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1. 发明授权

EP2467514B1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG INDIUMOXID-HALTIGER SCHICHTEN 有权
标题翻译：生产含氧化铟层的方法
公开(公告)号：EP2467514B1
公开(公告)日：2017-10-25
申请号：EP10747843.0
申请日：2010-08-13
申请人： Evonik Degussa GmbH
发明人： STEIGER, Jürgen , PHAM, Duy Vu , THIEM, Heiko , MERKULOV, Alexey , HOPPE, Arne
IPC分类号： C23C18/12
CPC分类号： C23C18/1216 , C23C18/1258

2. 发明授权

EP3013837B1 FORMULIERUNGEN ZUR HERSTELLUNG INDIUMOXID-HALTIGER SCHICHTEN, VERFAHREN ZU IHRER HERSTELLUNG UND IHRE VERWENDUNG 失效转让
标题翻译：制剂用于生产铟含有层，方法的生产和使用
公开(公告)号：EP3013837B1
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：EP14721312.8
申请日：2014-04-28
申请人： Evonik Degussa GmbH
发明人： STEIGER, Jürgen , MERKULOV, Alexey , HOPPE, Arne
IPC分类号： C07F5/00 , C23C18/12 , H01L21/285 , C23C18/14 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/288 , C07F5/00 , C23C16/407 , C23C16/46 , C23C16/48 , C23C18/1216 , C23C18/14 , H01L21/02381 , H01L21/02488 , H01L21/02565 , H01L21/02623 , H01L21/02628 , H01L21/02664

3. 发明授权

EP2595998B1 INDIUMOXOALKOXIDE FÜR DIE HERSTELLUNG INDIUMOXID-HALTIGER SCHICHTEN 有权
标题翻译：用于制备含氧化铟层的肟氧化物
公开(公告)号：EP2595998B1
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：EP11738659.9
申请日：2011-07-07
申请人： Evonik Degussa GmbH
发明人： STEIGER, Jürgen , PHAM, Duy Vu , THIEM, Heiko , MERKULOV, Alexey , HOPPE, Arne
IPC分类号： C07F5/00 , C23C18/12
CPC分类号： C07F5/00 , C07F5/069 , C23C18/1216 , C23C18/1254

4. 发明公开

EP2595999A1 INDIUMOXOALKOXIDE FÜR DIE HERSTELLUNG INDIUMOXID-HALTIGER SCHICHTEN 失效转让
标题翻译：铟氧化物FÜRDIE HERSTELLUNG铟氧化物 - HALTIGER SCHICHTEN
公开(公告)号：EP2595999A1
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：EP11738673.0
申请日：2011-07-12
申请人： Evonik Degussa GmbH
发明人： STEIGER, Jürgen , PHAM, Duy Vu , THIEM, Heiko , MERKULOV, Alexey , HOPPE, Arne
IPC分类号： C07F5/00 , C23C18/12
CPC分类号： C07F5/003 , C07C31/28 , C09D1/00 , C23C18/1216
摘要： The invention relates to halogen-containing indium oxoalkoxides of the generic formula In
7 O
2 (OH)(OR)
12 X
4 (ROH)
x , where R = C1-C15-alkyl, C1-C15-alkenyl, C1-C15-alkinyl, C1-C15-alkoxyalkyl, C6-C15-aryl- or C7-C15-alkoxyaryl, X = F, Cl, Br, I and x = 0 to 10, to a method for producing same, and to the use thereof.
摘要翻译：本发明涉及通式为In 7O 2（OH）（OR）12 X 4（ROH）x的含卤素的铟氧代醇盐，其中R = C 1 -C 15烷基，C 1 -C 15链烯基，C 1 -C 15炔基， C1-C15烷氧基烷基，C6-C15芳基或C7-C15烷氧基芳基，X = F，Cl，Br，I和x = 0-10的化合物及其制备方法。

5. 发明授权

EP2347033B1 FORMULIERUNGEN ENTHALTEND EIN GEMISCH VON ZNO-CUBANEN UND SIE EINSETZENDES VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG HALBLEITENDER ZNO-SCHICHTEN 失效转让
标题翻译：配方包含ZnO立方烷的混合物，你爆发过程用于生产半CHIEF ZnO膜
公开(公告)号：EP2347033B1
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：EP09749096.5
申请日：2009-11-04
申请人： Evonik Degussa GmbH
发明人： THIEM, Heiko , STEIGER, Jürgen , MERKULOV, Alexey , PHAM, Duy Vu , AKSU, Yilmaz , SCHUTTE, Stefan , DRIESS, Matthias
IPC分类号： C23C18/12 , C07F3/06
CPC分类号： C23C18/1216 , C23C16/06 , C23C18/122 , C23C18/1233 , C23C18/1245 , C23C18/1295
摘要： The present invention relates to formulations comprising a) at least two different ZnO cubanes, of which at least one ZnO cubane is solid at SATP conditions and at least one ZnO cubane is liquid at SATP conditions, and b) at least one solvent, method for producing semiconducting ZnO layers from said formulations, the use of the formulations to produce electronic components, and the electronic components themselves.

6. 发明授权

EP2638183B1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON INDIUMOXID-HALTIGEN SCHICHTEN 有权
标题翻译：制备含氧化铟层的方法
公开(公告)号：EP2638183B1
公开(公告)日：2017-12-06
申请号：EP11779137.6
申请日：2011-10-26
申请人： Evonik Degussa GmbH
发明人： STEIGER, Jürgen , PHAM, Duy Vu , THIEM, Heiko , MERKULOV, Alexey , HOPPE, Arne
IPC分类号： C23C18/12
CPC分类号： H01L21/02628 , C23C18/1216 , H01L21/288 , H01L29/22 , H01L29/43

7. 发明授权

EP3013838B1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON INDIUMALKOXID-VERBINDUNGEN, DIE NACH DEM VERFAHREN HERSTELLBAREN INDIUMALKOXID-VERBINDUNGEN UND IHRE VERWENDUNG 失效转让
标题翻译：过程对于与过程生产醇铟化合物及其用途根据PRODUCING醇铟CONNECTIONS
公开(公告)号：EP3013838B1
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：EP14726113.5
申请日：2014-05-15
申请人： Evonik Degussa GmbH
发明人： STEIGER, Jürgen , PHAM, Duy Vu , NEUMANN, Anita , MERKULOV, Alexey , HOPPE, Arne , FRÜHLING, Dennis
IPC分类号： C07F5/00 , C23C18/12 , H01L21/285
CPC分类号： C07F5/003 , C07F5/00 , C23C18/1216 , C23C18/1291 , C23C18/14 , H01L21/288

8. 发明公开

EP3013837A1 FORMULIERUNGEN ZUR HERSTELLUNG INDIUMOXID-HALTIGER SCHICHTEN, VERFAHREN ZU IHRER HERSTELLUNG UND IHRE VERWENDUNG 失效转让
标题翻译：制剂用于生产铟含有层，方法的生产和使用
公开(公告)号：EP3013837A1
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：EP14721312.8
申请日：2014-04-28
申请人： Evonik Degussa GmbH
发明人： STEIGER, Jürgen , MERKULOV, Alexey , HOPPE, Arne
IPC分类号： C07F5/00 , C23C18/12 , H01L21/285
CPC分类号： H01L21/288 , C07F5/00 , C23C16/407 , C23C16/46 , C23C16/48 , C23C18/1216 , C23C18/14 , H01L21/02381 , H01L21/02488 , H01L21/02565 , H01L21/02623 , H01L21/02628 , H01L21/02664
摘要： The present invention relates to liquid formulations which can be obtained by dissolving at least one indium alkoxide compound in at least one solvent, said indium alkoxide compound being produced by reacting indium trihalide InX
3 , wherein X = F, Cl, Br, I, with a secondary amine of formula R'
2 NH, wherein R' = alkyl, in a molar ratio of 8:1 to 20:1 relative to the indium trihalide in the presence of an alcohol of the generic formula ROH, wherein R = alkyl. The invention further relates to methods for producing said liquid formulations, to the use thereof for producing indium oxide-containing or (semi-)conducting layers, and to methods for producing indium oxide-containing layers, using said formulations.

9. 发明公开

EP2638183A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON INDIUMOXID-HALTIGEN SCHICHTEN 有权
公开(公告)号：EP2638183A1
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：EP11779137.6
申请日：2011-10-26
申请人： Evonik Degussa GmbH
发明人： STEIGER, Jürgen , PHAM, Duy Vu , THIEM, Heiko , MERKULOV, Alexey , HOPPE, Arne
IPC分类号： C23C18/12
CPC分类号： H01L21/02628 , C23C18/1216 , H01L21/288 , H01L29/22 , H01L29/43
摘要： The present invention relates to a liquid phase process for producing indium oxide-containing layers, in which a coating composition preparable from a mixture comprising at least one indium oxide precursor and at least one solvent and/or dispersion medium, in the sequence of points a) to d), a) is applied to a substrate, and b) the composition applied to the substrate is irradiated with electromagnetic radiation, c) optionally dried and d) converted thermally into an indium oxide-containing layer, where the indium oxide precursor is an indium halogen alkoxide of the generic formula InX(OR)
2 where R is an alkyl radical and/or alkoxyalkyl radical and X is F, Cl, Br or I and the irradiation is carried out with electromagnetic radiation having significant fractions of radiation in the range of 170 - 210 nm and of 250 - 258 nm, to the indium oxide-containing layers producible with the process, and the use thereof.
摘要翻译：本发明涉及一种用于生产含氧化铟的层的液相方法，其中可以从包含至少一种氧化铟前体和至少一种溶剂和/或分散介质的混合物制备的涂料组合物以点a ）至d），a）施加到基底上，b）用电磁辐射照射施加到基底上的组合物，c）任选干燥，d）热转换成含氧化铟的层，其中氧化铟前体是通式为InX（OR）2的卤素烷氧化物，其中R是烷基和/或烷氧基烷基，X是F，Cl，Br或I，并且用具有显着的辐射分数的电磁辐射进行照射 170-210nm和250-258nm的范围，与该方法可生产的含氧化铟的层及其用途。

10. 发明公开

EP2595998A1 INDIUMOXOALKOXIDE FÜR DIE HERSTELLUNG INDIUMOXID-HALTIGER SCHICHTEN 有权
标题翻译： INDIUMOXOALKOXIDE用于制造铟含有层
公开(公告)号：EP2595998A1
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：EP11738659.9
申请日：2011-07-07
申请人： Evonik Degussa GmbH
发明人： STEIGER, Jürgen , PHAM, Duy Vu , THIEM, Heiko , MERKULOV, Alexey , HOPPE, Arne
IPC分类号： C07F5/00 , C23C18/12
CPC分类号： C07F5/00 , C07F5/069 , C23C18/1216 , C23C18/1254
摘要： The invention relates to halogen-containing indium oxoalkoxides of the generic formula In
6 O
2 X
6 (OR)
6 (R'CH(0)COOR")
2 (HOR)
x (HNR"'
2 )
y where X = F, Cl, Br and/or I, R = C1-C15- alkyl, C1-C15-alkenyl, C1-C15-alkinyl, C1-C15-alkoxyalkyl, C6-C15-aryl- and/or C7-C15- alkoxyaryl, R' = C1-C15-alkyl, C1-C15-alkenyl, C1-C15-alkinyl, C1-C15-alkoxyalkyl, C6- C15-aryl- and/or C7-C15-alkoxyaryl, R" = C1-C15-alkyl, C1-C15-alkenyl, C1-C15-alkinyl, C1-C15-alkoxyalkyl, C6-C15-aryl- and/or C7-C15-alkoxyaryl, R'" = C1-C15-alkyl, C1- C15-alkenyl, C1-C15-alkinyl, C1-C15-alkoxyalkyl, C6-C15-aryl- and/or C7-C15- alkoxyaryl, x = 0 to 10 and y = 0 tp 10. The invention further relates to a method for producing same, and to the use thereof.

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