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1. 发明公开

EP0064716A2 Triac und Verfahren zu seinem Betrieb 有权
标题翻译： Triac und Verfahren zu seinem Betrieb。
公开(公告)号：EP0064716A2
公开(公告)日：1982-11-17
申请号：EP82103779.3
申请日：1982-05-03
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
发明人： Stoisiek, Michael, Dr. Dipl.-Phys.
IPC分类号： H01L29/747
CPC分类号： H01L29/747
摘要： Die Erfindung bezieht sich auf ein Triac mit einem zwischen zwei Elektroden (E11 bis E14, E2) angeordneten Mehrschichten-Halbleiterkörper, bei dem am n-Emitter (4) des ersten und am p-Emitter (1b) des zweiten Thyristors im Grenzbereich beider Thyristoren gategesteuerte MIS-Strukturen (M1) vorgesehen sind, die steuerbare Emitter-Kurzschlußpfade enthalten. Eine einfache und leicht herzustellende Ausführungsform eines solchen Thyristors wird dadurch erreicht, daß jede MIS-Struktur (M1) ein im Abstand zu einem n(p)-Emitter (4) in die p(n)-Basisschicht (1a) eingefügtes n(p)-Kurzschlußgebiet (10) aufweist, das über eine leitende Belegung (14) mit der p(n)-Basisschicht (1a) verbunden ist. Das Anwendungsgebiet des Triacs liegt in der Leistungshalbleitertechnik.
摘要翻译： 1.一种具有布置在两个电极（E11，E12，E13，E14; E2）之间的多层半导体本体的三端双向可控硅，其中第一层形成第一晶闸管的p基极层（1a）和p型发射极 1b）的第二晶闸管，第二层（2）形成两个晶闸管的n基层（2a，2b），并且第三层（3）形成第一晶闸管的p发射极（3a），并且第二晶闸管的p基极层（3b），其中第一晶闸管的n发射极（4）插入第一层，第二晶闸管的n发射极（5）插入第三层（3 ）并连接到各个电极（E11，E12，E13，E14; E2），其中包含可控发射极短路路径的门控MIS结构（M1，M3）布置在n发射极（4）的两个晶闸管之间的边界区域中的第二晶闸管的第一晶闸管和p发射极（1b），其中可控发射极短路路径各自包括第一半导体区域o fa第一导电类型，其连接到与相关联的发射极（4,1b）接触的电极（E12，E13）;第一导电类型的第二半导体区（10,21），其连接到基极层（1a， 2b和第二导电类型的半导体区域（11,22），其布置在这些区域之间并被相对于半导体电绝缘的栅电极（13,24）覆盖，并且其中所述第一半导体区域由所述n（p） - 发射体（4,1b）的边缘区域组成，所述第二半导体区域由（p）导电短路区域（10,21）组成，所述短路区域插入相邻的p（n） - 基底层（1a，2b）中并且通过导电涂层（14,25）连接到p（n） - 基底层（1a，2b），并且被覆盖的半导体区域由栅电极（13,24）由p（n） - 基层（1a，2b）的辅助区域（11,22）组成。

2. 发明授权

EP0064716B1 Triac und Verfahren zu seinem Betrieb 有权
标题翻译：三叉树及其操作过程
公开(公告)号：EP0064716B1
公开(公告)日：1987-08-26
申请号：EP82103779.3
申请日：1982-05-03
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
发明人： Stoisiek, Michael, Dr. Dipl.-Phys.
IPC分类号： H01L29/747
CPC分类号： H01L29/747

3. 发明公开

EP0180003A3 Bipolar power transistor 失效
标题翻译：双极功率晶体管
公开(公告)号：EP0180003A3
公开(公告)日：1988-01-13
申请号：EP85110971
申请日：1985-08-30
申请人： Siemens Aktiengesellschaft
发明人： Stoisiek, Michael, Dr. Dipl.-Phys.
IPC分类号： H01L29/08 , H01L29/72
CPC分类号： H01L29/7302 , H01L29/0692
摘要： Bipolarer vertikaler Leistungstransistor mit einem parallel zur Basis-Emitterstrecke liegenden Schaltungs teil zur Beeinflussung des Abschaltverhaltens, bei dem ein mit einem Kollektorkontakt (7) versehener Halblei terkörper (1) eines ersten Leitfähigkeitstyps eine die Basis darstellende, mit einem Basiskontakt (4) versehene Zone (3) des zweiten Leitfähigkeitstyps enthält und bei dem in die Zone (3) wenigstens ein Emittergebiet (5) des ersten Leitfähigkeitstyps eingefügt ist, das mit einem Emitterkontakt (6) versehen ist. Angestrebt wird eine schnelle Abschaltung des Leistungstransistors bei lei stungsloser Ansteuerung. Erreicht wird das durch einen in den Halbleiterkörper monolithisch integrierten Feldeffekttransistor (T1), bestehend aus einem in die Zone (3) eingefügten Sourcegebiet des ersten Leitfähig keitstyps, aus einem durch den Rand des Emittergebiets (5) gebildeten Draingebiet und aus dem Teil der Zone (3), der zwischen dem Emittergebiet (5) und dem Source gebiet (8) liegt und durch eine Gateelektrode (10) über deckt wird. Die Gateelektrode (10) ist mit einem Steuer eingang (11) für eine die Abschaltung bewirkende Steuer spannung (U
a ) verbunden. Der Anwendungsbereich umfaßt bipolare Leistungshalbleiter.

4. 发明公开

EP0180003A2 Bipolarer Leistungstransistor 失效
标题翻译： Bipolarer Leistung晶体管。
公开(公告)号：EP0180003A2
公开(公告)日：1986-05-07
申请号：EP85110971.0
申请日：1985-08-30
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
发明人： Stoisiek, Michael, Dr. Dipl.-Phys.
IPC分类号： H01L29/08 , H01L29/72
CPC分类号： H01L29/7302 , H01L29/0692
摘要： Bipolarer vertikaler Leistungstransistor mit einem parallel zur Basis-Emitterstrecke liegenden Schaltungsteil zur Beeinflussung des Abschaltverhaltens, bei dem ein mit einem Kollektorkontakt (7) versehener Halbleiterkörper (1) eines ersten Leitfähigkeitstyps eine die Basis darstellende, mit einem Basiskontakt (4) versehene Zone (3) des zweiten Leitfähigkeitstyps enthält und bei dem in die Zone (3) wenigstens ein Emittergebiet (5) des ersten Leitfähigkeitstyps eingefügt ist, das mit einem Emitterkontakt (6) versehen ist Angestrebt wird eine schnelle Abschaltung des Leistungstransistors bei leistungsloser Ansteuerung. Erreicht wird das durch einen in den Halbleiterkörper monolithisch integrierten Feldeffekttransistor (T1), bestehend aus einem in die Zone (3) eingefügten Sourcegebiet des ersten Leitfähigkeitstyps, aus einem durch den Rand des Emittergebiets (5) gebildeten Draingebiet und aus dem Teil der Zone (3), der zwischen dem Emittergebiet (5) und dem Sourcegebiet (8) liegt und durch eine Gateelektrode (10) überdeckt wird. Die Gateelektrode (10) ist mit einem Steuereingang (11) für eine die Abschaltung bewirkende Steuerspannung (U a ) verbunden. Der Anwendungsbereich umfaßt bipolare Leistungshalbleiter.
摘要翻译：具有电路部分的垂直双极功率晶体管，其具有用于修改与基极 - 发射极并联的关断特性，其中设置有集电极触点（7）的第一导电类型的半导体主体（1）包含区域 3）表示基座并设置有基极触点（4），并且其中具有发射极触点（6）的至少一个具有发射极触点（6）的第一导电类型的发射极区域（5）插入该区域（3）。目的是通过无电源驱动器快速关断功率晶体管。这通过单体集成在半导体本体中并由插入到区域（3）中的第一导电类型的源极区域构成的场效应晶体管（T1）来实现，漏区域由发射极区域的边缘 5）和位于发射极区域（5）和源极区域（8）之间并由栅电极（10）覆盖的区域（3）的部分。栅电极（10）连接到用于实现关断的控制电压（Ua）的控制输入端（11）。应用领域包括双极功率半导体。

5. 发明公开

EP0075719A3 Thyristor having a controllable shorted emitter structure and a simplified ignition 有权
标题翻译：具有可控制的短路发射器结构和简单点火的THYRISTOR
公开(公告)号：EP0075719A3
公开(公告)日：1984-06-13
申请号：EP82107549
申请日：1982-08-18
申请人： Siemens Aktiengesellschaft
发明人： Stoisiek, Michael, Dr. Dipl.-Phys.
IPC分类号： H01L29/743 , H01L29/08
CPC分类号： H01L29/7428 , H01L29/7404 , H01L29/7412 , H01L29/742

6. 发明公开

EP0176771A3 Bipolar power transistor with a variable breakdown voltage 失效
标题翻译：双极功率晶体管，具有可变的断电电压
公开(公告)号：EP0176771A3
公开(公告)日：1988-01-13
申请号：EP85110888
申请日：1985-08-29
申请人： Siemens Aktiengesellschaft
发明人： Stoisiek, Michael, Dr. Dipl.-Phys.
IPC分类号： H01L29/08 , H01L29/72
CPC分类号： H01L29/7302
摘要： Bipolarer vertikaler Leistungstransistor mit einem parallel zur Basis-Emitterstrecke liegenden Schaltungs teil zur Veränderung der Durchbruchspannung im gesperr ten Zustand, bei dem ein mit einem Kollektorkontakt (7) versehener Halbleiterkörper (1) eines ersten Leitfähig keitstyps eine die Basis darstellende, mit einem Basis kontakt (4) versehene Zone (3) des zweiten Leitfähig keitstyps enthält, und bei dem in die Zone (3) wenig stens ein Emittergebiet (5) des ersten Leitfähigkeits typs eingefügt ist, das mit einem Emitterkontakt (6) versehen ist. Angestrebt wird die Umschaltung des Lei stungstransistors im gesperrten Zustand von einer Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung U
CEO , die bei unbeschalteter Basis vorhanden ist, auf eine wesent lich höhere Durchbruchspannung. Erreicht wird das durch einen in den Halbleiterkörper monolithisch integrier ten Feldeffekttransistor (T1), bestehend aus einem in die Zone (3) eingefügten Sourcegebiet des ersten Leit fähigkeitstyps, aus einem durch den Rand des Emitterge biets (5) gebildeten Draingebiet und aus dem Teil der Zone (3), der zwischen dem Emittergebiet (5) und dem Sourcegebiet (8) liegt und durch eine Gateelektrode (10) überdeckt wird. Die Gateelektrode (10) ist mit einem Steuereingang (11) für eine die Durchbruchspannung be stimmende Steuerspannung (U₁) verbunden. Der Anwendungs bereich umfaßt bipolare Leistungshalbleiter.

7. 发明授权

EP0075719B1 Thyristor mit steuerbaren Emitter-Kurzschlüssen und Zündverstärkung 有权
标题翻译：具有可控制的短路发射极结构和简单点火的THYRISTOR
公开(公告)号：EP0075719B1
公开(公告)日：1986-12-10
申请号：EP82107549.6
申请日：1982-08-18
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
发明人： Stoisiek, Michael, Dr. Dipl.-Phys.
IPC分类号： H01L29/743 , H01L29/08
CPC分类号： H01L29/7428 , H01L29/7404 , H01L29/7412 , H01L29/742

8. 发明公开

EP0176771A2 Bipolarer Leistungstransistor mit veränderbarer Durchbruchspannung 失效
标题翻译： Bipolarer Leistungstransistor mitveränderbarerDurchbruchspannung。
公开(公告)号：EP0176771A2
公开(公告)日：1986-04-09
申请号：EP85110888.6
申请日：1985-08-29
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
发明人： Stoisiek, Michael, Dr. Dipl.-Phys.
IPC分类号： H01L29/08 , H01L29/72
CPC分类号： H01L29/7302
摘要： Bipolarer vertikaler Leistungstransistor mit einem parallel zur Basis-Emitterstrecke liegenden Schaltungsteil zur Veränderung der Durchbruchspannung im gesperrten Zustand, bei dem ein mit einem Kollektorkontakt (7) versehener Halbleiterkörper (1) eines ersten Leitfähigkeitstyps eine die Basis darstellende, mit einem Basiskontakt (4) versehene Zone (3) des zweiten Leitfähigkeitstyps enthält, und bei dem in die Zone (3) wenigstens ein Emittergebiet (5) des ersten Leitfähigkeitstyps eingefügt ist, das mit einem Emitterkontakt (6) versehen ist. Angestrebt wird die Umschaltung des Leistungstransistors im gesperrten Zustand von einer Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung U CEO , die bei unbeschalteter Basis vorhanden ist, auf eine wesentlich höhere Durchbruchspannung. Erreicht wird das durch einen in den Halbleiterkörper monolithisch integrierten Feldeffekttransistor (T1), bestehend aus einem in die Zone (3) eingefügten Sourcegebiet des ersten Leitfähigkeitstyps, aus einem durch den Rand des Emittergebiets (5) gebildeten Draingebiet und aus dem Teil der Zone (3), der zwischen dem Emittergebiet (5) und dem Sourcegebiet (8) liegt und durch eine Gateelektrode (10) überdeckt wird. Die Gateelektrode (10) ist mit einem Steuereingang (11) für eine die Durchbruchspannung bestimmende Steuerspannung (U,) verbunden. Der Anwendungsbereich umfaßt bipolare Leistungshalbleiter.
摘要翻译：双极垂直功率晶体管具有与基极 - 发射极结平行的电路部分，用于改变非导通状态下的击穿电压。在晶体管中，设置有第一导电类型的集电极触点（7）的半导体本体（1）包含表示基座的第二导电类型的区域（3），并具有基极触点（4），并且至少一个第一导电类型的发射极区域（5）被插入区域（3）中并且设置有发射极触点（6）。目的是将处于非导通状态的功率晶体管从施加有断开的基极的集电极 - 发射极击穿电压UCEO切换到更高的击穿电压。这通过场效应晶体管（T1）来实现，该场效应晶体管（T1）单片地集成到半导体本体中，并且由插入到区域（3）中的第一导电类型的源极区域，由发射极的边缘形成的漏极区域区域（5）和区域（3）的位于发射极区域（5）和源极区域（8）之间并被栅电极（10）覆盖的部分的区域（5）。栅电极（10）连接到用于确定击穿电压的控制电压（U1）的控制输入端（11）。应用领域包括双极功率半导体。

9. 发明公开

EP0075719A2 Thyristor mit steuerbaren Emitter-Kurzschlüssen und Zündverstärkung 有权
标题翻译：具有可控的发射极短路和Zündverstärkung晶闸管。
公开(公告)号：EP0075719A2
公开(公告)日：1983-04-06
申请号：EP82107549.6
申请日：1982-08-18
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
发明人： Stoisiek, Michael, Dr. Dipl.-Phys.
IPC分类号： H01L29/743 , H01L29/08
CPC分类号： H01L29/7428 , H01L29/7404 , H01L29/7412 , H01L29/742
摘要： Die Erfindung bezieht sich auf einen Thyristor mit steuerbaren Emitter-Kurzschlüssen, die über MIS-Transistoren (S1, G1, D1) im blockierenden Zustand des Thyristors wirksam und während des Zündvorgangs unwirksam geschaltet werden. Angestrebt wird, die Zündung des Thyristors einschließlich der hierzu erforderlichen Steuerung der Emitter-Kurzschlüsse (SK) in einfacher Weise von einem Zündstromimpuls (Z2) abzuleiten. Zu diesem Zweck ist erfindungsgemäß der Kathodenseite des Thyristors ein npn-Lateraltransistor integriert, dessen Kollektor (12) mit den Gates (G1) der MIS-Transistoren verbunden ist, während seine Basis aus einem Teilbereich der p-Basis (3) und sein Emitter aus einem Randbereich des n-Emitters (2a) des Thyristors bestehen. Die Gates (G1) der MIS-Transistoren sind über einen Ladewiderstand (R) mit der Anode (9) des Thyristors verbunden. Der Anwendungsbereich umfaßt Leistungsthyristoren.
摘要翻译：本发明涉及一种具有可控的发射极短路，其MIS晶体管（S1，G1，D1）是有效的晶闸管的阻断状态，并在所述点火过程变得无效晶闸管。其目的是点燃晶闸管包括由点火电流（Z2）导出所需的这种控制以简单的方式在发射极短路（SK）的。为了这个目的，根据本发明的半导体闸流管的阴极侧集成的npn横向晶体管，其集电极（12）的栅极（G1）被连接到MIS晶体管，而从p型基极（3）的一部分和的发射极其基的n发射极（2a）的边缘区域由所述晶闸管。的MIS晶体管的栅极（G1）经由充电电阻（R）连接到闸流管的阳极（9）相连接。范围包括功率晶闸管。

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