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1. 发明公开

CN102376681A 封装基板无效复审申请
公开(公告)号：CN102376681A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110217764.2
申请日：2011-08-01
申请人：联发科技股份有限公司
发明人：林子闳 , 黄清流 , 童耿直
IPC分类号： H01L23/50 , H01L23/488
CPC分类号： H01L24/17 , H01L21/563 , H01L23/3192 , H01L23/49838 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/0345 , H01L2224/0401 , H01L2224/05011 , H01L2224/0519 , H01L2224/05559 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/13014 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16225 , H01L2224/16238 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81815 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/3511 , H01L2924/00014 , H01L2224/131 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要：本发明公开了一种封装基板。封装基板包括：导电图案，设于所述封装基板的芯片安置面上；至少一凸块区域，嵌入于所述导电图案中；以及至少一间隙，沿着所述凸块区域设置，以将所述凸块区域与所述导电图案的主体部分分隔隔开来。本发明所提出的封装基板，由于间隙是沿着凸块区域而设置的，因此能减少或避免凸块陷落或短路的问题，凸块区域也能进一步地有效避免在现有技术中回焊处理所造成的短路问题。

2. 发明公开

CN103370784A 同时的晶圆结合及互连接合有权
公开(公告)号：CN103370784A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201180067909.3
申请日：2011-04-01
申请人：德塞拉股份有限公司
发明人：瓦格·奥甘赛安 , 贝勒卡西姆·哈巴 , 伊利亚斯·默罕默德 , 皮尤什·萨瓦利亚 , 克雷格·米切尔
IPC分类号： H01L21/98 , H01L25/065
CPC分类号： H01L25/00 , H01L23/481 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05023 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05186 , H01L2224/0519 , H01L2224/05568 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/0603 , H01L2224/0613 , H01L2224/06131 , H01L2224/06135 , H01L2224/06505 , H01L2224/116 , H01L2224/13023 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/136 , H01L2224/16146 , H01L2224/16148 , H01L2224/16235 , H01L2224/16238 , H01L2224/276 , H01L2224/29023 , H01L2224/29082 , H01L2224/291 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29144 , H01L2224/32148 , H01L2224/32238 , H01L2224/73103 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/8123 , H01L2224/81815 , H01L2224/8183 , H01L2224/83191 , H01L2224/83193 , H01L2224/8323 , H01L2224/83815 , H01L2224/8383 , H01L2224/9202 , H01L2224/9221 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2225/06565 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01029 , H01L2924/09701 , H01L2924/14 , H01L2924/35 , H01L2924/014 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2224/05552 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要：本发明公开了两元件(100,200)的微电子组件(300)及其形成方法。微电子元件(100)包括主表面(102)、及在主表面(102)暴露的介电层(120)和至少一个结合垫(110)。微电子元件(100)可包含复数个有源电路元件。第一金属层(130)沉积为覆盖至少一个结合垫(110)和介电层(120)。提供了具有第二金属层(230)沉积于其上的第二元件(200)，第一金属层(130)与第二金属层(230)接合。组件(300)可沿切割线(301)切割为单独的单元，每个都包括芯片。

3. 发明授权

CN103370784B 同时的晶圆结合及互连接合有权
公开(公告)号：CN103370784B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201180067909.3
申请日：2011-04-01
申请人：德塞拉股份有限公司
发明人：瓦格·奥甘赛安 , 贝勒卡西姆·哈巴 , 伊利亚斯·默罕默德 , 皮尤什·萨瓦利亚 , 克雷格·米切尔
IPC分类号： H01L21/98 , H01L25/065
CPC分类号： H01L25/00 , H01L23/481 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05023 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05186 , H01L2224/0519 , H01L2224/05568 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/0603 , H01L2224/0613 , H01L2224/06131 , H01L2224/06135 , H01L2224/06505 , H01L2224/116 , H01L2224/13023 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/136 , H01L2224/16146 , H01L2224/16148 , H01L2224/16235 , H01L2224/16238 , H01L2224/276 , H01L2224/29023 , H01L2224/29082 , H01L2224/291 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29144 , H01L2224/32148 , H01L2224/32238 , H01L2224/73103 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/8123 , H01L2224/81815 , H01L2224/8183 , H01L2224/83191 , H01L2224/83193 , H01L2224/8323 , H01L2224/83815 , H01L2224/8383 , H01L2224/9202 , H01L2224/9221 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2225/06565 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01029 , H01L2924/09701 , H01L2924/14 , H01L2924/35 , H01L2924/014 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2224/05552 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要：本发明公开了两元件(100,200)的微电子组件(300)及其形成方法。微电子元件(100)包括主表面(102)、及在主表面(102)暴露的介电层(120)和至少一个结合垫(110)。微电子元件(100)可包含复数个有源电路元件。第一金属层(130)沉积为覆盖至少一个结合垫(110)和介电层(120)。提供了具有第二金属层(230)沉积于其上的第二元件(200)，第一金属层(130)与第二金属层(230)接合。组件(300)可沿切割线(301)切割为单独的单元，每个都包括芯片。

4. 发明公开

CN102376668A 覆晶封装结构以及半导体芯片有权
公开(公告)号：CN102376668A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110220659.4
申请日：2011-08-03
申请人：联发科技股份有限公司
发明人：林子闳 , 童耿直
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/485
CPC分类号： H01L24/17 , H01L21/563 , H01L23/3192 , H01L23/49838 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/0345 , H01L2224/0401 , H01L2224/05011 , H01L2224/0519 , H01L2224/05559 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/13014 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16225 , H01L2224/16238 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81815 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/3511 , H01L2924/00014 , H01L2224/131 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要：本发明提供一种覆晶封装结构以及半导体芯片，其中，覆晶封装结构包括基底；最上层金属层，位于该基底上；应力缓冲层，设于该最上层金属层上，其中该应力缓冲层具有开孔，以显露出至少一部分的该最上层金属层；以及铜柱凸块，通过该开孔耦接该最上层金属层。本发明提供的覆晶封装结构以及半导体芯片可有效的抵挡制程应力、获得更佳布线能力或更利于填胶程序，较传统技术具有显著进步。

5. 发明公开

CN108074899A 电子装置和其制造方法有权转让
公开(公告)号：CN108074899A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201710057874.4
申请日：2017-01-23
申请人：艾马克科技公司
发明人：瑞格·翰姆施 , 格兰·瑞讷 , 德发拉郡·巴拉罗门
IPC分类号： H01L23/49 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/11 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L2224/03001 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/0347 , H01L2224/03618 , H01L2224/0384 , H01L2224/039 , H01L2224/03901 , H01L2224/0391 , H01L2224/05083 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/0518 , H01L2224/05184 , H01L2224/0519 , H01L2224/05553 , H01L2224/05555 , H01L2224/05557 , H01L2224/05576 , H01L2224/05578 , H01L2224/056 , H01L2224/05647 , H01L2224/0569 , H01L2224/0579 , H01L2224/058 , H01L2224/11 , H01L2224/11462 , H01L2224/11614 , H01L2224/13026 , H01L2224/131 , H01L2224/92 , H01L2224/94 , H01L2924/01074 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/034 , H01L2224/0361 , H01L21/78 , H01L2924/014 , H01L2224/033 , H01L2924/0665 , H01L2224/03 , H01L23/49 , H01L24/10 , H01L24/26 , H01L24/27
摘要：电子装置和其制造方法。一种半导体装置和一种制造半导体装置的方法。作为非限制性实例，本发明的各种方面提供一种制造半导体装置的方法，其包括通过至少部分地执行横向镀覆处理形成互连结构，并且提供一种通过这种方法制造的半导体装置。

6. 发明公开

CN105280598A 半导体封装件及其制法有权
公开(公告)号：CN105280598A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201410364624.1
申请日：2014-07-29
申请人：矽品精密工业股份有限公司
发明人：江政嘉 , 林欣达 , 黄富堂 , 王愉博 , 王隆源 , 徐逐崎 , 施嘉凯
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号： H01L25/162 , H01L23/3128 , H01L23/3157 , H01L23/42 , H01L23/49816 , H01L23/49833 , H01L23/562 , H01L23/564 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/05015 , H01L2224/05016 , H01L2224/05078 , H01L2224/0519 , H01L2224/05561 , H01L2224/05582 , H01L2224/056 , H01L2224/05611 , H01L2224/06132 , H01L2224/06181 , H01L2224/11825 , H01L2224/12105 , H01L2224/13014 , H01L2224/13017 , H01L2224/13023 , H01L2224/13078 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/1319 , H01L2224/13582 , H01L2224/13671 , H01L2224/1369 , H01L2224/1401 , H01L2224/141 , H01L2224/16145 , H01L2224/16147 , H01L2224/16227 , H01L2224/16237 , H01L2224/1703 , H01L2224/17051 , H01L2224/17181 , H01L2224/17517 , H01L2224/17519 , H01L2224/291 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2224/81193 , H01L2224/81815 , H01L2224/83101 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2225/06513 , H01L2225/06548 , H01L2225/06568 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2225/1082 , H01L2924/0635 , H01L2924/15311 , H01L2924/15321 , H01L2924/15331 , H01L2924/18161 , H01L2924/381 , H01L2924/3841 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/01082 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/07025 , H01L2924/00
摘要：一种半导体封装件及其制法，该半导体封装件包括：第一半导体装置，其具有相对的第一顶面与第一底面；多个导通球，其形成于该第一顶面；第二半导体装置，其具有相对的第二顶面与第二底面，且该第二底面为面向该第一顶面；以及多个导电柱，其形成于该第二底面，并分别接合该些导通球以电性连接该第一及第二半导体装置，且该导电柱的高度小于300微米。藉此，本发明可易于控制该半导体封装件的高度，并用于具有更精细间距的导通球的半导体封装件上。

7. 发明授权

CN102376668B 覆晶封装结构以及半导体芯片有权
公开(公告)号：CN102376668B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201110220659.4
申请日：2011-08-03
申请人：联发科技股份有限公司
发明人：林子闳 , 童耿直
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/485
CPC分类号： H01L24/17 , H01L21/563 , H01L23/3192 , H01L23/49838 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/0345 , H01L2224/0401 , H01L2224/05011 , H01L2224/0519 , H01L2224/05559 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/13014 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16225 , H01L2224/16238 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81815 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/3511 , H01L2924/00014 , H01L2224/131 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要：本发明提供一种覆晶封装结构以及半导体芯片，其中，覆晶封装结构包括基底；最上层金属层，位于该基底上；应力缓冲层，设于该最上层金属层上，其中该应力缓冲层具有开孔，以显露出至少一部分的该最上层金属层；以及铜柱凸块，通过该开孔耦接该最上层金属层。本发明提供的覆晶封装结构以及半导体芯片可有效的抵挡制程应力、获得更佳布线能力或更利于填胶程序，较传统技术具有显著进步。

8. 发明申请

WO2012087364A1 SIMULTANEOUS WAFER BONDING AND INTERCONNECT JOINING 审中-公开
标题翻译：同时连接和互连
公开(公告)号：WO2012087364A1
公开(公告)日：2012-06-28
申请号：PCT/US2011/030871
申请日：2011-04-01
申请人： TESSERA, INC. , OGANESIAN, Vage , HABA, Belgacem , MOHAMMED, Ilyas , SAVALIA, Piyush , MITCHELL, Craig
发明人： OGANESIAN, Vage , HABA, Belgacem , MOHAMMED, Ilyas , SAVALIA, Piyush , MITCHELL, Craig
IPC分类号： H01L21/98 , H01L25/065
CPC分类号： H01L25/00 , H01L23/481 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05023 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05186 , H01L2224/0519 , H01L2224/05568 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/0603 , H01L2224/0613 , H01L2224/06131 , H01L2224/06135 , H01L2224/06505 , H01L2224/116 , H01L2224/13023 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/136 , H01L2224/16146 , H01L2224/16148 , H01L2224/16235 , H01L2224/16238 , H01L2224/276 , H01L2224/29023 , H01L2224/29082 , H01L2224/291 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29144 , H01L2224/32148 , H01L2224/32238 , H01L2224/73103 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/8123 , H01L2224/81815 , H01L2224/8183 , H01L2224/83191 , H01L2224/83193 , H01L2224/8323 , H01L2224/83815 , H01L2224/8383 , H01L2224/9202 , H01L2224/9221 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2225/06565 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01029 , H01L2924/09701 , H01L2924/14 , H01L2924/35 , H01L2924/014 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2224/05552 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要： Disclosed are a microelectronic assembly (300) of two elements (100, 200) and a method of forming same. A microelectronic element (100) includes a major surface (102), and a dielectric layer (120) and at least one bond pad (110) exposed at the major surface (102). The microelectronic element (100) may contain a plurality of active circuit elements. A first metal layer (130) is deposited overlying the at least one bond pad (110) and the dielectric layer (120). A second element (200) having a second metal layer (230) deposited thereon is provided, and the first metal layer (130) is joined with the second metal layer (230). The assembly (300) may be severed along dicing lanes (301) into individual units each including a chip.
摘要翻译：公开了两个元件（100,200）的微电子组件（300）及其形成方法。微电子元件（100）包括在主表面（102）处暴露的主表面（102）和介电层（120）和至少一个接合焊盘（110）。微电子元件（100）可以包含多个有源电路元件。沉积在所述至少一个接合焊盘（110）和介电层（120）上的第一金属层（130）。提供了具有沉积在其上的第二金属层（230）的第二元件（200），并且第一金属层（130）与第二金属层（230）接合。组件（300）可以沿着切割通道（301）切割成各自包括芯片的单元。

9. 发明申请

WO2015072418A1 シリコーン接着剤組成物及び固体撮像デバイス审中-公开
标题翻译：硅胶粘合组合物和固态成像装置
公开(公告)号：WO2015072418A1
公开(公告)日：2015-05-21
申请号：PCT/JP2014/079692
申请日：2014-11-10
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：安田　浩之 , 曽我　恭子 , 菅生　道博
IPC分类号： C09J183/05 , C08G77/20 , C08G77/50 , C09J183/07
CPC分类号： C09J183/04 , C08G77/04 , C08G77/08 , C08G77/12 , C08G77/20 , C08K5/56 , C08L83/00 , H01L23/14 , H01L27/14618 , H01L27/1462 , H01L2224/0519 , H01L2224/05599 , H01L2224/2919
摘要：　本発明は露光、ベーク、現像工程が製造に不要であるため、製造コストが安価で生産性が高く、接着剤として求められる接着性、熱硬化後の気密封止性、低吸湿性等の特性が良好で、耐熱性、耐光性等の硬化膜の信頼性が高く、更に３次元実装製造で必要とされる裏面研削後の接着基板の反りを抑えることが可能なシリコーン高分子化合物を用いた接着剤組成物を提供することを目的とする。　（Ａ）非芳香族飽和１価炭化水素基及びアルケニル基含有オルガノポリシロキサン、（Ｂ）１分子内に２個以上のＳｉＨ基を含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン：（Ａ）成分中のアルケニル基に対する（Ｂ）成分中のＳｉＨ基のモル比が０．５～１０となる量、（Ｃ）白金系触媒：有効量を含むシリコーン接着剤組成物。
摘要翻译：本发明的目的是提供一种使用不需要曝光的硅氧烷聚合物化合物的粘合剂组合物，用于生产的烘烤和显影方法，从而使生产成本低并且使生产率高，具有良好的特性如良好的粘合性，热固化后的良好的密封性和粘合剂所需的低吸湿性，其提供了具有高可靠性，例如高耐热性和高耐光性的可靠性的固化膜，并且能够抑制键合衬底的翘曲在三维安装生产中必要的后磨。一种硅氧烷粘合剂组合物，其包含：（A）含有非芳族饱和一价烃基和烯基的有机聚硅氧烷; （B）在每个分子中含有两个或更多个SiH基团的有机氢聚硅氧烷的量使得组分（B）中的SiH基团的摩尔比相对于组分（A）中的烯基为0.5-10; 和（C）有效量的铂系催化剂。

10. 发明申请

WO2015107290A2 PROCESS FOR PLACING AND BONDING CHIPS ON A RECEIVER SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：在接收器基板上放置和接合晶片的过程
公开(公告)号：WO2015107290A2
公开(公告)日：2015-07-23
申请号：PCT/FR2015050052
申请日：2015-01-09
申请人： COMMISSARIAT L ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES
发明人： DEGUET CHRYSTEL , FOURNEL FRANK , MORICEAU HUBERT , SANCHEZ LOIC
IPC分类号： H01L21/58
CPC分类号： H01L24/80 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/74 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L2221/68363 , H01L2221/68368 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386 , H01L2224/0345 , H01L2224/03616 , H01L2224/0381 , H01L2224/039 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/05147 , H01L2224/05181 , H01L2224/0519 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/0566 , H01L2224/05687 , H01L2224/08225 , H01L2224/74 , H01L2224/7565 , H01L2224/75701 , H01L2224/75702 , H01L2224/75725 , H01L2224/75734 , H01L2224/75735 , H01L2224/75841 , H01L2224/7598 , H01L2224/80004 , H01L2224/80006 , H01L2224/80007 , H01L2224/80011 , H01L2224/80012 , H01L2224/80019 , H01L2224/80121 , H01L2224/802 , H01L2224/80203 , H01L2224/80385 , H01L2224/80424 , H01L2224/80444 , H01L2224/80447 , H01L2224/80893 , H01L2224/80894 , H01L2224/80948 , H01L2224/80986 , H01L2224/8385 , H01L2224/92 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2924/10157 , H01L2924/15159 , H01L2224/80 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2224/03 , H01L2924/00015 , H01L2924/01026 , H01L2924/01028 , H01L2924/01014 , H01L2224/05155 , H01L2224/0516 , H01L2924/05442 , H01L21/78
摘要： This process comprises: placing (70) chips in preset locations by attracting a transfer layer of the chip using a pad, the attractive force between the transfer layer and the pad being a force chosen from the group composed of a magnetic force, an electrostatic force and an electromagnetic force; and bonding (74) the chips thus placed on respective receiving zones of an active side of a receiver substrate, this bonding comprising: preparing (30, 62, 72) bonding sides of the chips and the receiving zones so that they are able to bond without adhesive, then in step c), bringing (78) each bonding side into direct contact with its respective receiving zone and thus bonding the chips to the receiver substrate without adhesive.
摘要翻译：该方法包括：通过使用焊盘吸引芯片的转移层来将（70）芯片放置在预设位置，转移层和焊盘之间的吸引力是从由磁力，静电力和电磁力; 并且将由此放置在接收器基板的有源侧的相应接收区上的芯片接合（74），该接合包括：准备（30,62,72）将芯片和接收区域粘合在一起，使得它们能够结合没有粘合剂，然后在步骤c）中，使（78）每个粘合侧与其相应的接收区域直接接触，并且因此将芯片粘合到接收器基底而没有粘合剂。

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