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2. 发明公开

EP0247386A2 Lateraltransistor 失效
标题翻译： Lateraltransistor。
公开(公告)号：EP0247386A2
公开(公告)日：1987-12-02
申请号：EP87106346.7
申请日：1987-05-02
申请人： TELEFUNKEN electronic GmbH
发明人： Arndt, Jürgen, Dr.
IPC分类号： H01L29/72 , H01L27/06 , H01L21/82 , H01L29/10
CPC分类号： H01L29/402 , H01L21/2652 , H01L21/74 , H01L21/8249 , H01L29/1008 , H01L29/735 , Y10S148/009 , Y10S148/01
摘要： Die Erfindung betrifft einen PNP-Lateraltransistor aus zwei in die Oberfläche eines Halbleiterbereichs (12) vom n-Leitungstyp eingelassenen, Emitter (19d) und Kollektor (19c) bildenden Zonen vom p-Leitungstyp, wobei der zwischen diesen beiden Zonen liegende Teil des Halbleiterbereichs vom n-Leitungstyp die aktive Basiszone (26) bildet. Die Erfindung besteht darin, daß die aktive Basiszone (26) unterhalb der Halbleiteroberfläche und angrenzend an die Emitter- und die Kollektorzone eine vergrabene Halbleiterzone (25) enthält, die gegenüber dem übrigen umgebenden Bereich der aktiven Basiszone (26) zusätzliche kontradotierende Störstellen enthält, so daß ein Stromführungskanal für die Minoritätsladungsträger in der Basiszone entsteht. Hierdurch wird der Einfluß störender Oberflächenrekombinationen und des Substrattransistors erheblich vermindert und eine sehr hohe Gleichstromverstärkung des Lateraltransistors erzielt.
摘要翻译：本发明涉及在从n型导电型，发射器（19D）和收集器（19C）凹陷的半导体区域（12）的表面的两个横向PNP晶体管形成的p型导电型，其特征在于，所述半导体区域的这两个区域部分之间的位于的区 n导电型构成的活性基区（26）。本发明在于，半导体表面的下方的有源基区（26）和邻近所述发射极和集电极区域的掩埋半导体区（25），其（26）包含相对于围绕该有源基区的其余区域附加kontradotierende杂质，对于在基极区域的少数载流子的流动导槽形成。以这种方式，干扰在基板的表面重组的影响，并且该晶体管被显着减小，并且实现了横向的非常高的直流增益。

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