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91. 发明公开

EP3551963A1 WAVEGUIDE INTERFEROMETER 有权转让
公开(公告)号：EP3551963A1
公开(公告)日：2019-10-16
申请号：EP17826619.3
申请日：2017-12-06
申请人： Inphotech Spolka z Ograniczona Odpowiedzialnoscia
发明人： NASILOWSKI, Tomasz , NAPIERALA, Marek , OSTROWSKI, Lukasz , SZOSTKIEWICZ, Lukasz , WYSOKINSKI, Karol , MAKOWSKA, Anna , PYTEL, Anna , MURAWSKI, Michal , BUDNICKI, Dawid , FIDELUS, Janusz , HOLDYNSKI, Zbigniew
IPC分类号： G01B9/02 , G01B11/06 , G02B6/00

92. 发明公开

EP3548836A1 BESTIMMUNG DER ANORDNUNG EINES PROBENOBJEKTS MITTELS WINKELSELEKTIVER BELEUCHTUNG 有权
公开(公告)号：EP3548836A1
公开(公告)日：2019-10-09
申请号：EP17787400.5
申请日：2017-10-20
申请人： Carl Zeiss Microscopy GmbH
发明人： STOPPE, Lars , OHRT, Thomas , STICKER, Markus
IPC分类号： G01B11/06 , G02B21/24 , G06T7/55 , G01B11/02

93. 发明授权

EP3400415B1 SCHICHTDICKENMESSUNG VON ERDABDECKUNGEN 有权
公开(公告)号：EP3400415B1
公开(公告)日：2019-10-09
申请号：EP17714722.0
申请日：2017-03-30
申请人： Siemens Aktiengesellschaft
发明人： BIRCHBAUER, Josef Alois , HATZL, Jürgen , HORNACEK, Michael , WAKOLBINGER, Stefan , HÖDLMOSER, Michael , WINDISCH, Claudia
IPC分类号： G01B21/08 , G01B11/06

94. 发明公开

EP3516373A1 METHOD FOR CHARACTERISING A MATERIAL WITH LAYERED STRUCTURE AND A MEASURING SYSTEM 有权转让
公开(公告)号：EP3516373A1
公开(公告)日：2019-07-31
申请号：EP16766988.6
申请日：2016-09-20
申请人： Das-Nano, S.L.
发明人： LÓPEZ ZORZANO, Alex , ETAYO SALINAS, David , FERNANDEZ VÁLLEJO, Monserrat , CHUDZIK, Magdalena , REDÓ SÁNCHEZ, Albert , AZANZA LADRÓN
IPC分类号： G01N21/3581 , G01B11/06 , G01N21/84 , G01N21/3586

95. 发明授权

EP3015818B1 METHOD FOR CLASSIFYING METAL TUBES ACCORDING TO THEIR ECCENTRICITY 有权
公开(公告)号：EP3015818B1
公开(公告)日：2019-06-19
申请号：EP15191858.8
申请日：2015-10-28
申请人： DANIELI & C. OFFICINE MECCANICHE S.p.A.
发明人： ANGELILLI, Andrea , CRESPAN, Luca
IPC分类号： G01B17/02 , G01B5/252 , G01B7/312 , G01B11/06

96. 发明授权

EP2844954B1 SYSTEM AND METHOD FOR CORRECTING CALIPER MEASUREMENTS OF SHEET PRODUCTS IN SHEET MANUFACTURING OR PROCESSING SYSTEMS 有权
公开(公告)号：EP2844954B1
公开(公告)日：2019-06-05
申请号：EP13784594.7
申请日：2013-04-10
申请人： Honeywell Asca Inc.
发明人： HARAN, Frank, M. , TIXIER, Sebastien , HUGHES, Michael, K., Y. , DUCK, Graham, I. , SHAKESPEARE, John, F.
IPC分类号： G01B7/06 , G01B21/04 , G01B11/06 , G01N33/34

97. 发明公开

EP3475652A1 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR BESTIMMUNG EINER SCHICHTDICKE EINER ORGANISCHEN SCHICHT AUF EINER OBERFLÄCHE MITTELS INFRAROTSPEKTROSKOPIE 有权
公开(公告)号：EP3475652A1
公开(公告)日：2019-05-01
申请号：EP17731894.6
申请日：2017-06-21
申请人： Tummuscheit, Michael
发明人： HUTH-FEHRE, Thomas , TUMMUSCHEIT, Michael
IPC分类号： G01B21/08 , G01B11/06

98. 发明公开

EP3472554A1 TERAHERTZ-MESSVORRICHTUNG UND EIN TERAHERTZ-MESSVERFAHREN, ZUR VERMESSUNG EINES PRÜFOBJEKTES MITTELS EINER LAUFZEITMESSUNG 有权
公开(公告)号：EP3472554A1
公开(公告)日：2019-04-24
申请号：EP17739853.4
申请日：2017-06-16
申请人： iNOEX GmbH Innovationen und Ausrüstungen für die Extrusionstechnik
发明人： KLOSE, Ralph
IPC分类号： G01B11/06 , G01N21/3586

99. 发明公开

EP3435027A1 KONFOKALMIKROSKOP ZUR SCHICHTDICKENMESSUNG UND MIKROSKOPIEVERFAHREN ZUR SCHICHTDICKENMESSUNG 有权
公开(公告)号：EP3435027A1
公开(公告)日：2019-01-30
申请号：EP18181383.3
申请日：2018-07-03
申请人： Carl Zeiss Microscopy GmbH
发明人： VAUPEL, Dr., Matthias , LANGHOLZ, Dr., Nils
IPC分类号： G01B11/06 , G02B21/00
摘要： Ein Konfokalmikroskop zur Schichtdickenmessung umfasst: Optikelemente zum Leiten und Fokussieren von Beleuchtungslicht auf eine Probe; eine Fokusverstelleinrichtung, mit welcher entlang einer optischen Achse des Konfokalmikroskops eine Relativverstellung zwischen einer Fokusposition des Beleuchtungslichts und einer Probenposition vorgenommen wird; eine konfokal angeordnete Lichtmesseinrichtung, mit welcher Messsignale zu unterschiedlichen Einstellungen der Fokusverstelleinrichtung aufnehmbar sind; eine Auswerteeinrichtung zum Bestimmen einer Schichtdicke der Probe, wozu die Auswerteeinrichtung aus einer von der Lichtmesseinrichtung aufgenommenen Messkurve, welche eine gemessene Lichtintensität in Abhängigkeit der Fokusposition angibt, Intensitätsbanden-Positionen von zumindest zwei Intensitätsbanden bestimmt und auf Basis einer Positionsdifferenz zwischen den Intensitätsbanden-Positionen auf eine Schichtdicke schließt. Die Auswerteeinrichtung ist dazu eingerichtet, auf die Schichtdicke mit Hilfe eines mathematischen Modells zu schließen, welches für überlappende Intensitätsbanden eine Abhängigkeit der Intensitätsbanden-Positionen von zumindest einer Lichtwellenlänge und der Schichtdicke unter Berücksichtigung von Interferenz des Beleuchtungslichts an der Schicht beschreibt.

100. 发明授权

EP3150959B1 METHOD FOR MEASURING THICKNESS VARIATIONS IN A LAYER OF A MULTILAYER SEMICONDUCTOR STRUCTURE 有权
公开(公告)号：EP3150959B1
公开(公告)日：2018-12-26
申请号：EP15306552.9
申请日：2015-10-02
申请人： Soitec
发明人： KONONCHUCK, Oleg
IPC分类号： G01B11/30 , G01B11/06 , H01L21/66
CPC分类号： G01B11/0641 , G01B11/0633 , G01B11/30 , H01L22/12 , H01L29/0649 , H01L29/16
摘要： The invention relates to a method for measuring thickness variations in a first layer (1) of a multilayer semiconductor structure (S), comprising: - acquiring, with an image acquisition system, an image of at least one zone of the surface of said structure, said image being obtained by reflecting a quasi-monochromatic light flux on said zone of the surface of said structure, - processing said acquired image so as to determine, from intensity variations of the light reflected by said zone of the surface, a map of the thickness variations of said first layer (1), said treatment comprising comparing the intensity of each pixel of the image with a predetermined calibration curve defining a relationship between the intensity of a pixel of the acquired image and a local thickness of the first layer (1), said calibration curve being determined for a given thickness of a second layer (2) of the structure different from the first layer (1), wherein the wavelength of said quasi-monochromatic light flux is selected so as to correspond to a minimum of the sensitivity of the reflectivity with respect to said second layer (2), said method being characterized in that it further comprises: - measuring the thickness of the second layer (2) in said at least one zone of the surface of the structure, - if said measured thickness is different from the thickness of the second layer (2) considered in the calibration curve, applying a correction curve to the map of the thickness variations, wherein said correction curve defines, for said measured thickness of the second layer (2), a relationship between a thickness of the first layer (1) and a correction factor to apply to the map of the thickness variations of the first layer (1), so as to determine a corrected map of thickness variations of the first layer.

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