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    • 72. 发明公开
    • Integrated bridge device optimising conduction power losses
    • IntegrierteBrückenanordnungmit optimiertenÜbertragungsleistungsverlusten。
    • EP0544048A1
    • 1993-06-02
    • EP91830513.7
    • 1991-11-25
    • SGS-THOMSON MICROELECTRONICS S.r.l.CONSORZIO PER LA RICERCA SULLA MICROELETTRONICA NEL MEZZOGIORNO
    • Paparo, MarioAiello, Natale
    • H01L27/06H01L27/082H01L21/76
    • H01L21/761H01L27/0623H01L27/0823H02M2007/2195Y02B70/1408
    • The device consists of a bridge having at least two arms (1, 2) each formed of a first and a second diode-connected transistor (T11, T12; T21, T22). In the integrated monolithic embodiment each arm is formed by a type N+ substrate (3) connected to a positive potential output terminal (K1), type N- and N epitaxial layers (4, 19), type P, P+ regions (5,45; 6,46) contained within the epitaxial layers (4, 19) and containing within them a type N region (7; 8) which in turn contains a type P region (9; 10) connected to a negative potential output terminal (A1). Between the type P, P+ regions (5, 45; 6, 46) belonging to the first and the second arm (1, 2) there are first type N++ regions (11; 12) capable of minimising the current gain of the parasitic transistors (TP1a, TP1b) placed between the type P, P+ regions (5, 45; 6, 46) and second regions (13, 14) of type P and P+ respectively recovering the residual loss currents of the parasitic transistors (TP1a, TP1b).
    • 该装置由具有至少两个臂(1,2)的桥组成,每个臂由1,2和2的第二和第二二极管连接的晶体管(T11,T12; T21,T22)形成。 在集成的单片实施例中,每个臂由连接到正电位输出端(K1),N型和N型外延层(4,19),类型P,P +区(5,45)的N +型衬底 ; 6,46),其包含在所述外延层(4,19)内并且在其中包含类型N区域(7; 8),所述N区域又包含连接到负电位输出端子(A1)的类型P区域(9; 10) )。 在属于第一和第二臂(1,2)的类型P,P +区域(5,45; 6,46)之间存在能够最小化寄生晶体管的电流增益的第一类型N ++区域(11; 12) (TP1a,TP1b)分别放置在类型P,P +区域(5,45; 6,46)和类型P和P +的第二区域(13,14)之间,分别恢复寄生晶体管(TP1a,TP1b)的残余损耗电流, 。
    • 80. 发明公开
    • Halbleiternetzteil
    • 安森美半导体电源
    • EP2645559A3
    • 2017-05-10
    • EP12000376.9
    • 2012-01-20
    • Aizo AGAizo Group AG
    • Bröckmann, EckardDeckers, VolkerHofmann, RalfKemmler, Wolfgang
    • H02M7/217H02M7/12H02M7/219
    • H02M7/217H02M7/125H02M7/2176H02M2007/2195Y02B70/1408
    • Die Erfindung betrifft eine Elektronische Schaltung zur Versorgung von weiteren elektronischen Schaltungen welche zwischen Eingangsseite und Ausgangsseite eine Schaltung umfasst unter einem Zusammenwirken, von einer Ladekapazität (CLoad) mindestens einem Transistor (TLoad), eine Stromquelle (CM), einer Steuerungsschaltung (201, 202, 203), Vorwiderständen, Dioden, wobei zur Vermeidung mechanischer Bauelemente zwischen dem in Basisschaltung betriebenen Transistor (TLoad) und der Eingangsspannung eine Diode D 1 angeordnet ist und wobei die Sourceseite des Transistors (TLoad) mit der Stromquelle CM verbunden ist und die Stromquelle mit der Ladekapazität CLoad verbunden ist, und wobei an der Ladekapazität (CLoad) eine geregelte Spannung bereitgestellt wird und wobei die Steuerschaltung die Stromquelle CM mit Regelinformationen versorgt und wobei diese Stromquelle CM, wenn die geregelte Spannung an der Ladekapazität CLoad einen oberen Schwellwert überschreitet, diese Ladekapazität CLoad zusammen mit dem Transistor (TLoad) mit Hilfe der Steuerschaltung ST1 abregelt, und wenn diese geregelte Spannung an der Ladekapazität CLoad eine untere Schwelle unterschreitet, die Ladekapazität CLoad auflädt.
    • 本发明涉及一种用于设置在电路的输入侧和输出侧之间的进一步的电子电路的供电的电子电路包括至少一个共同的操作,负载能力(CLOAD)的一个晶体管(t加载),电流源(CM),控制电路(201,202, 203)中,串联电阻器,二极管,(为避免输入电压从动基部晶体管t加载之间的机械部件)和一个二极管d 1,并且其中所述晶体管(t加载的源极侧)被连接到电流源CM,并与电源 装载容量CLOAD连接,并且其中,在所述充电容量(CLOAD),经调节的电压提供,并且其中所述控制电路中,电流源CM的控制信息供给所述电流源当在负载电容C负载调节电压超过CM上阈值时,该充电容量CLO 广告进入动作一起由控制电路ST1手段的晶体管(t加载),并且如果在充电电容器CLOAD此调节后的电压下降到低于下阈值时,充电容量充电CLOAD。