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    • 7. 发明公开
    • STRUKTURIERTE LEITERBAHNEN UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DERSELBEN
    • 结构化导线与制造方法一样。
    • EP0591312A1
    • 1994-04-13
    • EP92912982.0
    • 1992-06-23
    • FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH
    • COPETTI, CarloSCHUBERT, JürgenZANDER, WilliBUCHAL, Christoph
    • H01L21H01L23
    • H01L23/49888H01L23/53285H01L2924/0002Y10S505/701Y10S505/702Y10S505/729H01L2924/00
    • L'invention concerne des pistes conductrices structurées ainsi qu'un procédé de fabrication de ces pistes conductrices structurées à partir de couches supraconductrices à de hautes températures (couches HTSL). On applique à cet effet sur la surface d'un substrat approprié dans les zones devant porter les pistes HTSL une couche de vernis, puis on dépose en phase vapeur un dopant inhibiteur sur toute la surface du substrat, qui est ensuite enlevé à nouveau des zones de la surface du substrat devant porter les pistes supraconductrices, par enlèvement du masque de vernis de ces régions, de sorte que la couche HTSL, après son dépôt sur le substrat suivi d'un recuit, devienne un isolateur sur la surface dopée du substrat et forme la piste supraconductrice sur la surface non dopée du substrat. Afin d'éviter que les propriétés de supraconduction des structures HTSL ne soient affectées par le processus de production, une fois que la couche de vernis (3) a été appliquée sur les régions (2) de la surface du substrat devant porter les pistes supraconductives, une quantité égale du matériau dont se compose le substrat est enlevée des régions (4) non vernies du substrat, de sorte que les pistes HTSL (7) qui sont déposées sur les régions de la surface du substrat ainsi dégagées après le dépôt en phase vapeur de la couche de dopant inhibiteur (5) et l'enlèvement ultérieur du masque vernis et qui se forment par croissance épitaxiale soient isolées des régions dopées mais relativement plus hautes de la surface du substrat qui portent la couche d'isolation (6).