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    • 2. 发明公开
    • Intergrierter Speicher mit Speicherzellen mit magnetoresistivem Speichereffekt
    • 集成具有存储器存储单元用磁阻效应存储
    • EP1193598A1
    • 2002-04-03
    • EP01114671.9
    • 2001-06-19
    • Infineon Technologies AG
    • Pöchmüller, Peter
    • G06F11/20
    • G11C11/15
    • Ein integrierter Speicher weist Speicherzellen (MC) mit magnetoresistivem Speichereffekt auf, die jeweils zwischen eine Spaltenleitung (BL0 bis BLn) und eine Zeilenleitung (WL0 bis WLm) geschaltet sind. Die Zeilenleitungen (WL2) sind mit einem Anschluß für ein Auswahlsignal (GND) verbindbar zum Auslesen eines Datensignals (DA) einer der Speicherzellen (MC3) oder Schreiben eines Datensignals (DA) in eine der Speicherzellen (MC3) über die mit der Speicherzelle (MC3) verbundene Spaltenleitung (BL2). Eine oder mehrere der nicht mit der Speicherzelle (MC3) verbundenen Spaltenleitungen (BL0, BL1, BLn) sind derart ansteuerbar, daß sie zum Auslesen oder Schreiben des Datensignals (DA) in dem Leseverstärker (3) elektrisch isoliert sind. Dadurch ist im Falle einer vorhandenen fehlerhaften Speicherzelle (MC2) ein ordnungsgemäßes Auslesen oder Schreiben des Datensignals (DA) der Speicherzelle (MC3) ermöglicht.
    • 集成存储器具有的存储单元(MC)与磁阻存储效应,每个连接的列线(BL0至BLn)和行线(WL0至WLm)之间被连接。 行线(WL2)连接到用于连接的用于读取的存储器单元(MC3)的数据信号(DA)的选择信号(GND)的端子或在存储单元(MC3)的一个写数据信号(DA)(到存储单元MC3 ),连接列线(BL2)。 一个或多个与所述存储单元(MC3)连接的列线(BL0,BL1,BL n)的非可被控制,使得它们(DA)中读出放大器(3)电绝缘用于读取或写入的数据信号。 在存储单元的数据信号(DA)的现有缺陷的存储器单元(MC2)适当的读出或写入的情况下,其特征在于(MC3)允许。