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1. 发明公开

EP0981155A3 Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-Isolationsschicht und eines diese Halbleiter-Isolationsschicht enthaltenden Halbleiterbauelements 审中-公开
标题翻译：用于制造半导体的绝缘层和半导体，含有该绝缘层的半导体器件的方法
公开(公告)号：EP0981155A3
公开(公告)日：2000-03-22
申请号：EP99115543.3
申请日：1999-08-03
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
发明人： Müller, Karlheinz
IPC分类号： H01L21/266 , H01L21/28 , H01L21/8238
CPC分类号： H01L21/76804 , H01L21/266 , H01L21/28123 , H01L21/76807 , H01L21/823878 , Y10S438/978
摘要： Die vorliegende Erfindung schafft ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-Isolationsschicht mit den Schritten Bereitstellen eines Halbleitersubstrats (10); bereichsweises oder ganzflächiges Aufbringen einer Isolationsschicht (20) auf das Halbleitersubstrat (10); selektives Implantieren (I) von Verunreinigungen in mindestens ein vorbestimmtes Gebiet (40; 40') der Isolationsschicht; und selektives Ätzen der Isolationsschicht (20), wodurch eine Strukturierung der Isolationsschicht (20) entsprechend dem oder den Gebieten (40; 40') der selektiv implantierten Verunreinigungsionen erzeugt wird. Ebenso schafft die vorliegende Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines diese Halbleiter-Isolationsschicht enthaltenden Halbleiterbauelements.

2. 发明公开

EP0844652A1 Integrierbarer Kondensator Verfahren zu seiner Herstellung sowie Speicherfeld unter Verwendung des Kondensators 失效
标题翻译：其生产积电容器的工艺，以及使用该电容器的存储器阵列
公开(公告)号：EP0844652A1
公开(公告)日：1998-05-27
申请号：EP97118283.7
申请日：1997-10-21
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
发明人： Müller, Karlheinz
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L29/92 , H01L21/321
CPC分类号： H01L27/1085 , H01L28/40
摘要： Ein Kondensator für eine integrierte Schaltung in Mikrostruktur weist eine erste (1) und eine zweite Elektrode (4) auf, die durch eine dielektrische Schicht (3) getrennt sind. Die dielektrische Schicht (3) wird während des Strukturierens der ersten Elektroden (1) mit einem Ätzverfahren gezielt hergestellt. Die dielektrische Schicht besteht aus einer während des Ätzens gebildeten polymeren Struktur und/oder Ätzprodukten des Elektrodenmetalls. Die erste Elektrode wird vorteilhafterweise zylinderförmig ausgeführt und von der dielektrischen Schicht (3) in Hohlzylinderform umgeben. Die Erfindung betrifft weiterhin ein Verfahren zur Herstellung des Kondensators und ein Speicherfeld, welches mehrere solcher Kondensatoren umfasst.
摘要翻译：该电容器具有通过蚀刻金属层制成的第一电极（1）。因此，它具有的第二电极（4）。介电层（3）的第一个（1）和第二（4）电极之间。该介电层（3）包括通过蚀刻金属的金属层和/或蚀刻产物形成的聚合物结构。该介电层（3）可以通过化学或物理 - 化学干蚀刻ESP制成。血浆蚀刻。制造电容器的方法，包括将金属层施加到基底结构。金属层然后蚀刻以形成第一电极（1）。从蚀刻所述电介质层（3）形成。所述第二电极（4）然后施加检查做的第一电极和第二电极被电介质层（3）分离。

3. 发明公开

EP0766306A1 Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von mikroelektronischen Schaltungen in SOI 失效
标题翻译：伊斯兰法兰西斯赫尔·赫斯特伦·埃内尔·冯·米克勒
公开(公告)号：EP0766306A1
公开(公告)日：1997-04-02
申请号：EP96114617.2
申请日：1996-09-11
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
发明人： Müller, Karlheinz
IPC分类号： H01L21/84 , H01L27/12
CPC分类号： H01L29/66265 , H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L29/41783 , H01L29/66772
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von mikroelektronischen Schaltungen auf SOI, bei dem durch einen standardisierten Prozeß auf besonders einfache Weise beispielsweise n-CMOS- oder p-CMOS-Transistoren, NPN-Transistoren oder PNP-Transistoren hergestellt werden können. Dazu ist lediglich eine Anpassung der durchgeführten Implantationen nötig.
摘要翻译： Prodn。在SOI上的许多微电子电路，尤其是。的CMOS晶体管和/或双极晶体管，包括（a）在绝缘体材料中限定许多有源区（1）; （b）在活性区中注入n或p阱（2）; （c）产生栅极氧化物（3）并限定在有源区（1）的部分区域中; （d）沉积多晶硅层（4）; （e）n +或p +掺杂阱上方多晶硅的面积; （f）蚀刻多晶硅层以限定活性区（16）; （g）氧化。以在多晶硅层和暴露的活性区（16）上产生氧化物层（7）; （h）进行p <或> n>植入; （i）通过加热将注入的掺杂剂扩散到井区（18,19）中; （j）沉积氧化物层（10）; 和（k）提供接触。步骤（b），（e）和（h）取决于要生产的结构类型。

4. 发明公开

EP0981155A2 Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-Isolationsschicht und eines diese Halbleiter-Isolationsschicht enthaltenden Halbleiterbauelements 审中-公开
标题翻译：用于制造半导体的绝缘层和半导体，含有该绝缘层的半导体器件的方法
公开(公告)号：EP0981155A2
公开(公告)日：2000-02-23
申请号：EP99115543.3
申请日：1999-08-03
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
发明人： Müller, Karlheinz
IPC分类号： H01L21/266 , H01L21/28 , H01L21/8238
CPC分类号： H01L21/76804 , H01L21/266 , H01L21/28123 , H01L21/76807 , H01L21/823878 , Y10S438/978
摘要： Die vorliegende Erfindung schafft ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-Isolationsschicht mit den Schritten Bereitstellen eines Halbleitersubstrats (10); bereichsweises oder ganzflächiges Aufbringen einer Isolationaschicht (20) auf das Halbleitersubstrat (10); selektives Implantieren (I) von Verunreinigungen in mindestens ein vorbestimmtes Gebiet (40; 40') der Isolationsschicht; und selektives Ätzen der Isolationsschicht (20), wodurch eine Strukturierung der Isolationsschicht (20) entsprechend dem oder den Gebieten (40; 40') der selektiv implantierten Verunreinigungsionen erzeugt wird. Ebenso schafft die vorliegende Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines diese Halbleiter-Isolationsschicht enthaltenden Halbleiterbauelements.
摘要翻译：半导体绝缘层的制造包括制备的半导体衬底（10），施加在基片上的绝缘层（20）上，有选择地将杂质注入到层的所需区域（40），以及选择性地蚀刻产生对应于一个结构的层所述选择性地注入杂质离子的区域（40）。

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