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1. 发明公开

EP0032174A1 Verfahren zum Dotieren von Siliciumkörpern durch Eindiffundieren von Bor und Anwendung dieses Verfahrens zum Herstellen von Basiszonen bipolarer Transistoren 失效
标题翻译：通过硼的这种方法对于双极型晶体管的基极区域的制造中的扩散，以及应用掺杂硅体的方法。
公开(公告)号：EP0032174A1
公开(公告)日：1981-07-22
申请号：EP80107034.3
申请日：1980-11-14
申请人： IBM DEUTSCHLAND GMBH , International Business Machines Corporation
发明人： Briska, Marian , Metzger, Gert , Thiel, Klaus Peter
IPC分类号： H01L21/223 , H01L21/31 , C30B31/02
CPC分类号： C30B31/02 , H01L21/223 , H01L21/31111
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Dotieren von Siliciumkörpern durch Eindiffundieren von Bor.
Gemäß der Erfindung wird das in einem ersten Wärmeprozeß durch Überleiten eines eine festgelegte Bormenge und Bor und Sauerstoff in einem festgelegten Mengenverhältnis enthaltenden Gasgemisches über Siliciumkörper entstandene Borsilicatglas (7, 9) in einem Ätzzyklus, bei dem eine im Verhältnis 1:10 mit Wasser verdünnte Flußsäure, anschließend eine wässrige schwefelsaure KMn0 4 -Lösung und gegebenenfalls eine im Verhältnis 1:10 mit Wasser verdünnte Flußsäure angwendet werden, bei Zimmertemperatur vollständig abgelöst. In Gegenwart der S1B 6 -Schicht (8), die in dem zuvor angegebenen Ätzzyklus nicht angegriffen wird, wird Bor in einem zweiten Wärmeprozeß in das Silicium hineingetrieben. Der zweite Wärmeprozeß kann je nach dem gewünschten Schichtwiderstandswert (RS) und der Eindringtiefe (xj) in oxidierender oder inerter Atmosphäre erfolgen.
Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren können sehr homogene und gut reproduzierbare Diffusionsergebnisse innerhalb sehr enger Toleranzen erhalten werden.
摘要翻译：本发明涉及掺杂硅体的方法通过硼的扩散。按照本发明，所得到的在第一加热处理通过使在硼和硼和氧的预定量在预定的量的比例混合气在硅本体硼硅酸盐玻璃（7,9）在一蚀刻循环，其中一个与水氢氟酸稀释1:10，随后含水硫酸高锰酸钾溶液和任选的稀1:10与水氢氟酸angwendet，在室温下完全分离。在S1B6层（8），其未在上述的蚀刻循环攻击的存在，硼被驱动到在所述硅的第二热处理。所述第二热工艺可（RS）和穿透（XJ）的深度取决于所期望的薄层电阻发生在氧化或惰性气氛中。利用本发明的方法非常均匀和可再现的扩散结果可以非常窄的公差范围内来获得。

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