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1. 发明授权

EP0364314B1 Procédé de lecture de cellules photosensibles du type comportant deux diodes montées en série avec des sens de conduction opposés 失效
标题翻译：读取感光单元与串联布置，并与相对的传输方向的两个二极管的方法。
公开(公告)号：EP0364314B1
公开(公告)日：1994-03-30
申请号：EP89402483.5
申请日：1989-09-12
申请人： THOMSON-CSF
发明人： Arques, Marc , Guyot, Lucien
IPC分类号： H04N3/15
CPC分类号： H04N5/357 , H04N5/374

2. 发明授权

EP0323925B1 Duplicateur de charges pour dispositif à transfert de charges 失效
标题翻译：充电传输装置的充电重叠器
公开(公告)号：EP0323925B1
公开(公告)日：1992-06-10
申请号：EP89400009.0
申请日：1989-01-03
申请人： THOMSON-CSF
发明人： Berger, Jean-Luc , Arques, Marc
IPC分类号： G11C27/04 , G11C19/28
CPC分类号： G11C19/285 , G11C27/04

3. 发明公开

EP0364351A1 Procédé de détection photoélectrique avec réduction de rémanence de photo-transistor, notamment de type NIPIN 失效
标题翻译：一种光电检测方法与减少存储在所述光电晶体管，特别是类型拟聘的电荷。
公开(公告)号：EP0364351A1
公开(公告)日：1990-04-18
申请号：EP89402786.1
申请日：1989-10-10
申请人： THOMSON-CSF
发明人： Berger, Jean-Luc , Arques, Marc
IPC分类号： H01L27/146 , H01L27/144 , H04N5/217 , H04N3/15
CPC分类号： H04N5/3597 , H01L27/14665 , H01L27/14681 , H04N5/374
摘要： L'invention concerne les matrices photosensibles, et tout particulièrement celles qui utilisent des phottransistors en silicium amorphe de type NIPIN ou PINIP.
Pour éviter des problèmes de rémanence dus à l'accumulation de trous dans la base après une phase d'éclairement, on propose selon l'invention de faire suivre l'étape de lecture du signal d'éclairement d'une étape d'effacement de rémanence consistant à rendre conducteur le phototransistor (PHT) en polarisation directe ou inverse, de manière à injecter dans la base des électrons qui élimineront les trous par recombinaison.
La mise en conduction par polarisation inverse s'avère meilleure que la mise en conduction par polarisation directe.
L'invention est applicable notamment à une structure matricielle de lignes (Li) et colonnes (Cj) de sites photosensibles (Pij) dans laquelle chaque site est consitué par un phototransistor NIPIN en silicium amorphe (PHT), en série avec une diode de lecture (DL) pouvant être mise en conduction inverse.

4. 发明公开

EP0148654A1 Dispositif photosensible pour l'infra-rouge 失效
标题翻译：红外光敏器件。
公开(公告)号：EP0148654A1
公开(公告)日：1985-07-17
申请号：EP84402302.8
申请日：1984-11-13
申请人： THOMSON-CSF
发明人： Arques, Marc , Munier, Bernard
IPC分类号： H04N5/335 , H04N3/15
CPC分类号： H04N5/33 , H04N5/374
摘要： Chaque détecteur (D 11 ,D 12 ...) est relié à un premier (T 1 , 11 , T 1,12 ...) et à un second (T 2,11 , T 2,12 ...) transistors MOS. Les seconds transistors MOS sont adressés, colonne par colonne, par un premier registre à décalage. Les premiers transistors MOS sont reliés, ligne par ligne, à une capacité (Ci, C 2 ...) de stockage des charges et à un troisième transistor MOS (T 31 , T 32 ...) de lecture des charges adressé par un second registre à décalages. L'ensemble du dispositif est placé dans un cryostat qui ne comporte qu'une seule sortie (S).

5. 发明公开

EP0143047A3 Photosensisitive apparatus for the infra-red range 失效
标题翻译：红外范围的摄影装置
公开(公告)号：EP0143047A3
公开(公告)日：1985-06-26
申请号：EP84402303
申请日：1984-11-13
申请人： THOMSON-CSF
发明人： Arques, Marc , Munier, Bernard
IPC分类号： H04N05/33 , H04N03/15
CPC分类号： H04N5/33 , H04N5/374

6. 发明公开

EP0357468A1 Matrice photosensible à deux diodes de même polarité et une capacité par point photosensible 无效
标题翻译：感光矩阵具有相同极性的两个二极管和光敏每点的电容。
公开(公告)号：EP0357468A1
公开(公告)日：1990-03-07
申请号：EP89401838.1
申请日：1989-06-27
申请人： THOMSON-CSF
发明人： Arques, Marc
IPC分类号： H04N3/15
CPC分类号： H04N5/374
摘要： Chaque point photosensible de cette matrice est constitué par une capacité (CS) et deux diodes (DP, DL). La capacité (CS) est connectée entre un conducteur de ligne (Li) et un noeud commun flottant (A). Une photodiode (DP) est connectée entre le noeud flottant (A) et une source de tension de référence (VR) qui la polarise en inverse. Une diode de lecture (DL) de petites dimensions donc de faible capacité est connectée entre le noeud flottant (A) et un conducteur de colonne. Cette structure permet de réaliser une matrice ayant une capacité de colonne réduite; elle permet donc un meilleur transfert de charges des photodiodes vers le circuit de lecture (CL) connecté en bout de colonne.

7. 发明公开

EP0331546A1 Matrice photosensible à deux diodes par point, sans conducteur spécifique de remise à niveau 失效
标题翻译： Photoempfindlicher矩阵mit zwei Dioden pro Punkt ohne spezifischenRückstellungsleiter。
公开(公告)号：EP0331546A1
公开(公告)日：1989-09-06
申请号：EP89400373.0
申请日：1989-02-09
申请人： THOMSON-CSF
发明人： Berger, Jean-Luc , Arques, Marc
IPC分类号： H04N3/15 , H01L27/14
CPC分类号： H01L27/14665 , H04N5/374
摘要： L'invention concerne les matrices d'éléments photosensibles.
Pour éviter la nécessité d'une source lumineuse de remise à niveau dans les matrices utilisant comme point photosensible une photodiode en série avec une capacité entre un conducteur de ligne et un conducteur de colonne, on propose un point photosensible composé d'une photodiode (DP) en série avec une diode de lecture (DL) entre un conducteur de ligne (Li) et un conducteur de colonne (Cj), la diode de lecture pouvant être mise en conduction directe ou inverse.
Pour lire les charges photoélectriques générées, on applique une impulsion de lecture qui rend conductrice en direct la diode de lecture; pour remettre ensuite à un niveau de départ constant le potentiel du noeud flottant A sur lequel s'accumulent les charges photoélectriques, on applique une impulsion de remise à niveau en sens inverse, qui rend conductrice la diode de lecture (mais cette fois en conduction inverse).
摘要翻译：本发明涉及感光元件的基体。 ...为了避免在使用作为光敏点的与行导体和列导体之间的电容器串联的光电二极管的矩阵中需要复位光源，提出了由光电二极管（DP）与行导体（Li）和列导体（Cj）之间的读取二极管（DL）串联，可以使读取二极管正向或反向导通。为了读取产生的光电荷，应用读取脉冲，使读取二极管正向导通; 为了将光电荷积累的浮动节点A的电位复位到恒定的初始电平，在使反向读取二极管导通（但此时反向导通）的相反方向施加复位脉冲。 ... ...

8. 发明公开

EP0324678A1 Matrice photosensible à deux diodes et une capacité par point, sans remise à niveau optique 失效
标题翻译： Photoempfindliche Matrix mit zwei Dioden und einerKapazitätpro Punkt ohne optischeRückstellung。
公开(公告)号：EP0324678A1
公开(公告)日：1989-07-19
申请号：EP89400067.8
申请日：1989-01-10
申请人： THOMSON-CSF
发明人： Arques, Marc
IPC分类号： H04N3/15 , H01L27/14
CPC分类号： H01L27/14665 , H04N5/374
摘要： L'invention concerne les matrices d'éléments photosensibles.
Pour éviter la nécessité d'une source lumineuse de remise à niveau dans les matrices utilisant comme point photosensible une photodiode en série avec une capacité entre un conducteur de ligne et un conducteur de colonne, on propose selon l'invention de prévoir un point photosensible composé de deux diodes (diode photosensible DP, diode de lecture DL) et une capacité (CS) reliées à un noeud commun flottant (A). La capacité est reliéeà un conducteur d'adressage de ligne (LRi) fournissant une impulsion de lecture à la ligne sélectionnée; la cathode de la diode de lecture est reliée au conducteur de colonne (Cj) qui recueille le signal utile; et l'anode de la photodiode est reliée à un deuxième conducteur de ligne (qui peut d'ailleurs être le premier conducteur d'une ligne voisine) qui reçoit une impulsion de remise à niveau après l'impulsion de lecture. Dans une autre réalisation, la photodiode est reliée simplement à une source de tension de référence (VR).
摘要翻译：本发明涉及感光元件的基体。 ...为了避免对使用作为光敏点的在与行导体和列导体之间的电容器串联的光电二极管的矩阵中的电平重置光源的需要，本发明提出提供光敏点由连接到公共浮动节点（A）的两个二极管（感光二极管DP，读数二极管DL）和电容器（CS）构成。电容器连接到行寻址导体（LRi），其向所选择的行传送读取脉冲; 读取二极管的阴极连接到收集工作信号的列导体（Cj）; 并且光电二极管的阳极连接到在读取脉冲之后接收电平复位脉冲的第二行导体（其可以是相邻行的第一导体）。在另一个实施例中，光电二极管仅连接到参考电压源（VR）。 ... ...

9. 发明公开

EP0323925A1 Duplicateur de charges pour dispositif à transfert de charges 失效
标题翻译： LadungsvervielfältigerfürLadungstransferanordnung。
公开(公告)号：EP0323925A1
公开(公告)日：1989-07-12
申请号：EP89400009.0
申请日：1989-01-03
申请人： THOMSON-CSF
发明人： Berger, Jean-Luc , Arques, Marc
IPC分类号： G11C27/04 , G11C19/28
CPC分类号： G11C19/285 , G11C27/04
摘要： L'invention concerne les dispositifs à transfert de charges. Elle s'applique spécialement mais non exclusivement aux dispositifs de lecture des charges engendrées dans des matrices photosensibles.
On propose selon l'invention un duplicateur de charges capable d'engendrer avec un faible bruit une charge Qs* réplique d'une charge de référence Qs. La charge de référence est déversée par un injecteur (D1, AMP1, GP1, P1) sous une première grille de stockage (G1). La charge réplique est engendrée par un autre injecteur (D2, GP2, P2) sous une autre grille de stockage (G2). Les grilles G1 et G2 sont reliées aux entrées d'un comparateur (AMP2); elles sont portées d'abord à un potentiel de référence haut Vref. Puis elles sont laissées flottantes et la charge Qs est déversée sous G1. Le comparateur bascule et autorise le deuxième injecteur à déverser des charges sous G2; le comparateur rebascule quand la quantité de charges sous G2 devient égale à celle sous G1.
摘要翻译：本发明涉及电荷转移装置。它特别但不排他地适用于用于读取在光敏矩阵中产生的电荷的装置。 ...本发明提出一种能够以低噪声产生参考电荷Qs的复制电荷Qs *的电荷复制器。参考电荷由第一存储格栅（G1）下的注射器（D1，AMP1，GP1，P1）倾倒。复制电荷由另一个注入器（D2，GP2，P2）在另一个存储网格（G2）下产生。栅格G1和G2连接到比较器（AMP2）的输入端; 它们首先被带到高参考电位Vref。然后将它们悬浮，并将电荷Qs倾倒在G1下。比较器摆动并使第二个喷射器在G2下转储电荷; 当G2下的电荷数量等于G1时，比较器摆动。 ... ...

10. 发明公开

EP0323924A1 Procédé et circuit de lecture à faible bruit pour matrice photosensible à transfert de ligne 失效
标题翻译： Leseverfahren und Schaltung mit niedrigemGeräuschfür感光Zeilentransermermrix。
公开(公告)号：EP0323924A1
公开(公告)日：1989-07-12
申请号：EP89400008.2
申请日：1989-01-03
申请人： THOMSON-CSF
发明人： Berger, Jean-Luc , Arques, Marc
IPC分类号： G11C27/04 , G11C19/28
CPC分类号： G11C27/04 , G11C19/285 , H04N5/2173 , H04N5/361
摘要： L'invention concerne les matrices photosensibles, et plus précisément le circuit de lecture connecté à chacune des colonnes de sortie de la matrice.
Pour réduire le bruit de transfert de la colonne (Cj) vers un registre de sortie (RDS), on effectue N fois successivement un transfert de la charge Qs à lire de la colonne vers une zone de stockage intermédiaire, une duplication de cette charge et une sommation des charges dupliquées (Qs*), et une restitution de la charge Qs vers la colonne . Si les bruits de transfert sont décorrélés les uns des autres, le rapport signal/bruit global est amélioré dans un rapport N 1/2 . Une fraction de la somme des charges répliques (par exemple la moyenne des N charges répliques) est transmise à la sortie et constitue le signal de sortie du circuit de lecture.
摘要翻译：本发明涉及光敏矩阵，更确切地说，涉及连接到矩阵的每个输出列的读取电路。为了降低从列（Cj）到输出寄存器（RDS）的传输噪声，连续执行N次，以便从列读取的电荷Qs到中间存储区，复制该费用和复制费用的总和（Qs *），以及恢复列的费用Qs。如果传输噪声彼此不相关，则整体信噪比以N <1>的比例提高。复制电荷之和的一小部分（例如，N个复本电荷的平均值）在输出端传输，并构成来自读取电路的输出信号。 ... ...

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