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1. 发明公开

EP2645559A3 Halbleiternetzteil 审中-公开
标题翻译：安森美半导体电源
公开(公告)号：EP2645559A3
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：EP12000376.9
申请日：2012-01-20
申请人： Aizo AG , Aizo Group AG
发明人： Bröckmann, Eckard , Deckers, Volker , Hofmann, Ralf , Kemmler, Wolfgang
IPC分类号： H02M7/217 , H02M7/12 , H02M7/219
CPC分类号： H02M7/217 , H02M7/125 , H02M7/2176 , H02M2007/2195 , Y02B70/1408
摘要： Die Erfindung betrifft eine Elektronische Schaltung zur Versorgung von weiteren elektronischen Schaltungen welche zwischen Eingangsseite und Ausgangsseite eine Schaltung umfasst unter einem Zusammenwirken, von einer Ladekapazität (CLoad) mindestens einem Transistor (TLoad), eine Stromquelle (CM), einer Steuerungsschaltung (201, 202, 203), Vorwiderständen, Dioden, wobei zur Vermeidung mechanischer Bauelemente zwischen dem in Basisschaltung betriebenen Transistor (TLoad) und der Eingangsspannung eine Diode D 1 angeordnet ist und wobei die Sourceseite des Transistors (TLoad) mit der Stromquelle CM verbunden ist und die Stromquelle mit der Ladekapazität CLoad verbunden ist, und wobei an der Ladekapazität (CLoad) eine geregelte Spannung bereitgestellt wird und wobei die Steuerschaltung die Stromquelle CM mit Regelinformationen versorgt und wobei diese Stromquelle CM, wenn die geregelte Spannung an der Ladekapazität CLoad einen oberen Schwellwert überschreitet, diese Ladekapazität CLoad zusammen mit dem Transistor (TLoad) mit Hilfe der Steuerschaltung ST1 abregelt, und wenn diese geregelte Spannung an der Ladekapazität CLoad eine untere Schwelle unterschreitet, die Ladekapazität CLoad auflädt.
摘要翻译：本发明涉及一种用于设置在电路的输入侧和输出侧之间的进一步的电子电路的供电的电子电路包括至少一个共同的操作，负载能力（CLOAD）的一个晶体管（t加载），电流源（CM），控制电路（201，202， 203）中，串联电阻器，二极管，（为避免输入电压从动基部晶体管t加载之间的机械部件）和一个二极管d 1，并且其中所述晶体管（t加载的源极侧）被连接到电流源CM，并与电源装载容量CLOAD连接，并且其中，在所述充电容量（CLOAD），经调节的电压提供，并且其中所述控制电路中，电流源CM的控制信息供给所述电流源当在负载电容C负载调节电压超过CM上阈值时，该充电容量CLO 广告进入动作一起由控制电路ST1手段的晶体管（t加载），并且如果在充电电容器CLOAD此调节后的电压下降到低于下阈值时，充电容量充电CLOAD。

2. 发明公开

EP2645559A2 Halbleiternetzteil 审中-公开
公开(公告)号：EP2645559A2
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：EP12000376.9
申请日：2012-01-20
申请人： Aizo AG , Aizo Group AG
发明人： Bröckmann, Eckard , Deckers, Volker , Hofmann, Ralf , Kemmler, Wolfgang
IPC分类号： H02M7/217
CPC分类号： H02M7/217 , H02M7/125 , H02M7/2176 , H02M2007/2195 , Y02B70/1408
摘要： Die Erfindung betrifft eine Elektronische Schaltung zur Versorgung von weiteren elektronischen Schaltungen welche zwischen Eingangsseite und Ausgangsseite eine Schaltung umfasst unter einem Zusammenwirken, von einer Ladekapazität (CLoad) mindestens einem Transistor (TLoad), eine Stromquelle (CM), einer Steuerungsschaltung (201, 202, 203), Vorwiderständen, Dioden, wobei zur Vermeidung mechanischer Bauelemente zwischen dem in Basisschaltung betriebenen Transistor (TLoad) und der Eingangsspannung eine Diode D 1 angeordnet ist und wobei die Sourceseite des Transistors (TLoad) mit der Stromquelle CM verbunden ist und die Stromquelle mit der Ladekapazität CLoad verbunden ist, und wobei an der Ladekapazität (CLoad) eine geregelte Spannung bereitgestellt wird und wobei die Steuerschaltung die Stromquelle CM mit Regelinformationen versorgt und wobei diese Stromquelle CM, wenn die geregelte Spannung an der Ladekapazität CLoad einen oberen Schwellwert überschreitet, diese Ladekapazität CLoad zusammen mit dem Transistor (TLoad) mit Hilfe der Steuerschaltung ST1 abregelt, und wenn diese geregelte Spannung an der Ladekapazität CLoad eine untere Schwelle unterschreitet, die Ladekapazität CLoad auflädt.
摘要翻译：电路晶体管（Tload），其源极侧连接到连接到充电电容器（CLoad）的电流源（CM），其中在充电电容器处提供调节电压。当电容器上的调节电压超过上限阈值时，两个控制电路（201,202）和比较器（203）向电流源提供调节信息。电容器通过控制电路和比较器与晶体管一起调节。当电容器上的调节电压低于下限阈值时，电容器被充电。晶体管被设计为FET或MOSFET。还包括用于包括用于数据通信的电路的芯片的独立权利要求。

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