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71. 发明公开

EP2044240A2 VERFAHREN ZUM AUFBRINGEN EINES BESCHICHTUNGSMATERIALS SOWIE BESCHICHTUNG FÜR EINE METALLISCHE OBERFLÄCHE 有权
标题翻译：方法施加涂层材料和涂层金属表面
公开(公告)号：EP2044240A2
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：EP07718480.2
申请日：2007-06-04
申请人： ROBERT BOSCH GMBH
发明人： WERGER, Heinrich
IPC分类号： C23C28/00 , C23C30/00 , C23C16/02 , C23C16/22
CPC分类号： C23C26/00 , Y10T428/12458 , Y10T428/12576 , Y10T428/12583 , Y10T428/30 , Y10T428/31504
摘要： In a method for applying a multilayered wear-resistant coating to metallic surfaces, which may already be coated, the coating comprises at least two anti-wear layers (5) and an intermediate layer (10) arranged between each pair of anti-wear layers (5). The intermediate layer (10) comprises a material composition containing the material of the anti-wear layer (5) and a further material, wherein the intermediate layer (10) is applied with a decreasing content of the material of the anti-wear layer (5) over a first transitional region (a) and with an increasing content of the material of the anti-wear layer (5) over a second transitional region (b), the content of the material of the anti-wear layer (5) in the intermediate layer (10) is chosen to be at least 5% by weight at every point.

72. 发明授权

EP1464725B1 Germanium compounds suitable for use in vapor deposition processes 有权
标题翻译：锗化合物，适合于在汽相沉积过程中使用
公开(公告)号：EP1464725B1
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：EP04251949.6
申请日：2004-04-01
申请人： Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C.
发明人： Woelk, Egbert , Shenai-Khatkhate, Deodatta Vinayak
IPC分类号： C23C16/22 , C23C16/18 , C07F7/30
CPC分类号： C07F7/0807 , C07F7/30 , C23C16/18 , C23C16/22 , C23C16/28

73. 发明公开

EP1841896A1 AMORPHOUS CARBON FILM, PROCESS FOR FORMING THE SAME, AND HIGH WEAR-RESISTANT SLIDING MEMBER WITH AMORPHOUS CARBON FILM PROVIDED 有权转让
标题翻译：无定形碳，PROCESS FOR PRODUCING及滑动HOCHVERSCHLEISSFESTES MENT WITH无定形碳的膜的膜
公开(公告)号：EP1841896A1
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：EP05811509.8
申请日：2005-11-24
申请人： KABUSHIKI KAISHA TOYOTA CHUO KENKYUSHO
发明人： ISEKI, Takashi, c/o K. K. TOYOTA CHUO KENKYUSHO , TACHIKAWA, Hideo, c/o K. K. TOYOTA CHUO KENKYUSHO , MORI, Hiroyuki, c/o K. K. TOYOTA CHUO KENKYUSHO , NAKANISHI, Kazuyuki, c/o K. K. TOYOTA CHUO KENK. , MATSUI, Munehisa, c/o K. K. TOYOTA CHUO KENKYUSHO , IGARASHI, Shintaro, c/o K. K. TOYOTA CHU KENKYUSHO , SHIMIZU, Fumio, c/o K. K. TOYOTA CHUO KENKYUSHO , TSUCHIYA, Yoshinari, c/o K. K. TOYOTA CHUO KENK. , OSHIMA, Tadashi, c/o K. K. TOYOTA CHUO KENKYUSHO
IPC分类号： C23C16/22 , C23C16/26 , C23C16/30 , C23C16/50 , C23C16/503 , C23C16/02
CPC分类号： C23C16/26 , Y10T428/30
摘要： An amorphous carbon film includes carbon as a major component, and silicon in an amount of from 0.1 atomic % or more to 10 atomic % or less when the entire amorphous carbon film is taken as 100 atomic %. The carbon is composed of carbon having an sp2 hybrid orbital in an amount of from 60 atomic % or more to 90 atomic % or less when the entire carbon amount is taken as 100 atomic %. Also disclosed is a process for producing the amorphous carbon film.

74. 发明公开

EP1464724A3 Organometallic compounds suitable for use in vapor deposition processes 有权
标题翻译：适用于气相沉积工艺使用有机金属化合物
公开(公告)号：EP1464724A3
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：EP04251948.8
申请日：2004-04-01
申请人： Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C.
发明人： Shenai-Khatkhate, Deodatta Vinayak , Power, Michael Brendan
IPC分类号： C23C16/18 , C23C16/22 , C23C16/24 , C07F7/02 , C07F7/08 , C07F7/10 , C07F7/12 , C07F7/30
CPC分类号： C23C16/28 , C07C391/00 , C07C395/00 , C07F7/0807 , C07F7/0827 , C07F7/30 , C23C16/18
摘要： Organometallic compounds suitable for use as vapor phase deposition precursors for Group IV metal-containing films are provided. Methods of depositing Group IV metal-containing films using certain organometallic precursors are also provided. Such Group IV metal-containing films are particularly useful in the manufacture of electronic devices.

75. 发明公开

EP1473383A2 Method for producing polycrystalline silicon germanium and suitable for micromachining 有权
标题翻译：一种用于制备适合于多晶硅 - 锗层的微机械加工的组合物处理
公开(公告)号：EP1473383A2
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：EP04447106.8
申请日：2004-04-29
申请人： INTERUNIVERSITAIR MICROELEKTRONICA CENTRUM VZW
发明人： Witvrouw, Ann
IPC分类号： C23C16/22 , C23C16/02
CPC分类号： C23C16/50 , C23C16/0272 , C23C16/30 , H01L21/0237 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02532 , H01L21/0262
摘要： The present invention describes a method of producing a SiGe layer on a substrate, said method comprising: depositing onto said substrate a first layer of polycrystalline silicon-germanium ( Si y Ge 1 -y ) by non-plasma chemical vapour deposition (CVD) at a temperature T1; and depositing onto said first layer a second layer of polycrystalline silicon-germanium ( Si z Ge 1 -z ) by plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD) at a temperature T2. The SiGe layer is the combination of said first layer and said second layer. The SiGe layer is preferably polycrystalline and T1 and T2 are preferably ≤ 520°C.
MEMS or micro-machined devices may be formed in or on the SiGe layer.
摘要翻译：本发明描述了制备在基板上的SiGe层的方法，所述方法包括：沉积到所述衬底的多晶硅 - 锗（SIý葛1-Y）由非等离子体化学气相沉积（CVD），在第一层的温度T1; 沉积并通过在温度T2等离子体增强化学气相沉积（PECVD）的多晶硅 - 锗（SI 1 Z - 锗Z）的到所述第一层的第二层。 SiGe层是所述第一层和第二层，在所述的组合。 SiGe层优选为多晶和T1和T2是优选‰¤520℃ MEMS或微加工装置可以在或在SiGe层上形成。

76. 发明公开

EP1464725A2 Germanium compounds suitable for use in vapor deposition processes 有权
标题翻译：锗 - Verbindungen，geeignet zur Verwendung在Dampfphasenabscheidungsprozessen
公开(公告)号：EP1464725A2
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：EP04251949.6
申请日：2004-04-01
申请人： Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C.
发明人： Woelk, Egbert , Shenai-Khatkhate, Deodatta Vinayak
IPC分类号： C23C16/22
CPC分类号： C07F7/0807 , C07F7/30 , C23C16/18 , C23C16/22 , C23C16/28
摘要： Germanium compounds suitable for use as vapor phase deposition precursors for germanium films are provided. Methods of depositing films containing germanium using such compounds are also provided. Such germanium films are particularly useful in the manufacture of electronic devices.
摘要翻译：提供适合用作锗膜气相沉积前体的锗化合物。还提供了使用这种化合物沉积含锗的膜的方法。这种锗膜在电子器件的制造中特别有用。

77. 发明公开

EP1094130A3 Verfahren und Vorrichtung zur Plasmabehandlung von Oberflächen 审中-公开
标题翻译： Verfahren und Vorrichtung zur Plasmabehandlung vonOberflächen
公开(公告)号：EP1094130A3
公开(公告)日：2002-08-14
申请号：EP00117039.8
申请日：2000-08-09
申请人： ROBERT BOSCH GMBH
发明人： Forget-Funk, Jeanne , Voigt, Johannes
IPC分类号： C23C16/503 , C23C16/517 , C23C16/458 , C23C14/02 , C23C14/35 , H01J37/34 , H01J37/32 , C23C16/22
CPC分类号： H01J37/32009 , C23C14/32 , C23C16/509 , C23C16/517
摘要： Bei einem Verfahren zum Behandeln und Beschichten einer Oberfläche eines Werkstücks (8) mit einem Plasma, bei dem ein alternierendes elektrisches Feld zwischen dem Werkstück (8) und einer ersten Plasmaelektrode (4) erzeugt wird, um aus der Richtung des zugeordneten Plasmas (7) abwechselnd Ionen und Elektronen auf die Oberfläche zu lenken, ist vorgesehen, daß das Werkstück den Ionen und Elektronen in einem Zwischenraum zwischen der ersten und wenigstens einer weiteren Plasmaelektrode (5) ausgesetzt wird, und daß zwischen jeder der weiteren Plasmaelektroden (5) und dem Werkstück (8) ebenfalls ein alternierendes elektrisches Feld erzeugt wird, und die alternierenden Felder aller Plasmaelektroden (4,5) jeweils in einem festen Phasenverhältnis zueinander stehen. Auf diese Weise bilden sich auf jeder Oberfläche des Werkstücks zyklisch sowohl negative wie positive Potentiale. Diese führen abwechselnd zum positiven Ionenbombardement der Oberfläche und zu Neutralisation durch Elektronen der dadurch entstehenden Oberflächenladung.
摘要翻译：处理工件（8）的表面的工艺包括使工件在第一（4）和另外的等离子体电极（5）之间的中间室（10）中经受离子和电子。在电极和工件之间产生交变电场，并且电极的交变场以固定相位比固定在一起。还包括用于处理包括含有等离子体电极的真空室（1）的工件的表面的装置的独立权利要求。首选功能：场频率为1 kHz和350 MHz。

78. 发明公开

EP1087036A1 Method and apparatus for observing porous amorphous film, and method and apparatus for forming the same 有权
标题翻译：用于观察用于制造相同的多孔非晶膜和方法和装置方法和装置。
公开(公告)号：EP1087036A1
公开(公告)日：2001-03-28
申请号：EP00121042.6
申请日：2000-09-27
申请人： Tokyo Electron Limited
发明人： Kawamura, Shigeru, c/o Tokyo Electron Limited
IPC分类号： C23C16/56 , C23C16/22
CPC分类号： C23C16/52 , C23C16/045 , G01R31/2653 , G01R31/2831
摘要： A reactant gas is introduced into a process chamber under a temperature which is lower than reactive temperature of the reactant gas (step S4) so that voids in a porous amorphous insulation film on a sample is filled with the introduced reactant gas (step S5). And chemical vapor deposition is carried out with heating the porous amorphous insulation film up to a temperature which is higher than the reactive temperature of the reactant gas to form a crystalline thin film on inner surfaces of the voids (step S6). Image data representing the porous amorphous insulation film in which the crystalline thin film is formed are generated with using a transmission electron microscope, and the porous amorphous insulation film is observed based on the image data (step S8) to measure topographical characteristics of the porous amorphous insulation film such as void's size, porosity, and the like (step S9).
摘要翻译：反应气体的温度的所有比反应气体（步骤S4）的反应温度，从而没有在多孔非晶绝缘电影上的样品的空隙中填充有引进的反应物气体（步骤S5）下下被引入到处理室中。和化学气相沉积用加热多孔非晶绝缘膜 - 比所有这更高的温度下进行是反应气体的反应性温度，以在空隙（步骤S6）的内表面的结晶性薄膜。表示多孔非晶绝缘膜，其中所述结晶性薄膜上形成有利用透射型电子显微镜中生成的图像数据，并且将多孔非晶绝缘基于所述图像数据（步骤S8）薄膜被-观察来测量多孔无定形的地形特征绝缘电影：如空隙的尺寸，孔隙率，和类似物（步骤S9）。

79. 发明公开

EP0723987A3 Polyacetylenhaltige Formkörper 失效
标题翻译：聚乙炔角线
公开(公告)号：EP0723987A3
公开(公告)日：1998-08-26
申请号：EP96100597
申请日：1996-01-17
申请人： BAYER AG
发明人： OSTOJA STARZEWSKI KARL-HEINZ A , THURM SIEGFRIED DR
IPC分类号： C08J5/00 , C08J7/06 , C23C14/10 , C23C16/22 , H05K9/00 , C08L49/00
CPC分类号： C08J7/06 , C08J2349/00
摘要： Formkörper aus polyacetylenhaltigen Polymerprodukten aus Polyacetylen und einem von Polyacetylen verschiedenen Polymer zeichnen sich gegenüber Luft durch verbesserte Stabilität ihrer optischen und elektrischen Eigenschaften aus, wenn sie eine Schutzschicht aus SiO
x , worin x beliebige Werte von 1 bis 2 annimmt, enthalten.

80. 发明公开

EP0573640A4 COATED GLASS ARTICLE. 失效
标题翻译：镀膜玻璃制品。
公开(公告)号：EP0573640A4
公开(公告)日：1995-01-04
申请号：EP93901246
申请日：1992-12-21
申请人： ATOCHEM NORTH AMERICA ELF
发明人： RUSSO DAVID A , DIRKX RYAN R , FLORCZAK GLENN P
IPC分类号： C03C17/245 , B32B9/00 , B32B17/00 , B32B17/06 , C03C17/23 , C03C17/34 , C07F7/22 , C23C16/22 , C23C16/40
CPC分类号： C23C16/40 , C03C17/2453 , C03C17/3417 , C03C2217/23 , C03C2217/91 , C03C2218/1525
摘要： A coated-glass article is prepared by the chemical-vapor deposition of a mixture of a tin oxide precursor, a silicon dioxide precursor and an accelerant such as triethyl phosphite at deposition rates higher than 350 Å/sec. onto glass having a temperature from 450 to 650 °C. The layer of material deposited can be combined with other layers to produce an article with specific properties such as controlled emissivity, refractive index, abrasion resistance, or appearance.

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