423

8. 发明授权

EP0143047B1 Dispositif photosensible pour l'infra-rouge 失效
标题翻译：红外范围的摄影装置
公开(公告)号：EP0143047B1
公开(公告)日：1988-05-11
申请号：EP84402303.6
申请日：1984-11-13
申请人： THOMSON-CSF
发明人： Arques, Marc , Munier, Bernard
IPC分类号： H04N5/335 , H04N3/15
CPC分类号： H04N5/33 , H04N5/374

9. 发明公开

EP0228323A1 Photocathode à rendement élevé 失效
标题翻译：光阴效率高。
公开(公告)号：EP0228323A1
公开(公告)日：1987-07-08
申请号：EP86402618.2
申请日：1986-11-25
申请人： THOMSON-CSF
发明人： Munier, Bernard , De Groot, Paul , Weisbuch, Claude , Henry, Yves
IPC分类号： H01J1/34 , H01J29/38
CPC分类号： H01J1/34 , H01J2201/3423
摘要： Un exemple de réalisation comporte :
- Une couche transparente (1) constituée d'un matériau semi-conducteur de type P⁺ dans la largeur de bande interdite est suffisamment grande pour que cette couche soit transparente pour les photons (29) de la lumière à détecter ;
- Une couche d'absorption constituée de dix premières sous-couches (2 à 13) constituées d'un matériau semi-conducteur de type P⁺ ayant une largeur de bande interdite suffisamment petite pour posséder des propriétés électroniques bi-dimensionnelles afin de convertir efficacement les photons (29) en paires électron-trou et dix secondes sous-couches (16 à 27) intercalées entre les premières et constituées du même matériau que la couche transparente (1), ces secondes sous-couches (16 à 27) étant suffisamment minces pour permettre la traversée des électrons par effet tunnel, et les premières sous-couches (2 à 13) ayant une épaisseur suffisante pour permettre l'absorption des photons (29) de toutes les longueurs d'onde de la lumière à détecter ;
- Une couche de transport (14) constituée du même matériau que les premières sous-couches (2 à 13) ;
- Une couche (15) de Cs + O permettant d'abaisser le potentiel du vide pour permettre l'émission d'électrons (28) dans le vide.
Application aux tubes de prise de vues de télévision et aux tubes intensificateurs d'image.

10. 发明公开

EP0143706A1 Dispositif photosensible pour l'infra-rouge 失效
标题翻译：红外线敏感布置。
公开(公告)号：EP0143706A1
公开(公告)日：1985-06-05
申请号：EP84402363.0
申请日：1984-11-20
申请人： THOMSON-CSF
发明人： Munier, Bernard
IPC分类号： H01L27/14
CPC分类号： H01L27/14649
摘要： Chaque détecteur infrarouge est associé à des moyens (2) permettant l'injection dans un substrat semi-conducteur d'une quantité de charges fonction du rayonnement infra- rouge reçu par le détecteur, et à des moyens (62) assurant le stockage de ces charges. Les moyens de stockage des détecteurs d'une même ligne sont reliés par des connexions (... 11 (j-I), 11 (j-I), 11 (j), 11 (j + 1) ...) à des moyens de lecture des charges, communs aux détecteurs d'une même ligne, et qui assurent, grâce à un registre à décalages qui adresse successivement les moyens de stockage des détecteurs d'une même colonne, la lecture des détecteurs, colonne après colonne. L'ensemble du dispositif peut être intégré dans un cryostat présentant une seule sortie à haut niveau.

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