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    • 2. 发明公开
    • OPTICAL CVD PROCESS
    • OPTISCHES CVD-VERFAHREN。
    • EP0298126A1
    • 1989-01-11
    • EP88900591.4
    • 1987-12-25
    • KAWASAKI STEEL CORPORATION
    • OHTA, TomohiroSASAKI, HiroakiMITOMO, TohruKUBOTA, Naoki
    • C23C16/48
    • C23C16/483H01L21/268
    • In order to solve the technical problems such as an increase in a film formation speed in an optical CVD process, an improvement in film quality and elimination of restrictions imposed to a light source and a starting gas, the present invention provides an optical CVD process which can be applied particularly advantageously to the fabrication of semiconductors by conjoint use of a pulsating laser beam and continuous light, by application of a plurality of laser beams for applying a second pulsating laser beam to between pulses of a first pulse train and by introduction of an additional gas into a reaction vessel besides the starting gas in order to promote photo decomposition of the starting gas.
    • 光学CVD(化学气相沉积)工艺提高了成膜速度和薄膜质量。 将底板放置在引入起始气体的反应容器中。 起始气体包括气体 膜的成分形成在基板上。 起始气体通过用脉冲激光束照射分解。 产生的光分解活性气体物质布置在基板上以形成膜。 连续光也用于照射起始气体,并且可以用于照射底板以及所生产的膜层。 梁是可见的。 从一个或两个激光器。 如果使用两个激光器,则它们产生具有不同相位的脉冲串。 可以向起始气体中加入另外的气体以促进起始气体的光分解。 该附加气体吸收波长185nm以上的光。 起始气体被规定为含有至少一种烃类气体,含氧气体。 或卤化烃或硅烷。 额外的气体被规定为含有至少一种类型的卤素,卤素或氧分子的气体。