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热词
    • 41. 发明公开
    • OXIME ESTER PHOTOINITIATORS
    • OXIME酯摄影师
    • EP2847167A1
    • 2015-03-18
    • EP13721682.6
    • 2013-05-06
    • BASF SE
    • NISHIMAE, YuichiKURA, HisatoshiKUNIMOTO, KazuhikoYAMAGAMI, RyuheiTANAKA, Keita
    • C07D209/88G03F7/031
    • G03F7/027C07D209/86C07D209/88C08F122/20C09D135/02G02B5/20G03F7/0007G03F7/031G03F7/033G03F7/20G03F7/2002G03F7/2037G03F7/26G03F7/30
    • Oxime ester compounds of the formula V wherein Z 2 is for example unsubstituted or substituted C 7 -C 20 aroyl; R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 and R 6 for example are hydrogen, halogen, or unsubstituted or substituted C 1 -C 20 alkyl, unsubstituted or substituted C 6 -C 20 aryl, or unsubstituted or substituted C 4 -C 20 heteroaryl; R 10 for example is hydrogen, halogen, OR 16 , unsubstituted or substituted C 1 -C 20 alkyl; R 14 is for example unsubstituted or substituted C 6 -C 20 aryl or C 3 -C 20 heteroaryl Q 3 is for example phenylene; L is for example O-alkylene-O-; R 15 is for example hydrogen or C 1 -C 20 alkyl; R 20 is for example hydrogen, or unsubstituted or substituted C 1 -C 20 alkyl; are effective photoinitiators.
    • 式I,II,III,IV或V的肟酯化合物,其中Z为例如(式A); Z 1为NO 2,未取代或取代的C 7 -C 20芳酰基或未取代或取代的C 4 -C 20杂芳酰基; 条件是至少一个Z 1不是NO 2; Z 2例如为未取代的或取代的C 7 -C 20芳酰基; 例如R 1,R 2,R 3,R 4,R 5和R 6为氢,卤素或未取代或取代的C 1 -C 20烷基,未取代或取代的C 6 -C 20芳基或未取代或取代的C 4 - C20杂芳基; 例如R 9,R 10,R 11,R 12和R 13是氢,卤素,OR 16,未取代或取代的C 1 -C 20烷基; 条件是R 9和R 13既不是氢也不是氟; R 14例如为未取代或取代的C 6 -C 20芳基或C 3 -C 20杂芳基,Q为例如C 6 -C 20亚芳基或C 3 -C 20杂亚芳基; Q 1是-C 1 -C 20亚烷基-CO-; Q 2是萘并萘; Q 3例如是亚苯基; L例如是O-亚烷基-O-; R 15例如是氢或C 1 -C 20烷基; R 20例如为氢,或未取代或取代的C 1 -C 20烷基; 是有效的光引发剂。
    • 42. 发明公开
    • A method and apparatus for fabricating a coloured component for a watch
    • 对于用于钟表制造颜色分量的方法和装置
    • EP2806315A2
    • 2014-11-26
    • EP14169164.2
    • 2014-05-20
    • Master Dynamic Limited
    • Wang, YingnanKong, Ching Tom
    • G04D3/00G04B19/12
    • G04B19/268C23C14/35G03F7/20G03F7/26G04B19/12G04D3/0092
    • A method of fabricating a component including a wafer for use in a watch includes depositing a first thin film (301) onto the wafer (300), the first thin film being adapted to allow light reflected away from the wafer to be indicative of a first colour characteristic. The first thin film (301) may include silicon nitride and have a refractive index greater than 2. The method may also include defining a pattern (12, 13) on the first thin film (301) using photolithography and processing a region within a boundary of the pattern, e.g. by depositing a metal or a ceramic material within the boundary of the pattern, so that the region allows light reflected away from the wafer (300) to be indicate of a second colour characteristic.
    • 一种制造构件包括用于在手表中使用的晶片的方法包括,在这些晶片(300)上沉积第一薄膜(301),所述第一薄膜是angepasst以允许反射的光从晶片离开为指示第一的 色彩特性。 所述第一薄膜(301)可以包括硅氮化物和具有折射率大于2因此,该方法可以包括图案限定在第一薄膜(301)(12,13),使用光刻法和边界内的处理的区域 图案的,例如 由金属或图案的边界内的陶瓷材料上沉积,象区域允许光反射从晶片(300)要离开的第二颜色特性的指示。