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31. 发明公开

EP3306650A4 PLASMA-ASSISTED MICROSTRUCTURE ALIGNMENT AND PRE-BONDING METHOD OF GLASS OR QUARTZ CHIP 有权
公开(公告)号：EP3306650A4
公开(公告)日：2018-07-25
申请号：EP15903951
申请日：2015-11-17
申请人： UNIV BEIJING TECHNOLOGY
发明人： GUO GUANGSHENG , WANG SIYU , PU QIAOSHENG , WANG XIAYAN
IPC分类号： H01L21/20 , B81C3/00 , H01L21/68
CPC分类号： H01L21/67028 , B81C1/00928 , B81C3/001 , B81C3/002 , B81C2201/0102 , B81C2201/0128 , B81C2201/0133 , B81C2201/019 , B81C2203/051 , H01L21/68
摘要： The plasma-assisted method of precise alignment and pre-bonding for microstructure of glass and quartz microchip belongs to micromachining and bonding technologies of the microchip. The steps of which are as follows: photoresist and chromium layers on glass or quartz microchip are completely removed followed by sufficient cleaning of the surface with nonionic surfactant and quantities of ultra-pure water. Then the surface treatment is proceeded for an equipping surface with high hydrophily with the usage of plasma cleaning device. Under the drying condition, the precise alignment is accomplished through moving substrate and cover plate after being washed with the help of microscope observation. Further on, to achieve precise alignment and pre-bonding of the microstructure of glass and quartz microchip, a minute quantity of ultrapure water is instilled into a limbic crevice for adhesion, and entire water is completely wiped out by vacuum drying following sufficient squeezing. Based on the steps above, it is available to achieve permanent bonding by further adopting thermal bonding method. In summary, it takes within 30 min to finish the whole operation of precise alignment and pre-bonding by this method. Besides, this method is of great promise because of its speediness, efficiency, easy maneuverability, operational safety and wide applications.

32. 发明授权

EP2871482B1 MICROCHIP AND METHOD FOR PRODUCING MICROCHIP 有权
公开(公告)号：EP2871482B1
公开(公告)日：2018-07-18
申请号：EP13817319.0
申请日：2013-05-09
申请人： Sony Corporation
发明人： WATANABE, Hidetoshi , SEGAWA, Yuji , KATO, Yoshiaki
IPC分类号： G01N35/08 , B01J19/00 , G01N37/00
CPC分类号： B32B27/08 , B01L3/502707 , B01L2200/0689 , B01L2300/0816 , B01L2300/0887 , B32B3/30 , B32B27/283 , B32B37/12 , B32B2383/00 , B32B2457/00 , B81B2201/058 , B81B2203/0323 , B81B2203/0338 , B81C3/001 , B81C2203/032 , G01N2035/00158 , Y10T428/24612
摘要： There is provided a microchip including a plurality of substrate layers, and bonding layers provided at boundary surfaces between the substrate layers and configured to include a silicon compound. At least one of the bonding layers is configured to include an organic silicon compound.

33. 发明公开

EP3327514A3 MECHANICAL COMPONENT, TIMEPIECE, MANUFACTURING METHOD OF MECHANICAL COMPONENT, AND MANUFACTURING METHOD OF TIMEPIECE 无效
公开(公告)号：EP3327514A3
公开(公告)日：2018-06-06
申请号：EP17203766.5
申请日：2017-11-27
申请人： Seiko Epson Corporation
发明人： SHIBUYA, Munehiro , FUNAKAWA, Takeo
IPC分类号： G04B13/02 , B81C3/00 , G04D3/00
CPC分类号： G04B13/026 , B81C3/001 , B81C3/005 , B81C2203/037 , G04B13/022 , G04B31/012 , G04D3/0028
摘要： An escape wheel or a mechanical component including an axle member, and a rotation portion having a rim with tooth portions and a holding portion for holding the axle member. The holding portion has a plurality of projection portions formed to project into a through-hole into which the axle member is inserted. An elastic portion extending from between the projection portions adjacent to each other can be provided between the holding portion and the rim portion.

34. 发明公开

EP3262694A1 TRANSFERRING METHOD, MANUFACTURING METHOD, DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS OF MICRO-LED 有权
公开(公告)号：EP3262694A1
公开(公告)日：2018-01-03
申请号：EP15906439.3
申请日：2015-10-20
申请人： Goertek. Inc
发明人： ZOU, Quanbo , WANG, Zhe
IPC分类号： H01L33/08
CPC分类号： H01L25/0753 , B81C3/001 , H01L21/673 , H01L21/67781 , H01L33/0079 , H01L2224/95
摘要： The present invention discloses a transferring method, a manufacturing method, a device and an electronics apparatus of micro-LED. The method for transferring micro-LED at wafer level comprises: temporarily bonding micro-LEDs on a laser-transparent original substrate onto a carrier substrate via a first bonding layer; irradiating the original substrate with laser, to lift-off selected micro-LEDs; performing a partial release on the first bonding layer, to transfer the selected micro-LEDs to the carrier substrate; temporarily bonding the micro-LEDs on the carrier substrate onto a transfer head substrate via a second bonding layer; performing a full release on the first bonding layer, to transfer the micro-LEDs to the transfer head substrate; bonding the micro-LEDs on the transfer head substrate onto a receiving substrate; and removing the transfer head substrate by releasing the second bonding layer, to transfer the micro-LEDs to the receiving substrate.

35. 发明公开

EP3165502A1 DISPOSITIF MICROÉLECTRONIQUE 有权
标题翻译：微电子器件
公开(公告)号：EP3165502A1
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：EP16197023.1
申请日：2016-11-03
申请人： COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES
发明人： OUKASSI, Sami , BAILLIN, Xavier
IPC分类号： B81C3/00 , C03C3/16 , C03C17/02 , C03C27/00
CPC分类号： H01M10/0525 , B32B3/30 , B32B7/12 , B32B2307/202 , B32B2457/00 , B32B2457/10 , B81C3/001 , B81C2203/031 , C03C3/16 , C03C17/02 , C03C27/00 , C03C2218/155 , H01M4/0402 , H01M4/08 , H01M4/58 , H01M6/14 , H01M10/058
摘要： La présente invention concerne un dispositif microélectronique comprenant : un premier support (1), un deuxième support (2), des premières faces respectives des premier et deuxième supports (1, 2) étant disposées en regard, et une couche de scellement (4) entre lesdites premières faces, caractérisé en ce que la couche de scellement (4) comprend au moins une couche d'un matériau conducteur ionique de formule Li x P y O z N w , avec x strictement supérieur à 0 et inférieur ou égal à 4.5, y strictement supérieur à 0 et inférieur ou égal à 1, z strictement supérieur à 0 et inférieur ou égal à 5.5, w supérieur ou égal à 0 et inférieur ou égal à 1.
摘要翻译：本发明涉及一种包括微电子器件：第一支承件（1），第二支撑件（2），所述第一和第二支撑件的相应的第一面（1，2）被相对设置，和一个密封层（4）所述第一面之间，其特征在于，所述密封层（4）包括式LixPyOzNw，其中x是严格大于0且小于或等于4.5，Y大于0严格大于和的离子导电材料的至少一个层小于或等于1，z严格大于0且小于或等于5.5，w大于或等于0且小于或等于1。

36. 发明公开

EP3156361A1 MICROSYSTÈME ÉLECTROMÉCANIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION 有权
标题翻译： ELEKTROMECHANISCHES MIKROSYSTEM MIT ENTKOPPELSCHICHT UND SEIN HERSTELLUNGSVERFAHREN
公开(公告)号：EP3156361A1
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：EP16190126.9
申请日：2016-09-22
申请人： Thales
发明人： FILHOL, Fabien , LEFORT, Pierre-Olivier , LEVERRIER, Bertrand , QUER, Régis , CHAUMET, Bernard
IPC分类号： B81B7/00
CPC分类号： B81B7/0016 , B81B7/0048 , B81B7/0051 , B81B2203/0307 , B81C1/00269 , B81C3/001 , B81C2201/019 , H01L23/10
摘要： Microsystème électromécanique (1) comprenant un assemblage (1e) d'une pluralité de couches empilées selon une direction d'empilement (z) comprenant une couche active (2) en silicium monocristallin comprenant une structure active (3), et un premier capot (4) et un deuxième capot (5) délimitant une cavité (6) autour de la structure active (3), la couche active (2) étant interposée entre le premier capot (4) et le deuxième capot (5), le deuxième capot (5) comprenant une unique couche (8) en silicium monocristallin. L'assemblage (1e) comprend en outre, une couche de découplage (9) en silicium monocristallin comprenant :
- un élément de report (10) destiné à être fixé à un support (11),
- un cadre (12) entourant l'élément de report (10) dans le plan de la couche de découplage (9),
- une structure de découplage mécanique (13) reliant le cadre (12) et la structure de report (10), la structure de découpage mécanique (13) permettant de relier de façon flexible l'élément de report (10) au cadre (12),
Le cadre (12) est solidaire de la couche de silicium (8) du deuxième capot (5) et au plus un film d'un matériau est interposé entre ledit cadre (12) et ladite couche de silicium (8) du deuxième capot (5). Le matériau est du dioxyde de silicium.
摘要翻译：包括层叠方向堆叠的层的组件的微机电系统包括由包括活性结构的单晶硅制成的有源层，以及限定活性结构周围的空腔的第一和第二盖，插入在第一和第二盖，第二盖包括由单晶硅制成的单层。组件包括由单晶硅制成的去耦层，包括：紧固到载体上的连接元件，环绕着解耦层平面中的连接元件的框架以及连接框架和连接结构的机械解耦结构，机械解耦结构允许附接元件柔性地接合到框架。框架被固定到第二盖的硅层，并且至少一个二氧化硅膜插入在第二盖的框架和硅层之间。

37. 发明授权

EP2157605B1 ELECTRONIC PART APPARATUS AND PROCESS FOR MANUFACTURING THE SAME 有权
标题翻译：电子元件和器件制造工艺及其
公开(公告)号：EP2157605B1
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：EP08721431.8
申请日：2008-03-06
申请人： Murata Manufacturing Co. Ltd.
发明人： KIMURA, Yuji , HORIGUCHI, Hiroki
IPC分类号： H01L23/02 , B81C1/00 , B81C3/00 , H01L23/00
CPC分类号： B81C3/001 , B81C1/00269 , B81C2203/0109 , B81C2203/019 , B81C2203/036 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/97 , H01L2224/16 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01327 , H01L2924/09701 , H01L2924/1461 , H01L2924/15153 , H01L2924/15165 , H01L2924/15787 , H01L2924/16152 , H01L2924/16195 , H01L2924/166 , H01L2924/3025 , Y10T428/31678 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2224/0401 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： To shorten the time required for bonding conductor films containing high melting point metals containing, for example, Cu as the main component using a low melting point metal containing, for example, Sn as the main component. A heat bonding process is carried out in a state where low melting point metal layers (16 and 18) containing low melting point metals containing, for example, Sn as the main component in such a manner as to sandwich, in the thickness direction, a high melting point metal layer (17) containing a high melting point metal containing, for example, Cu as the main component which is the same as high melting point metals constituting first and second conductor films (13 and 14) to be bonded. In order to generate an intermetallic compound of the high melting point metal and the low melting point metal, the distance in which the high melting point metal is to be diffused in each of the low melting point metal layers (16 and 18) can be shortened. Thus, the time required for the diffusion can be shortened, and thus the time required for the bonding can be shortened.

38. 发明公开

EP3012220A1 VERFAHREN ZUM VERBINDEN ZWEIER SUBSTRATE, ENTSPRECHENDE ANORDNUNG ZWEIER SUBSTRATE UND ENTSPRECHENDES SUBSTRAT 有权
标题翻译：法双基板联接，相当于两片基板的布局与相应的底物
公开(公告)号：EP3012220A1
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：EP15185827.1
申请日：2015-09-18
申请人： ROBERT BOSCH GMBH
发明人： Frey, Peter , Schelling, Christoph , Borowsky, David
IPC分类号： B81C1/00 , B81C3/00
CPC分类号： B81C1/00269 , B81C3/001
摘要： Die Erfindung schafft ein Verfahren zum Verbinden zweier Substrate, eine entsprechende Anordnung zweier Substrate und ein entsprechendes Substrat. Das Verfahren umfasst die Schritte: Bereitstellen eines ersten Substrats (S1) mit einer ersten Vorderseite (V1) und einer ersten Rückseite (R1) und eines zweiten Substrats (S2) mit einer zweiten Vorderseite (V2) und einer zweiten Rückseite (R2); Aufbringen einer ersten Diffusionsbarriereschicht (D1) auf die erste Vorderseite (V1) und einer zweiten Diffusionsbarriereschicht (D2) auf die zweite Vorderseite (V2); Aufbringen eines ersten Bondbereichs mit mindestens einer ersten Bondmaterialschicht auf die erste Diffusionsbarriereschicht (D1) und eines zweiten Bondbereichs mit mindestens einer zweiten Bondmaterialschicht (B21, B22) auf die zweite Diffusionsbarriereschicht (D2); Aufbringen einer ersten Oxidationsschutzschicht (O1) mindestens auf den ersten Bondbereich; Aufheizen wenigstens des ersten Substrats (S1) im vom zweiten Substrat (S2) getrennten Zustand auf eine erste Temperatur, bei der die erste Oxidationsschutzschicht (O1) in den ersten Bondbereich zum Ausbilden eines modifizierten ersten Bondbereichs (B1') zumindest teilweise eindiffundiert; anschließendes Zusammenbringen des ersten Substrats (1a) und des zweiten Substrats (1 b), so dass sich der erste modifizierte erste Bondbereich (B1') und der zweite Bondbereich (B2) gegenüberliegen; und Aufheizen des ersten und zweiten Substrats (S1; S2) im zusammengebrachten Zustand auf eine zweite Temperatur, bei der wenigstens eine Komponente des ersten oder zweiten Bondbereichs aufschmilzt, und anschließendes Abkühlen zum Ausbilden eines festen Bondverbindungsbereichs zwischen dem ersten Substrat (S1) und dem zweiten Substrat (S2).
摘要翻译：本发明提供键合二个衬底，两个衬底的一个适当的排列和合适的底物的方法。该方法包括以下步骤：提供具有第二前侧（V2）和第二后表面（R2）的第一前表面（V1）和第一背面（R1）和第二基板（S2）的第一基板（S1）; 施加第一扩散阻挡层（D1）到所述第一前表面（V1）和第二扩散阻挡层（D2）到所述第二前表面（V2）; 沉积第一粘合区域至少包括所述第一扩散阻挡层（D1）和第二接合区域与至少所述第二扩散阻挡层（D2）上的第二粘结材料层（B21，B22）上的第一接合材料层; 施加第一氧化保护层（01）至少与所述第一接合区; 加热至少该第一基板（S1）在上述第二基板（S2）分离状态到第一温度，其中，在第一接合区域中的第一抗氧化层（01）以形成一个修改的第一接合区域（B1“）至少部分地扩散; 然后使所述第一衬底（1a）和第二基板（1b）中，使得所述第一修改的第一接合区域（B1“）和所述第二接合区域（B2）对置; 以及加热所述第一和第二基板（S1; S2）在第二温度下在匹配状态在所述第一或第二接合区的至少一个部件的熔点，然后冷却，以形成所述第一基板（S1）和第二之间的固体接合区域底物（S2）。

39. 发明授权

EP2444149B1 MANUFACTURING METHOD FOR SMALL-SIZED REACTORS 无效转让
标题翻译：用于生产小型平板REACTORS
公开(公告)号：EP2444149B1
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：EP10789547.6
申请日：2010-06-17
申请人： Dexerials Corporation
发明人： KANEKO, Yuji , ENDO, Katsunobu , SAKAKIBARA, Shigeshi , SHINODA, Kazuhiro
IPC分类号： B01J19/00 , B81B1/00 , B81C3/00 , C03C27/06 , G01N37/00
CPC分类号： B81C3/001 , B01J19/0093 , B01J2219/00783 , B01J2219/00831 , B81B2201/051 , B81C2201/019 , B81C2203/036 , C03C19/00 , C03C23/0085 , C03C27/06 , C03C2204/08

40. 发明授权

EP1859475B1 METHOD OF FABRICATION OF AL/GE BONDING IN A WAFER PACKAGING ENVIRONMENT AND A PRODUCT PRODUCED THEREFROM 有权转让
标题翻译：在晶圆包装环境中制造AL / GE粘结的方法及由此制造的产品
公开(公告)号：EP1859475B1
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：EP06737697.0
申请日：2006-03-09
申请人： InvenSense, Inc.
发明人： NASIRI, Steven, S. , FLANNERY, Anthony, Francis, Jr.
IPC分类号： B81C1/00 , H01L21/00 , H01L21/30 , H01L27/14 , H01L29/82 , H01L23/48
CPC分类号： B81C1/00238 , B23K20/023 , B81B3/0018 , B81B7/007 , B81B2203/0315 , B81B2207/012 , B81B2207/094 , B81C1/00269 , B81C3/001 , B81C2203/0118 , B81C2203/035 , B81C2203/038 , B81C2203/0792 , H01L21/187
摘要： A wafer structure comprising a first substrate comprising a cover wafer, the first substrate including at least one patterned germanium layer; and a second substrate, the second substrate including at least one patterned aluminum layer; characterized in that the at least one patterned germanium layer is bonded to a first portion of the at least one patterned aluminum layer to provide a eutectic alloy and create an electrical and mechanical contact; characterized in that a second portion of the at least one patterned aluminum layer is not bonded to the at least one patterned germanium layer and forms an external bond pad; and characterized in that the first substrate and second substrate form a cavity containing a MEMS structure within the bonded at least one germanium layer and first portion of the at least one patterned aluminum layer.

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