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1. 发明授权

EP3255173B1 FLUIDTEMPERIERTER GASVERTEILER IN SCHICHTBAUWEISE 有权转让
公开(公告)号：EP3255173B1
公开(公告)日：2018-11-21
申请号：EP16173075.9
申请日：2016-06-06
申请人： Meyer Burger (Germany) AG
发明人： Pietzsch, Rocco , Ansorge, Erik, Dr. , Scheit, Uwe, Dr. , Frendel, Christian
IPC分类号： C23C16/455
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/45572 , C23C16/45574

2. 发明公开

EP3236492A1 VERFAHREN UND SYSTEM ZUR STEUERUNG EINER VORRICHTUNG ZUM GREIFEN ODER POSITIONIEREN VON AUF EINEM SUBSTRATTRÄGER ANGEORDNETEN SUBSTRATEN 审中-公开
标题翻译：用于控制设备以在基板载体上设置的抓取或定位基板的方法和系统
公开(公告)号：EP3236492A1
公开(公告)日：2017-10-25
申请号：EP16165811.7
申请日：2016-04-18
申请人： Meyer Burger (Germany) AG
发明人： Ansorge, Erik , Böhm, Christian , Raschke, Sebastian
IPC分类号： H01L21/68 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67248 , H01L21/681
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Steuerung einer Vorrichtung zum Greifen oder Positionieren von mindestens einem Substrat auf einem Substratträger. Der Substratträger besteht aus einem Material mit mindestens einem bekannten Ausdehnungskoeffizienten. Bei dem Verfahren wird zunächst bei einer bekannten ersten Temperatur des Substratträgers ein erstes Parameterset des Substratträgers bestehend Länge, Breite und/oder Höhe des Substratträgers sowie die relative Position eines Substratbezugspunktes auf dem Substratträger bezüglich eines Bezugspunktes des Substratträgers ermittelt. Nachfolgend wird ein zweites Parameterset aus Länge, Breite und/oder Höhe des Substratträgers bei einer unbekannten zweiten Temperatur des Substratträgers mit Hilfe von mindestens zwei Lasersensoren ermittelt, wobei zwei der Lasersensoren auf gegenüberliegenden Seiten des Substratträgers und auf einer Laserlinie angeordnet sind. Mit Hilfe des ermittelten zweiten Parametersets und des mindestens einen Ausdehnungskoeffizienten kann die genaue Position des Substratbezugspunktes auf dem an einer ersten Position positionierten Substratträger bei der unbekannten zweiten Temperatur ermittelt und die Vorrichtung zum Greifen oder Positionieren entsprechend gesteuert werden. Das erfindungsgemäße System zur Steuerung einer Vorrichtung zum Greifen oder Positionieren weist den Verfahrensschritten entsprechende Mittel auf.
摘要翻译：本发明涉及一种用于控制用于将至少一个衬底夹持或定位在衬底载体上的装置的方法。基材载体由具有至少一种已知膨胀系数的材料组成。在该方法中，第一组由长度，宽度和/或衬底载体的高度与基板支撑件的基板载体的一个参考点的在基板的基准点的相对位置的基片载体的参数相对于确定为首先在衬底支撑件的一个已知的第一温度。接着，第二组的长度，宽度和/或衬底支撑件的高度的参数在衬底支撑件与至少两个激光传感器的帮助下的未知的第二温度，其中，两个激光传感器定位在衬底载体的相对侧上并在激光线被确定。与所确定的第二参数集的助剂和至少一个膨胀系数，基板参考点的精确位置可以在在未知温度下的位于第一位置的衬底载具来确定，并且所述第二设备是用于夹持或定位相应地控制。根据本发明的用于控制用于抓取或定位的装置的系统包括对应于方法步骤的装置。

3. 发明公开

EP3223318A1 HETERO JUNCTION PHOTOVOLTAIC CELL AND METHOD OF MANUFACTURING SAME 审中-公开
标题翻译： HETERO JUNCTION光伏电池及其制造方法
公开(公告)号：EP3223318A1
公开(公告)日：2017-09-27
申请号：EP16161877.2
申请日：2016-03-23
申请人： Meyer Burger (Germany) AG
发明人： Lachenal, Damien , Strahm, Benjamin , Legradic, Boris , Frammelsberger, Walter
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0747
CPC分类号： H01L31/0747 , H01L31/022441 , Y02E10/50
摘要： The present invention relates to a hetero junction photovoltaic cell and to a method of manufacturing same, the photovoltaic cell comprising a crystalline semiconductor substrate of an n-type or a p-type, an amorphous intrinsic semiconductor layer formed on the full back side of the semiconductor substrate, an first type doped semiconductor layer structure formed locally on the amorphous intrinsic semiconductor layer, a second type doped semiconductor layer structure formed on the amorphous intrinsic semiconductor layer covering the first type doped semiconductor layer structure, and interdigitated nand p-type contacts for contacting the first and the second junction, respectively, on the back side of the photovoltaic cell. In the photovoltaic cell, the second type doped semiconductor layer structure covers the first type doped semiconductor layer structure in the region of the first junction, wherein a recombination layer structure is formed between the first type doped semiconductor layer structure and the second type doped layer structure and the contact for contacting the first junction is formed on the layer stack comprising the first type doped semiconductor layer structure, the recombination layer structure and the second type doped semiconductor layer structure.
摘要翻译：异质结光伏电池及其制造方法技术领域本发明涉及一种异质结光伏电池及其制造方法，该光伏电池包括n型或p型晶体半导体衬底，非晶本征半导体层形成在半导体衬底，在非晶本征半导体层上局部形成的第一类型掺杂半导体层结构，在覆盖第一类型掺杂半导体层结构的非晶本征半导体层上形成的第二类型掺杂半导体层结构以及用于分别在光伏电池的背面上接触第一接合部和第二接合部。在光伏电池中，第二型掺杂半导体层结构覆盖第一结区域中的第一型掺杂半导体层结构，其中在第一型掺杂半导体层结构与第二型掺杂层结构之间形成复合层结构并且用于接触第一结的触点形成在包括第一类型掺杂半导体层结构，复合层结构和第二类型掺杂半导体层结构的叠层上。

4. 发明公开

EP3043370A1 Vorrichtung zur Extraktion von elektrischen Ladungsträgern aus einem Ladungsträgererzeugungsraum sowie ein Verfahren zum Betreiben einer solchen Vorrichtung 审中-公开
标题翻译：装置，用于从载流子产生的空间，以及用于操作这种装置的方法电荷载流子的提取
公开(公告)号：EP3043370A1
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：EP15150613.6
申请日：2015-01-09
申请人： Meyer Burger (Germany) AG
发明人： Mai, Joachim , Luca, Alfonz, Dr. , Sarstedt, Margit, Dr.
IPC分类号： H01J27/02 , H01J37/08
CPC分类号： H01J27/024 , H01J37/08 , H01J2237/0656 , H01J2237/083
摘要： Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Extraktion von elektrischen Ladungsträgern aus einem Ladungsträgererzeugungsraum mit mindestens einer Elektrodenanordnung 1a zur Extraktion von Ladungsträgern, wobei die mindestens eine Elektrodenanordnung mindestens eine erste Gitterelektrode und eine zweite Gitterelektrode mit korrespondierenden Öffnungen aufweist. Die erste und die zweite Gitterelektrode enthalten jeweils mindestens einen ersten elektrisch leitfähigen Gitterelektrodenbereich 110,210, wobei der mindestens eine erste Gitterelektrodenbereich 110a,b der ersten Gitterelektrode in einer ersten Lage 100 und der mindestens eine erste Gitterelektrodenbereich 210a,b der zweiten Gitterelektrode in einer zweiten Lage 200 ausgebildet sind. Die erste Lage und die zweite Lage sind innerhalb der Elektrodenanordnung in Teilchenaustrittsrichtung nacheinander angeordnet und voneinander durch einen ersten Abstand 300 entlang der Teilchenaustrittsrichtung beabstandet, wobei der mindestens eine erste Gitterelektrodenbereich 110a, b der ersten Gitterelektrode in der ersten Lage einen ersten elektrisch leitfähigen Lagenanteil 101 bildet. Darüber hinaus ist in der ersten Lage ein zweiter elektrisch leitfähiger Lagenanteil 102 ausgebildet, der elektrisch vom ersten Lagenanteil 101 isoliert ist. Der zweite Lagenanteil 102 wird durch mindestens einen zweiten elektrisch leitfähigen Gitterelektrodenbereich der ersten Gitterelektrode oder der zweiten Gitterelektrode gebildet und der zweite Lagenanteil 102 ist elektrisch leitend 301 mit dem mindestens einen ersten Gitterelektrodenbereich 210a,b der zweiten Gitterelektrode verbunden. Die erfindungsgemäße Vorrichtung zur Extraktion von Ladungsträgern stellt somit eine elektrisch schaltbare Extraktionsgitterelektrodenanordnung dar, mit deren Hilfe die Strahlcharakteristik eines Teilchenstrahls aus extrahierten Ladungsträgern verändert werden kann.
摘要翻译：本发明涉及一种用于从载流子产生空间电荷载流子的提取装置，包括至少一个电极组件，用于载流子的提取，其具有至少一个第一格栅电极和所述至少一个电极组件的第二栅极电极与对应孔口。第一和第二格栅电极各自包括至少一个第一导电栅电极区，worin第一栅极电极的所述至少一个第一栅极区在第一层上形成与所述第二的至少一个第一格栅电极区域栅格电极中的第二层被形成。所述第一层和第二层被布置成一个在另一个在电极组件内的颗粒出口方向后，并通过沿着所述颗粒出口方向上的第一距离，所述第一的所述至少一个第一栅极区隔开彼此栅电极形成在所述第一层的第一导电层部分。更上方，第二导电层部分在第一层中，所有这一切都被电气上与第一层部分绝缘形成。所述第二层部分由第一格栅电极或第二栅极电极和第二层部分的至少一个第二导电栅格电极区域地形成在导电的方式连接到所述第二的至少一个第一格栅电极区域栅格电极。用于gemäß发明载流子的提取用器件因此提供上电转换的引出栅电极组件，通过该提取的粒子束的粒子束特性载流子可以被修改。

5. 发明授权

EP3309815B1 PLASMABEHANDLUNGSVORRICHTUNG MIT ZWEI, MITEINANDER GEKOPPELTEN MIKROWELLENPLASMAQUELLEN SOWIE VERFAHREN ZUM BETREIBEN EINER SOLCHEN PLASMABEHANDLUNGSVORRICHTUNG 失效转让
公开(公告)号：EP3309815B1
公开(公告)日：2019-03-20
申请号：EP16193511.9
申请日：2016-10-12
申请人： Meyer Burger (Germany) AG
发明人： Mai, Joachim
IPC分类号： H01J37/32 , H05H1/46

6. 发明公开

EP3246935A1 PLASMABEHANDLUNGSVORRICHTUNG MIT EINER KONTAKTLOSEN HF-SPANNUNGSZUFÜHRUNG AN EINE BEWEGLICHE PLASMAELEKTRODENEINHEIT UND VERFAHREN ZUM BETREIBEN EINER SOLCHEN PLASMABEHANDLUNGSVORRICHTUNG 审中-公开
标题翻译：非接触式射频电源，移动等离子电极单元和方法用于操作这种等离子体处理装置等离子体处理装置
公开(公告)号：EP3246935A1
公开(公告)日：2017-11-22
申请号：EP16170628.8
申请日：2016-05-20
申请人： Meyer Burger (Germany) AG
发明人： Schlemm, Dr. Hermann , Kehr, Dr. Mirko , Scheit, Dr. Uwe , Ansorge, Dr. Erik , Decker, Daniel
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32577
摘要： Die Erfindung betrifft eine Plasmabehandlungsvorrichtung, bei der eine Plasmaelektrodeneinheit in eine Prozesskammer ein- und aus ihr ausgefahren werden kann und bei der eine, von einem Generator bereitgestellte Hochfrequenzleistung mit Hilfe eines oder mehrerer elektromagnetischer Felder und ohne einen ohmschen elektrischen Kontakt an die Plasmaelektrodeneinheit übertragen wird. Dazu weist die Plasmabehandlungsvorrichtung eine Übertragungseinrichtung auf, die einen primären Koppelteil enthält, der innerhalb der Prozesskammer angeordnet ist und ein elektromagnetisches Feld erzeugen kann. Die Plasmaelektrodeneinheit enthält einen sekundären Koppelteil, der fest mit der Plasmaelektrodeneinheit verbunden ist und geeignet ist, das elektromagnetische Feld zu empfangen und in eine elektrische Wechselleistung umzuwandeln. Darüber hinaus wird ein Verfahren zum Betreiben einer solchen Plasmabehandlungsvorrichtung bereitgestellt.
摘要翻译：本发明涉及在等离子体电极单元切换到处理室中，并且可以被移出并在由发电机的高频功率的一个或多个电磁场的助剂和不具有欧姆电接触到等离子体电极单元所提供的一个被发送的等离子体处理装置。为此，等离子体处理装置具有传输装置，该传输装置包含布置在处理室内并且可以产生电磁场的主耦合部分。等离子体电极单元包括次级耦合构件，次级耦合构件固定地连接到等离子体电极单元并适于接收电磁场并将其转换为交流电力。另外，提供了一种操作这种等离子体处理设备的方法。

7. 发明授权

EP3367419B1 ELEKTRODENEINHEIT MIT EINEM INTERNEN ELEKTRISCHEN NETZWERK ZUR ZUFÜHRUNG VON HOCHFREQUENTER SPANNUNG UND TRÄGERANORDNUNG FÜR EINE PLASMABEHANDLUNGSANLAGE 有权转让
公开(公告)号：EP3367419B1
公开(公告)日：2019-08-14
申请号：EP17158448.5
申请日：2017-02-28
申请人： Meyer Burger (Germany) AG
发明人： Schlemm, Hermann , Kehr, Mirko , Ansorge, Erik
IPC分类号： H01J37/32

8. 发明授权

EP2915901B1 Vorrichtung zur Plasmaprozessierung mit Prozessgaszirkulation in multiplen Plasmen 无效转让
公开(公告)号：EP2915901B1
公开(公告)日：2019-02-27
申请号：EP14158269.2
申请日：2014-03-07
申请人： Meyer Burger (Germany) AG
发明人： Schlemm, Hermann, Dr. , Kehr, Mirko , Ansorge, Erik , Decker, Daniel
IPC分类号： C23C16/455 , H01J37/32

9. 发明公开

EP3367419A1 ELEKTRODENEINHEIT MIT EINEM INTERNEN ELEKTRISCHEN NETZWERK ZUR ZUFÜHRUNG VON HOCHFREQUENTER SPANNUNG UND TRÄGERANORDNUNG FÜR EINE PLASMABEHANDLUNGSANLAGE 有权转让
公开(公告)号：EP3367419A1
公开(公告)日：2018-08-29
申请号：EP17158448.5
申请日：2017-02-28
申请人： Meyer Burger (Germany) AG
发明人： Schlemm, Hermann , Kehr, Mirko , Ansorge, Erik
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32577 , H01J37/32091 , H01J37/32348 , H01J37/32532 , H01J37/32568
摘要： Die Erfindung betrifft eine Elektrodeneinheit mit einer Vielzahl von Plasmaelektrodenpaaren, die bei einer bestimmten anliegenden Spannung zum Zünden eines Plasmas zwischen einer ersten Plasmaelektrode und einer zweiten Plasmaelektrode eines jeden Plasmaelektrodenpaares geeignet sind, mindestens einem internen elektrischen Zuführungsnetzwerk, das geeignet ist, eine erste Spannung allen ersten Plasmaelektroden und eine zweite Spannung allen zweiten Plasmaelektroden zuzuführen, wobei mindestens eine der Spannungen hochfrequent ist, und einer ersten und einer zweiten Anschlussklemme, die geeignet sind, die erste bzw. die zweite Spannung in das mindestens eine Zuführungsnetzwerk einzuspeisen. Das interne elektrische Zuführungsnetzwerk enthält eine Vielzahl von Leitungen, wobei das Zuführungsnetzwerk durch die Anordnung, die geometrischen Abmessungen und/oder das Material der Leitungen und/oder durch die Anordnung eines Einspeispunktes der ersten bzw. zweiten Spannung innerhalb des Zuführungsnetzwerkes an die Elektrodeneinheit und die Frequenz der ersten und/oder der zweiten Spannung angepasst ist.

10. 发明公开

EP3341961A1 SUBSTRATBEHANDLUNGSVORRICHTUNG 有权转让
公开(公告)号：EP3341961A1
公开(公告)日：2018-07-04
申请号：EP16753706.7
申请日：2016-08-02
申请人： Meyer Burger (Germany) AG
发明人： RASCHKE, Sebastian , ANSORGE, Erik , KEHR, Mirko , BÖHM, Christian
IPC分类号： H01L21/687 , C23C16/458 , C23C16/46
CPC分类号： C23C16/4581 , C23C16/46 , H01L21/67109
摘要： The invention relates to a substrate treatment device for treating substrates, comprising a flat substrate support and at least one flat temperature-control device arranged parallel to the substrate support, wherein the substrate support has a substrate support front side for supporting at least one planar substrate and a substrate support back side facing the temperature-control device. Therefore, the problem addressed by the invention is proposing a substrate treatment device that enables the most uniform heat distribution possible in the substrate support. According to the invention, this problem is solved in that at least one spacing element is provided on the substrate support back side and/or on a surface of the temperature-control device facing the substrate support in order to form a distance between the substrate support and the temperature-control device.

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