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1. 发明授权

EP3034658B1 VERFAHREN ZUM ZÜCHTEN EINES EINKRISTALLS DURCH KRISTALLISIEREN DES EINKRISTALLS AUS EINER FLIESSZONE 有权
标题翻译： VERFAHREN ZUMZÜCHTENEINES EINKRISTALLS DURCH KRISTALLISIEREN DES EINKRISTALLS AUS EINER FLIESSZONE
公开(公告)号：EP3034658B1
公开(公告)日：2017-06-14
申请号：EP15198405.1
申请日：2015-12-08
申请人： Siltronic AG
发明人： Raming, Georg , Altmannshofer, Ludwig , Ratnieks, Gundars , Möller, Martin , Mümmler, Frank
IPC分类号： C30B13/20 , C30B13/32 , C30B29/06 , C30B13/26
CPC分类号： C30B13/32 , C30B13/20 , C30B13/26 , C30B29/06

2. 发明公开

EP3034658A1 VERFAHREN ZUM ZÜCHTEN EINES EINKRISTALLS DURCH KRISTALLISIEREN DES EINKRISTALLS AUS EINER FLIESSZONE 有权
标题翻译： FOR通过结晶单晶生长单晶方法苍蝇区
公开(公告)号：EP3034658A1
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：EP15198405.1
申请日：2015-12-08
申请人： Siltronic AG
发明人： Raming, Georg , Altmannshofer, Ludwig , Ratnieks, Gundars , Möller, Martin , Mümmler, Frank
IPC分类号： C30B13/20 , C30B13/28 , C30B13/32 , C30B29/06 , C30B13/26
CPC分类号： C30B13/32 , C30B13/20 , C30B13/26 , C30B29/06
摘要： Verfahren zum Züchten eines Einkristalls durch Kristallisieren des Einkristalls aus einer Fließzone, wobei die Fließzone induktiv erhitzt wird und der kristallisierende Einkristall in eine Drehrichtung gedreht wird und die Drehrichtung entsprechend eines Wechselplans in Abständen umgekehrt wird, dadurch gekennzeichnet, dass
eine Verweildauer, während derer der Einkristall wegen der Drehrichtungsumkehr in einem Ruhezustand ist, auf nicht mehr als 60 ms begrenzt wird.
摘要翻译：单晶是在浮区生长所有这些被感应加热和结晶单晶在旋转的方向旋转所有这些间隔周期性地反转在雅舞蹈与在其期间交替计划，worin的停留时间的单晶是在一个由于旋转方向的反转的其余部分的状态被限制为不超过60毫秒。

3. 发明授权

EP2607525B1 Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Einkristalls 有权
标题翻译：用于制造单晶的方法和设备
公开(公告)号：EP2607525B1
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：EP12196076.9
申请日：2012-12-07
申请人： Siltronic AG
发明人： Raming, Georg, Dr. , Altmannshofer, Ludwig , Ratnieks, Gundars , Landrichinger, Johann , Lobmeyer, Josef , Holzinger, Alfred
IPC分类号： C30B13/20 , C30B13/30
CPC分类号： C30B13/20 , C30B13/30 , C30B29/06 , Y10T117/1088

4. 发明公开

EP4144894A1 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES EINKRISTALLS AUS SILICIUM 审中-实审
公开(公告)号：EP4144894A1
公开(公告)日：2023-03-08
申请号：EP21195228.8
申请日：2021-09-07
申请人： Siltronic AG
发明人： Häckl, Walter , Ratnieks, Gundars , Sattler, Andreas , Surovovs, Maksims , Virbulis, Janis
IPC分类号： C30B13/00 , C30B29/06 , C30B35/00
摘要： Verfahren zum Herstellen eines Einkristalls aus Silicium, umfassend: den Einbau eines Vorratsstabes aus Silicium in eine Vorrichtung zum Zonen-ziehen, wobei der Vorratsstab einen Durchmesser von nicht weniger als 230 mm und nicht mehr als 270 mm aufweist, den Einbau eines ersten Hohlzylinders mit einer Unterkante und einem Innen-durchmesser, der um nicht weniger als 30 mm und nicht mehr als 50 mm größer ist als der Durchmesser des Vorratsstabs, den Einbau eines zweiten Hohlzylinders mit einer Oberkante und einem Innen-durchmesser, der um nicht weniger als 20 mm und nicht mehr als 60 mm größer und ist als der Zieldurchmesser des Einkristalls, Ziehen eines zylindrischen Teiles des Einkristalls, der einen Zieldurchmesser von nicht weniger als 290 mm und nicht mehr als 310 mm aufweist, wobei der Vorratsstab an der Abschmelzfront eine äußere Abschmelzkante bildet und der monokristalline Stab an der Wachstumsseite eine Kristallisations-kante bildet, wobei die Ziehgeschwindigkeit nicht weniger als 1,3 mm/min und nicht mehr als 1,5 mm/min, bevorzugt nicht weniger als 1,35 mm/min und nicht mehr als 1,45 mm/min beträgt, wobei der vertikale Abstand der Unterkante des ersten Hohlzylinders von der äußeren Abschmelzkante kleiner ist als 2 mm und die Oberkante des zweiten Zylinders nicht weniger als 1 mm und nicht mehr als 10 mm über der Kristallisationskante hinausragt.

5. 发明公开

EP2607525A1 Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Einkristalls 有权
公开(公告)号：EP2607525A1
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：EP12196076.9
申请日：2012-12-07
申请人： Siltronic AG
发明人： Raming, Georg, Dr. , Altmannshofer, Ludwig , Ratnieks, Gundars , Landrichinger, Johann , Lobmeyer, Josef , Holzinger, Alfred
IPC分类号： C30B13/04 , C30B13/20 , C30B13/24 , C30B13/30
CPC分类号： C30B13/20 , C30B13/30 , C30B29/06 , Y10T117/1088
摘要： Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Einkristalls durch Zonenziehen, wobei der Einkristall mit Unterstützung einer Induktionsheizspule unter einer Schmelzenzone an einer Kristallisationsgrenze kristallisiert, und das Abstrahlen von Kristallisationswärme durch einen den Einkristall umgebenden Reflektor behindert wird, dadurch gekennzeichnet, dass der Einkristall im Bereich eines äußeren Rands der Kristallisationsgrenze mittels einer Heizeinrichtung in einer ersten Zone erhitzt wird, wobei ein Abstand Δ zwischen einem äußeren Tripelpunkt T a am äußeren Rand der Kristallisationsgrenze und einem Zentrum Z der Kristallisationsgrenze beeinflusst wird.
摘要翻译：通过区域浮动生产单晶（1）包括在结晶边界（2）的熔融区域下使用感应加热线圈使单晶结晶，从而阻碍围绕单晶的反射器的结晶热的发射。使用加热装置（6）在第一区域中在结晶边界的外边缘的区域中加热单晶，在该区域期间，结晶边界的外边缘处的外三重点与中心结晶边界受到影响。还包括用于通过区域浮动制造单晶的装置的独立权利要求，包括围绕单晶的反射器和用于加热单晶的加热装置。

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