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61. 发明授权

EP1073122B1 Semiconductor integrated circuit having high-density base cell array 有权
标题翻译：一种半导体集成电路，包括高密度的底座单元阵列
公开(公告)号：EP1073122B1
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：EP00306522.4
申请日：2000-07-31
申请人： Fujitsu Semiconductor Limited
发明人： Kajii, Yoshio , Osajima, Toru
IPC分类号： H01L27/118
CPC分类号： H01L27/11807

62. 发明授权

EP1143453B1 Semiconductor memory device 有权
标题翻译：半导体存储装置
公开(公告)号：EP1143453B1
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：EP01301777.7
申请日：2001-02-27
申请人： Fujitsu Semiconductor Limited
发明人： Fujioka, Shinya c/o Fujitsu Limited , Ikeda, Hitoshi c/o Fujitsu Limited , Matsumiya, Masato c/o Fujitsu Limited
IPC分类号： G11C11/404 , G11C11/4091 , G11C11/4094 , G11C7/06 , G11C11/408
CPC分类号： G11C7/065 , G11C7/12 , G11C7/22 , G11C11/4076 , G11C11/4085 , G11C11/4091 , G11C11/4094 , G11C2207/002 , G11C2207/005 , G11C2211/4013

63. 发明公开

EP2429081A1 Receiver with feedback continuous-time delta-sigma modulator with current-mode input 审中-公开
标题翻译： Delta-Sigma-Modulator-Rückkoppelungmit Strommoduseingang的Empfängermit zeitkontinuier
公开(公告)号：EP2429081A1
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：EP11180627.9
申请日：2011-09-08
申请人： Fujitsu Semiconductor Limited
发明人： Oliaei, Omid
IPC分类号： H03M3/00
CPC分类号： H03M3/454 , H03M3/424 , H04B1/0014
摘要： In accordance with some embodiments of the present disclosure, a receiver may include a downconverter configured to demodulate a modulated wireless signal to produce a current-mode baseband signal and an analog-to-digital converter (ADC) configured to convert the current-mode baseband signal into a digital output signal. The downconverter may be coupled to the ADC without an intervening filter element.
摘要翻译：根据本公开的一些实施例，接收机可以包括下变频器，其配置成解调调制无线信号以产生电流模式基带信号，以及模数转换器（ADC），其被配置为将当前模式基带信号转换为数字输出信号。下变频器可以耦合到ADC而没有中间滤波器元件。

64. 发明授权

EP1708365B1 Voltage tolerant input circuit 有权
标题翻译：电压容限输入电路
公开(公告)号：EP1708365B1
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：EP05255633.9
申请日：2005-09-14
申请人： Fujitsu Semiconductor Limited
发明人： Suzuki, Toyoki, c/o Fujitsu VLSI Limited , Tomida, Mitsuaki, c/o Fujitsu VLSI Limited , Iwamoto, Masahiro, c/o Fujitsu VLSI Limited , Uno, Osamu, c/o Fujitsu VLSI Limited
IPC分类号： H03K19/003 , H03K19/0185
CPC分类号： H03K19/018507 , H03K19/00315

65. 发明授权

EP1701352B1 Memory device having dummy bitlines connected to voltage generator in order to prevent current leakage to substrate 有权
标题翻译：具有连接到一个电压发生器虚位线的存储装置，以防止漏电流的逃逸到基板
公开(公告)号：EP1701352B1
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：EP05013397.4
申请日：2005-06-22
申请人： Fujitsu Semiconductor Limited
发明人： Ito, Shigemasa
IPC分类号： G11C7/14
CPC分类号： G11C11/4074 , G11C7/14 , G11C11/4099

66. 发明授权

EP1748489B1 Semiconductor imaging device, fabrication process thereof and its method of use 有权
标题翻译：半导体成像器件，其制造方法和其使用
公开(公告)号：EP1748489B1
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：EP05256468.9
申请日：2005-10-19
申请人： Fujitsu Semiconductor Limited
发明人： Ohkawa, Narumi, Fujitsu Limited
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14603 , H01L27/14601 , H01L27/14623

67. 发明公开

EP2381450A1 Semiconductor memory 有权转让
标题翻译：半导体内存
公开(公告)号：EP2381450A1
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：EP11153164.6
申请日：2011-02-03
申请人： Fujitsu Semiconductor Limited
发明人： Mori, Kaoru , Uchida, Toshiya
IPC分类号： G11C16/26 , G11C16/32
CPC分类号： G11C16/26 , G11C7/18 , G11C7/227 , G11C16/24 , G11C16/32
摘要： A semiconductor memory includes a sense amplifier (SA) which operates in response to activation of a sense amplifier enable signal (SAE) and determines logic held in a nonvolatile memory cell (MC) according to a voltage of a bit line (BL), the voltage varying with a cell current flowing through a real cell transistor (MC), a replica cell transistor (RCT) coupled in series between a first node (N01) and a ground line, and a timing generation unit (TGEN). The timing generation unit (TGEN) activates the sense amplifier enable signal (SAE) when the first node (N01) coupled to the ground line via the replica cell transistor (RCT) changes from a high level to a low level. The replica cell transistor (RCT) includes a control gate receiving a constant voltage (VSA) and a floating gate coupled to the control gate. Thus, the activation timing of the sense amplifier (SA) can be optimally set in accordance with the electric characteristic of the memory cell (MC).
摘要翻译：半导体存储器包括响应于读出放大器使能信号（SAE）的激活而操作的读出放大器（SA），并且根据位线（BL）的电压确定保持在非易失性存储器单元（MC）中的逻辑，电压随着流经实际单元晶体管（MC）的单元电流，在第一节点（N01）和地线之间串联耦合的复制单元晶体管（RCT）以及时序发生单元（TGEN）而变化。当经由复制单元晶体管（RCT）耦合到地线的第一节点（N01）从高电平变为低电平时，定时生成单元（TGEN）激活读出放大器使能信号（SAE）。复制单元晶体管（RCT）包括接收恒定电压（VSA）的控制栅极和耦合到控制栅极的浮动栅极。因此，读出放大器（SA）的激活时间可以根据存储单元（MC）的电特性最佳地设定。

68. 发明授权

EP1906410B1 Semiconductors memory device with partial refresh function 有权
标题翻译：具有部分刷新功能的半导体存储器设备
公开(公告)号：EP1906410B1
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：EP07114766.4
申请日：2007-08-22
申请人： Fujitsu Semiconductor Limited
发明人： Tomita, Hiroyoshi
IPC分类号： G11C11/406 , G11C7/10 , G11C5/14
CPC分类号： G11C11/406 , G11C5/143 , G11C7/1045 , G11C11/40615 , G11C11/40618 , G11C11/40622 , G11C11/4074

69. 发明授权

EP1887582B1 Semiconductor memory with redundant rows and columns and a flexible redundancy architecture 有权
标题翻译：具有冗余行和列和灵活冗余体系结构的半导体存储器
公开(公告)号：EP1887582B1
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：EP07121234.4
申请日：2005-10-26
申请人： Fujitsu Semiconductor Limited
发明人： Mori, Kaoru Fujitsu Limited , Okuyama, Yoshiaki Fujitsu Limited
IPC分类号： G11C29/00
CPC分类号： G11C29/808 , G11C29/838

70. 发明授权

EP1548450B1 Probe card and method of testing wafer having a plurality of semiconductor devices 有权
标题翻译：探针卡和方法，用于测试具有许多半导体器件的半导体晶片
公开(公告)号：EP1548450B1
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：EP05005128.3
申请日：2000-07-10
申请人： Fujitsu Semiconductor Limited
发明人： Maruyama, Shigeyuki , Koizumi, Daisuke , Watanabe, Naoyuki , Konno, Yoshito , Yoshida, Eiji , Honda, Toshiyuki , Kawahara, Toshimi , Nagashige, Kenichi
IPC分类号： G01R1/073 , G01R31/316
CPC分类号： G01R31/2886 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05024 , H01L2224/05568 , H01L2224/05569 , H01L2224/05573 , H01L2224/11 , H05K3/326

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