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    • 3. 发明公开
    • Verfahren zur Dotierung von Halbleiterbauelementen mittels Ionenimplantation
    • 过程用于半导体器件的通过离子注入掺杂。
    • EP0048288A1
    • 1982-03-31
    • EP80105614.4
    • 1980-09-19
    • IBM DEUTSCHLAND GMBHInternational Business Machines Corporation
    • Hinkel, Holger, Dr.Kempf, Jürgen, Dr.Kraus, GeorgSchmid, Gerhard, Dr.
    • H01L21/265
    • H01L21/02238H01L21/02255H01L21/26513H01L21/2652H01L21/31662
    • Die Implantation der Fremdionen in den Siliciumwafer, beispielsweise zur Herstellung eines Subcollectors oder eines Emitters, wird nicht wie bisher durch eine vor der Implantation mittels thermischer Oxidation aufgebrachte, dünne Schutzschicht aus Siliciumdioxid in einer Ultrahochvakuumatmosphäre vorgenommen, sondern die Fremdionen werden direkt in den blanken Siliciumwafer implantiert. Diese Implantation wird in einer Atmosphäre erhöhten Sauerstoffpartialdrucks durchgeführt. In die durch die implantierten Fremdionen erzeugten Leerstellen in der Nähe der Oberfläche des Siliciumwafers findet eine beschleunigte Diffusion des an der Oberfläche adsorptiv festgehaltenen Sauerstoffs statt. Auf diese Werse bildet sich bereits während des Anfangsstadiums der lonemmplantation eine Siliciumdioxidschutzschicht auf dem Wafer.
      Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren kann em Prozeßschritt, nämlich die Herstellung der Schutzschicht durch thermische Oxidation von der Ionenimplantation eingespart werden.
    • 杂质的注入离子注入到硅晶片,例如,用于生产Subcollectors或发射极不先前由植入之前通过热0xidation来施加,在超高真空气氛中由二氧化硅制成的薄保护层,但是外来离子被直接注入到裸硅晶片 , 该注入在氧增加分压的气氛中进行。 在那些由注入的杂质离子空位的硅晶片的表面附近产生的吸附地保持的氧的表面上的加速扩散发生。 以这种方式,在晶片上一个Siliciumdioxidschutzschicht期间的离子注入形式已在初始阶段。 本发明的方法,处理步骤,即用离子注入的热氧化制备的保护层的可被保存。
    • 5. 发明公开
    • Magnetplatte und Verfahren zu ihrer Herstellung
    • 磁盘和它们的制备方法。
    • EP0179934A1
    • 1986-05-07
    • EP84113055.2
    • 1984-10-31
    • IBM DEUTSCHLAND GMBHInternational Business Machines Corporation
    • Briska, MarianElsner, Gerhard, Dr.Hinkel, Holger, Dr.
    • G11B5/708G11B5/704G11B5/855
    • G11B5/7305G11B5/708G11B5/855Y10S428/90Y10T428/24521
    • In der Magnetplatte, welche eine Magnetschicht, bestehend aus einem Bindemittel, magnetischen Teilchen und einem abriebfesten Material auf einem Siliciumsubstrat (1) aufweist, hat das abriebfeste Material die Form von Erhebungen (3,13,23), welche über die Oberfläche des Siliciumsubstrats (1) hinausragen, mit diesen verbunden sind, eine festgelegte gleichmäßige Verteilung auf der Substratoberfläche haben und deren Oberfläche mit der Oberfläche einer Schicht (5), welche aus dem Bindemittel und den magnetischen Teilchen besteht, coplanar ist. Hergestellt wird die Magnetplatte, indem auf dem Substrat (1) die Erhebungen (3, 13, 23) in einer festgelegten, regelmäßigen Verteilung entweder, nachdem die Oberfläche des Substrats (1) ganzflächig dotiert und/oder mit einer Schicht (2, 8, 11), welche als Hauptbestandteil Aluminium enthält, versehen worden ist, durch Tempern und gegebenenfalls Oxidieren, oder nachdem die Oberfläche des Substrats (1) selektiv dotiert worden ist, durch Wegätzen der dabei nicht dotierten Bereiche der Oberfläche des Substrats (1) erzeugt werden, daß dann die Schicht (5) aus dem Bindemittel und den magnetischen Teilchen aufgeschleudert, gehärtet und dann abgeschliffen wird, bis die Spitzen der Erhebungen (3, 13, 23) freiliegen.
    • 在磁盘具有由粘合剂,磁性颗粒和在硅衬底(1)上的耐磨材料制成的磁性层,具有耐磨材料在突出部的形式(3,13,23),其(在该硅衬底的表面 1)延伸,连接到这些,具有带有层(5)由粘合剂和磁性粒子是共面的表面的衬底表面上的预定均匀分布和表面。 产生时,磁盘通过,在基板(1),在基板(1)的表面上之后的固定,规则分布在整个区域上掺杂和/或与层(2,8,无论是凸起(3,13,23), 11),其中包含作为主要成分的铝,已经提供了,通过退火制备和任选的氧化剂,或之后的基板的表面(1)已经被选择性掺杂,通过蚀刻掉衬底(1)的表面的未掺杂区域, 其随后旋涂粘合剂和磁性颗粒的层(5),硬化,然后研磨,以暴露突起(3,13,23)的尖端。
    • 8. 发明公开
    • Verfahren zum Herstellen von Magnetkopf-Flugkörpern
    • Verfahren zum Herstellen von Magnetkopf-Flugkörpern。
    • EP0137051A1
    • 1985-04-17
    • EP83108126.0
    • 1983-08-17
    • IBM DEUTSCHLAND GMBHInternational Business Machines Corporation
    • Hinkel, Holger, Dr.Kaus, Gerhard, Dr.Künzel, Ulrich, Dr.Schmid, Gerhard, Dr.
    • G11B5/60G11B5/127
    • G11B5/1871G11B5/102G11B5/3103G11B5/3163G11B5/6005Y10T29/49041Y10T29/49044
    • Zum Herstellen von Gleitkufen (11) in Werkstücken für Magnetkopf-Flugkörper für Abfühleinrichtungen von magnetisierbaren Medien wird anodisches Oxidieren von Reinstaluminium-Substraten angewendet. Hierzu wird die jeweils betreffende Oberfläche der Substrate mit einer Maskenabdeckung (3) versehen, die die für die Bildung der Gleitkufen (11) vorgesehenen Zonen im Substratoberflächenbereich freiläßt. Durch anodisches Oxidieren des Aluminiums in den freiliegenden Zonen entstehen Gleitkufenachichtbereiche aus Oxid (10), die nach Abtragen der Maskenabdeckung (3) ihrerseits als Ätzmaske herangezogen werden, um hierzwischen eine Grube (9) zwischen je zwei Gleitkufen (11) durch chemisches Naßätzen einzubringen.
    • 1.一种制造用于磁动力储存器的磁头滑块的方法,从平坦的工件(1)开始,其中同时制成配备有轨道(11)和磁头(12)的几个磁头滑块,第一纵向表面 (L1)相对应于其垂直于工件(1)的长度的尺寸与磁头滑块的长度(L)相对应的第二纵向表面(L2)和与第一纵向工件表面(L1 ),并配备有磁头(12),其磁场线入口和出口表面与第一纵向工件表面齐平,以及其导电焊盘(13)的尺寸对应于其长度与高度(H ),首先,通过掩模处理,在两对磁头(12)之间,在磁头滑块(L)的长度(L)方向上延伸的凹陷区域(9) r由第一纵向工件表面制成,使得在前侧出现磁头(12)装备的轨道(11),所述轨道的高度取决于可以用磁头滑块达到的飞行高度, 随后通过研磨给出轨道表面具有预定的峰谷高度,并且因此最终磁头滑块在工件(1)之外被个性化,其特征在于,在表面区域(8)上提供 在高度纯铝工件(1)的第一纵向表面上的导轨(11)上,其磁头(12)在相应的Al 2 O 3层的第二纵向表面上绝缘,并且具有焊盘(13),8%的草酸 通过相应的掩模罩(3)在不低于50℃的温度下作用,直到阳极氧化氧化铝层(10)的影响形成最大1μm的厚度,并且在 去除面罩罩(3) 至少从轨道表面区域之间的中间区域,使用氧化铝层(10)作为蚀刻掩模罩,通过湿法化学蚀刻从这些中间区域(18)蚀刻凹陷区域(9),深度为 至少10微米,同时形成轨道(11)。