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1. 发明公开

CN104685612A 三端子PIN二极管无效
公开(公告)号：CN104685612A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201380051221.5
申请日：2013-08-27
申请人：先进能源工业公司
发明人： G·范齐尔 , G·G·古罗夫
IPC分类号： H01L21/331 , H01L29/737
CPC分类号： H01L29/737 , H01L29/0821 , H01L29/36 , H01L29/66234 , H01L29/73 , H03K17/68
摘要：本公开内容描述了具有集电极、基极、发射极以及位于所述集电极与所述基极之间的本征区的开关。所述本征区提高了开关的效率并且降低了损耗。所述集电极、基极和发射极均具有相应的端子，并且通过所述基极端子的电流的AC分量大于通过所述发射极端子的电流的AC分量。此外，在接通状态下，所述基极端子与所述集电极端子之间的第一交流电流大于所述集电极端子与所述发射极端子之间的第二交流电流。换言之，AC主要在所述集电极与所述基极之间传递，并且由所述基极与所述发射极之间的DC电流来控制。

2. 发明公开

CN1039665A 带故障保护的双向直流电力控制器失效
公开(公告)号：CN1039665A
公开(公告)日：1990-02-14
申请号：CN89104469.8
申请日：1989-07-05
申请人：西屋电气公司
发明人：威廉·W·比林斯 , 大卫·A·福克斯
IPC分类号： G05F5/02
CPC分类号： H02H3/087 , H02J1/10 , H03K17/68 , H03K2217/0009 , H03K2217/0027
摘要：为一种双向直流电力控制器提供了一个连接在一对接线端(12，14)之间的双向直流开关(10)，该一对接线端是用于连接输电导线(16，20)的。连接了一对差分放大器(U2，U3)用于接收这两个接线端上的电压。每一放大器生成一个输出电压信号，当一个接线端上的电压大于另一个接线端上的电压时，该电压信号与这两个接线端上的电压之差成正比，而当第二个接线端上的电压大于(或等于)第一个接线端上的电压时，该电压信号为常量。合并差分放大器的输出以生成一个与接线端上电压之差的绝对值成正比的控制电压信号。这一控制信号用于控制双向直流开关的操作。

3. 发明公开

CN103444078A 在可变电抗电路中使用BJT开关的阻抗匹配网络有权转让
公开(公告)号：CN103444078A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201280014097.0
申请日：2012-01-12
申请人：先进能源工业公司
发明人： G·范齐尔 , G·G·古罗夫
IPC分类号： H03H7/40 , H03H11/30 , H01L21/3065 , H05H1/46
CPC分类号： H03H11/30 , H01J37/32183 , H03H5/12 , H03H7/38 , H03K17/16 , H03K17/60 , H03K17/68 , H05H1/46 , H05H2001/4682
摘要：本公开描述了用于对从射频发生器向半导体处理室中的等离子体负载发射的射频功率进行阻抗匹配的系统、方法和设备。经由具有可变电抗电路的匹配网络进行阻抗匹配。可变电抗电路能够包括一个或多个电抗元件，全部都连接到第一端子并经由开关有选择地短接到第二端子。开关能够包括具备偏置电路控制的双极结型晶体管（BJT）或绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。在导通状态中，对BJT基极-发射极结进行正向偏置，在集电极端子和基极端子之间传导AC。于是，AC主要从集电极向基极通过BJT，而不是从集电极向发射极通过。此外，可以修改用于真空可变电容器的经典匹配网络拓扑，使得电压不会在修改的拓扑中使BJT过载。

4. 发明授权

CN1023668C 带故障保护的双向直流电力控制器失效
公开(公告)号：CN1023668C
公开(公告)日：1994-02-02
申请号：CN89104469.8
申请日：1989-07-05
申请人：森德斯特兰德公司
发明人：威廉·W·比林斯 , 大卫·A·福克斯
IPC分类号： G05F5/02 , H02H3/28
CPC分类号： H02H3/087 , H02J1/10 , H03K17/68 , H03K2217/0009 , H03K2217/0027
摘要：为一种双向直流电力控制器提供了一个连接在一对接线端(12，14)之间的双向直流开关(10)，该一对接线端是用于连接输电导线(16，20)的。连接了一对差分放大器(U2，U3)用于接收这两个接线端上的电压。每一放大器生成一个输出电压信号，当一个接线端上的电压大于另一个接线端上的电压时，该电压信号与这两个接线端上的电压之差成正比，而当第二个接线端上的电压大于(或等于)第一个接线端上的电压时，该电压信号为常量。合并差分放大器的输出以生成一个与接线端上电压之差的绝对值成正比的控制电压信号。这一控制信号用于控制双向直流开关的操作。

5. 发明授权

CN103444078B 在可变电抗电路中使用BJT开关的阻抗匹配网络有权转让
公开(公告)号：CN103444078B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201280014097.0
申请日：2012-01-12
申请人：先进能源工业公司
发明人： G·范齐尔 , G·G·古罗夫
IPC分类号： H03H7/40 , H03H11/30 , H01L21/3065 , H05H1/46
CPC分类号： H03H11/30 , H01J37/32183 , H03H5/12 , H03H7/38 , H03K17/16 , H03K17/60 , H03K17/68 , H05H1/46 , H05H2001/4682
摘要：本公开描述了用于对从射频发生器向半导体处理室中的等离子体负载发射的射频功率进行阻抗匹配的系统、方法和设备。经由具有可变电抗电路的匹配网络进行阻抗匹配。可变电抗电路能够包括一个或多个电抗元件，全部都连接到第一端子并经由开关有选择地短接到第二端子。开关能够包括具备偏置电路控制的双极结型晶体管（BJT）或绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。在导通状态中，对BJT基极-发射极结进行正向偏置，在集电极端子和基极端子之间传导AC。于是，AC主要从集电极向基极通过BJT，而不是从集电极向发射极通过。此外，可以修改用于真空可变电容器的经典匹配网络拓扑，使得电压不会在修改的拓扑中使BJT过载。

6. 发明公开

CN104360143A 负载过零点检测电路及方法，负载电压检测电路及方法有权
公开(公告)号：CN104360143A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410729856.2
申请日：2014-12-04
申请人：杰华特微电子(杭州)有限公司
发明人：黄必亮 , 陆阳 , 季悦 , 任远程 , 周逊伟
IPC分类号： G01R19/175 , G01R19/25
CPC分类号： H03K5/1536 , G01R19/175 , H03K5/2454 , H03K5/2463 , H03K17/133 , H03K17/68 , H05B33/0815
摘要：一种电流过零点检测电路及方法，负载电压检测电路及方法，所述电流过零点检测电路，包括：负载电源电路、分压电阻、开关管、过零点检测电路，所述负载电源电路包括负载、二极管和电感，开关管所述分压电阻的第二端连同所述开关管的第二端接地，利用所述开关管对于负载电压进行控制，所述分压电阻的分压端与过零点检测电路的信号输入端相连接，利用过零点检测电路判断二极管电流是否过零点，从而获得二极管导通时间。且所述负载电压检测电路利用二极管导通时间和开关管导通时间，可以获得负载电压。所述电路结构简单，检测效率高，成本低。

7. 发明授权

CN104360143B 电流过零点检测电路及方法，负载电压检测电路及方法有权
公开(公告)号：CN104360143B
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201410729856.2
申请日：2014-12-04
申请人：杰华特微电子(杭州)有限公司
发明人：黄必亮 , 陆阳 , 季悦 , 任远程 , 周逊伟
IPC分类号： G01R19/175 , G01R19/25
CPC分类号： H03K5/1536 , G01R19/175 , H03K5/2454 , H03K5/2463 , H03K17/133 , H03K17/68 , H05B33/0815
摘要：一种电流过零点检测电路及方法，负载电压检测电路及方法，所述电流过零点检测电路，包括：负载电源电路、分压电阻、开关管、过零点检测电路，所述负载电源电路包括负载、二极管和电感，开关管所述分压电阻的第二端连同所述开关管的第二端接地，利用所述开关管对于负载电压进行控制，所述分压电阻的分压端与过零点检测电路的信号输入端相连接，利用过零点检测电路判断二极管电流是否过零点，从而获得二极管导通时间。且所述负载电压检测电路利用二极管导通时间和开关管导通时间，可以获得负载电压。所述电路结构简单，检测效率高，成本低。

8. 发明授权

CN103238198B 电磁接触器有权转让
公开(公告)号：CN103238198B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201280003642.6
申请日：2012-04-03
申请人：富士电机机器制御株式会社 , 富士电机株式会社
发明人：高谷幸悦 , 中康弘 , 铃木健司 , 山本祐一 , 柴雄二
IPC分类号： H01H50/38
CPC分类号： H01H1/06 , H01H9/443 , H01H50/14 , H01H50/163 , H01H50/22 , H01H50/38 , H01H50/42 , H01H51/065 , H03K17/68
摘要：本发明提供即使对大电流进行开闭，也能使整个构成小型化的电磁接触器。电磁接触器（10）包含触点装置（100）和电磁铁单元（200）。触点装置（100）在一对固定触点（111）、（112）上形成C字状触点部，C字状触点部内可接触和分离地设置可动触点（130）的两端。电磁铁单元（200）包含U字状的磁轭（201）、架设在该开放部的上部磁轭（210）、缠绕有设置在磁轭的励磁线圈（208）的线轴（204）、设在线轴（204）的中心部且连接于可动触点（130）的可动铁心（215）、设置在上部磁轭（210）上以包围可动铁心（215）的前端侧的周边凸缘部的环状永久磁铁（220）。

9. 发明公开

CN103238198A 电磁接触器有权转让
公开(公告)号：CN103238198A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201280003642.6
申请日：2012-04-03
申请人：富士电机机器制御株式会社 , 富士电机株式会社
发明人：高谷幸悦 , 中康弘 , 铃木健司 , 山本祐一 , 柴雄二
IPC分类号： H01H50/38
CPC分类号： H01H1/06 , H01H9/443 , H01H50/14 , H01H50/163 , H01H50/22 , H01H50/38 , H01H50/42 , H01H51/065 , H03K17/68
摘要：本发明提供即使对大电流进行开闭，也能使整个构成小型化的电磁接触器。电磁接触器（10）包含触点装置（100）和电磁铁单元（200）。触点装置（100）在一对固定触点（111）、（112）上形成C字状触点部，C字状触点部内可接触和分离地设置可动触点（130）的两端。电磁铁单元（200）包含U字状的磁轭（201）、架设在该开放部的上部磁轭（210）、缠绕有设置在磁轭的励磁线圈（208）的线轴（204）、设在线轴（204）的中心部且连接于可动触点（130）的可动铁心（215）、设置在上部磁轭（210）上以包围可动铁心（215）的前端侧的周边凸缘部的环状永久磁铁（220）。

10. 发明申请

WO2012099774A1 IMPEDANCE-MATCHING NETWORK USING BJT SWITCHES IN VARIABLE-REACTANCE CIRCUITS 审中-公开
标题翻译：使用可变电阻电路中的BJT开关的阻抗匹配网络
公开(公告)号：WO2012099774A1
公开(公告)日：2012-07-26
申请号：PCT/US2012/021114
申请日：2012-01-12
申请人： ADVANCED ENERGY INDUSTRIES, INC. , VAN ZYL, Gideon , GUROV, Gennady G.
发明人： VAN ZYL, Gideon , GUROV, Gennady G.
IPC分类号： H03H7/40 , H03H11/30 , H01L21/3065 , H05H1/46
CPC分类号： H03H11/30 , H01J37/32183 , H03H5/12 , H03H7/38 , H03K17/16 , H03K17/60 , H03K17/68 , H05H1/46 , H05H2001/4682
摘要： This disclosure describes systems, methods, and apparatuses for impedance-matching radio frequency power transmitted from a radio frequency generator to a plasma load in a semiconductor processing chamber. Impedance-matching can be performed via a match network having a variable-reactance circuit. The variable-reactance circuit can comprise one or more reactive elements all connected to a first terminal and selectively shorted to a second terminal via a switch. The switch can comprise a bipolar junction transistor (BJT) or insulated gate bipolar transistor (IGBT) controlled via bias circuitry. In an on-state, the BJT base-emitter junction is forward biased, and AC is conducted between a collector terminal and a base terminal. Thus, AC passes through the BJT primarily from collector to base rather than from collector to emitter. Furthermore, the classic match network topology used with vacuum variable capacitors can be modified such that voltages do not overload the BJT's in the modified topology.
摘要翻译：本公开描述了用于将从射频发生器发送的射频功率阻抗匹配到半导体处理室中的等离子体负载的系统，方法和装置。可以通过具有可变电抗电路的匹配网络来执行阻抗匹配。可变电抗电路可以包括一个或多个无功元件，其全部连接到第一端子，并经由开关选择性地短路到第二端子。开关可以包括通过偏置电路控制的双极结型晶体管（BJT）或绝缘栅双极晶体管（IGBT）。在导通状态下，BJT基极 - 发射极结正向偏置，并且AC在集电极端子和基极端子之间传导。因此，AC主要通过BJT从集电器到基极而不是从集电极到发射极。此外，可以修改与真空可变电容器一起使用的经典匹配网络拓扑，使得电压不会在修改的拓扑中使BJT过载。

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