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1. 发明授权

EP0823711B1 Digatalspeicherelement 失效
公开(公告)号：EP0823711B1
公开(公告)日：2003-06-04
申请号：EP97104920.0
申请日：1997-03-22
申请人： Deutsche Telekom AG
发明人： Koops, Hans W.P., Dr. , Hanke, Gerhard, Dipl.-Ing.
IPC分类号： G11C11/30 , G11C11/24
CPC分类号： G11C11/30

2. 发明公开

EP0823711A2 Digatalspeicherelement 失效
公开(公告)号：EP0823711A2
公开(公告)日：1998-02-11
申请号：EP97104920.0
申请日：1997-03-22
申请人： Deutsche Telekom AG
发明人： Koops, Hans W.P., Dr. , Hanke, Gerhard, Dipl.-Ing.
IPC分类号： G11C11/30
CPC分类号： G11C11/30
摘要： Von Digitalen Speicherelementen wird neben geringer Größe vor allem eine hohe Geschwindigkeit der Ein- und Auslesevorgänge verlangt. Halbleiterspeicher erreichen zwar hohe Speicherdichte, aber nur Bruchteile von GHz. Bekannte Speicherelemente mit einer Speicherkapazität und mehreren Röhren, von denen wenigstens eine mit Elektronenstrahlablenkung gesteuert ist, sind nur eine Größenordnung schneller und zu groß.
Ein Digitalspeicherelement mit Röhren, das noch um wenigstens eine weitere Größenordnung schneller und kleiner ist, besteht aus drei miniaturisierten Elektronenröhren, hergestellt durch konventionelle und additive Lithographie, bei denen eine kleine Speicherkapazität mit der Anode der Einschreib-Röhre, mit der Kathode einer Lösch-Röhre und mit einem Ablenkelement einer Auslese-Röhre verbunden ist, welche den Elektronenstrahl, je nach Ladezustand, auf einen von zwei Detektoren lenkt.
Die Anwendung solcher Digitalspeicherelemente ist bei allen bekannten Einsatzmöglichkeiten vorteilhaft und es werden durch die vorteilhaften Herstellungsmöglichkeiten und Eigenschaften weitere neue Einsatzgebiete erschlossen.
摘要翻译：数字存储元件具有用于数据输入和擦除和数据输出端子的输入端子，并且由存储电容（C）和多个小型化电子管提供，其中至少一个具有光束偏转装置。存储元件具有三个具有THz开关特性的电子管。这些管分别用作用于存储电容电荷的写入管（Eer），擦除管（Alr）和读出管（ABar）。这些管是使用常规和附加光刻技术制造的。

3. 发明授权

US4159540A Memory array address buffer with level shifting 失效
标题翻译：存储器阵列地址缓冲器，具有电平转换
公开(公告)号：US4159540A
公开(公告)日：1979-06-26
申请号：US929625
申请日：1978-07-31
申请人： Philip C. Smith , John L. Fagan
发明人： Philip C. Smith , John L. Fagan
IPC分类号： G11C5/02 , G11C8/10 , G11C11/30 , G11C11/34 , G11C16/04 , G11C16/08 , H03K3/356 , H03K19/0185 , G11C8/00
CPC分类号： G11C16/08 , G11C11/30 , G11C16/0466 , G11C5/025 , G11C8/10 , H03K19/01855 , H03K3/356008
摘要： An improved electrically alterable non-volatile memory for storing information is described incorporating an array of memory cells composed of variable threshold field effect transistors, means for writing and reading information into and out of the array which includes precharged circuitry to provide predetermined voltages on the gate, source and drain electrodes of the transistors in the array before writing or reading and row decode circuitry on both sides of the array to permit closer spacing of the variable threshold transistors in the array.
摘要翻译：描述了一种用于存储信息的改进的可电气可变非易失性存储器，其结合由可变阈值场效应晶体管组成的存储器单元阵列，用于将信息写入和读出阵列的装置，该阵列包括预充电电路以在栅极上提供预定电压在写入或读取之前的阵列中的晶体管的源极和漏极电极以及阵列两侧的行解码电路，以允许阵列中的可变阈值晶体管的更紧密的间隔。

4. 发明授权

US4124900A Memory using interleaved rows to permit closer spacing 失效
标题翻译：使用交错行的存储器允许更近的间隔
公开(公告)号：US4124900A
公开(公告)日：1978-11-07
申请号：US837791
申请日：1977-09-29
申请人： Philip C. Smith , John L. Fagan
发明人： Philip C. Smith , John L. Fagan
IPC分类号： G11C5/02 , G11C8/10 , G11C11/30 , G11C11/34 , G11C16/04 , G11C16/08 , H03K3/356 , H03K19/0185 , G11C5/06 , G11C8/00
CPC分类号： G11C16/08 , G11C11/30 , G11C16/0466 , G11C5/025 , G11C8/10 , H03K19/01855 , H03K3/356008
摘要： An improved electrically alterable non-volatile memory for storing information is described incorporating an array of memory cells composed of variable threshold field effect transistors, means for writing and reading information into and out of the array which includes precharged circuitry to provide predetermined voltages on the gate, source and drain electrodes of the transistors in the array before writing or reading and row decode circuitry on both sides of the array to permit closer spacing of the variable threshold transistors in the array.
摘要翻译：描述了一种用于存储信息的改进的可电气可变非易失性存储器，其结合由可变阈值场效应晶体管组成的存储器单元阵列，用于将信息写入和读出阵列的装置，该阵列包括预充电电路以在栅极上提供预定电压在写入或读取之前的阵列中的晶体管的源极和漏极电极以及阵列两侧的行解码电路，以允许阵列中的可变阈值晶体管的更紧密的间隔。

5. 发明授权

US2838661A Binary storage element 失效
标题翻译：二进制存储元件
公开(公告)号：US2838661A
公开(公告)日：1958-06-10
申请号：US35535253
申请日：1953-05-15
申请人： CHU JEFFREY C
发明人： CHU JEFFREY C
IPC分类号： G11C11/30 , H03K3/12
CPC分类号： H03K3/12 , G11C11/30

6. 发明授权

US2826357A High speed read-out arrangement for data storage devices 失效
标题翻译：数据存储设备的高速读出方案
公开(公告)号：US2826357A
公开(公告)日：1958-03-11
申请号：US26280151
申请日：1951-12-21
申请人： IBM
发明人： LENTZ JOHN J
IPC分类号： G06F3/08 , G11C11/30
CPC分类号： G11C11/30 , G06F3/08

7. 发明申请

US20110128784A1 NON-VOLATILE MEMORY DEVICE 有权
标题翻译：非易失性存储器件
公开(公告)号：US20110128784A1
公开(公告)日：2011-06-02
申请号：US12064165
申请日：2006-08-17
申请人： Erez Halahmi , Gilad Diamant , Tamar Ravon , Nery Ben-Azar , Jeffrey Levy , Ron Naaman
发明人： Erez Halahmi , Gilad Diamant , Tamar Ravon , Nery Ben-Azar , Jeffrey Levy , Ron Naaman
IPC分类号： G11C16/04 , H01L51/40
CPC分类号： H01L27/115 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , G11C11/30 , H01L27/11553 , H01L29/66825
摘要： An electronic memory device is presented. The device comprises at least one basic unit (FIG. 2), which is configured as a memory cell for storing at least one bit of information. The basic unit comprises a vacuum cavity (FIG. 2, 2) for free charge carriers propagation therethrough, a region of charge carriers emission or entry into the vacuum cavity (FIG. 2, 10), an anode electrode (FIG. 2, 11) which are kept under controllable voltage conditions, and at least one floating gate electrode (FIG. 2, 12) accommodated in a path of said free charge carriers propagating through the vacuum cavity between the emission or entry region and the anode. The floating gate electrode serves for storing therein a charge indicative of the at least one bit of information.
摘要翻译：提出了一种电子存储器件。该设备包括至少一个基本单元（图2），其被配置为用于存储至少一位信息的存储单元。基本单元包括用于自由载流子传播的真空腔（图2，2），发射或进入真空腔的电荷载体区域（图2,10），阳极电极（图2,11）），以及容纳在所述自由电荷载体的通路中的至少一个浮栅电极（图2,12），其通过发射或进入区域和阳极之间的真空腔传播。浮栅电极用于在其中存储指示至少一位信息的电荷。

8. 发明授权

US5917747A Digital memory element 失效
标题翻译：数字存储元件
公开(公告)号：US5917747A
公开(公告)日：1999-06-29
申请号：US906620
申请日：1997-08-07
申请人： Hans Koops , Gerhard Hanke
发明人： Hans Koops , Gerhard Hanke
IPC分类号： G11C11/30 , H03K19/06 , G11C13/00
CPC分类号： G11C11/30
摘要： A digital memory element having three miniaturized electron tubes, which is faster and smaller by at least one further order of magnitude than known digital memory elements, can be produced through conventional and additive lithography. The digital memory element is a small memory capacitor linked to the anode of a write-in tube, to the cathode of an erase tube, and to a deflection element of a read-out tube which deflects an electron beam, in dependence upon the charge state, to one of two detectors.
摘要翻译：具有三个小型化电子管的数字存储元件可以通过常规和附加光刻技术制造，该电子管比已知数字存储元件更快更小一个数量级。数字存储元件是连接到写入管的阳极到擦除管的阴极以及依赖于电荷而偏转电子束的读出管的偏转元件的小存储器电容器状态，到两个检测器之一。

9. 发明授权

US2801334A Dynamic storage circuit 失效
标题翻译：动态存储电路
公开(公告)号：US2801334A
公开(公告)日：1957-07-30
申请号：US34693853
申请日：1953-04-06
申请人： IBM
发明人： CLAPPER GENUNG L
IPC分类号： G11C11/30 , G11C19/18 , G11C19/20 , H03H11/26 , H03K5/00 , H03K5/05 , H03K5/135 , H03K5/15
CPC分类号： G11C19/18 , G11C11/30 , G11C19/202 , H03H11/26 , H03K5/00 , H03K5/05 , H03K5/135 , H03K5/15013

10. 发明授权

US2591931A Electron counter circuits 失效
标题翻译：电子计数器电路
公开(公告)号：US2591931A
公开(公告)日：1952-04-08
申请号：US16530550
申请日：1950-05-31
申请人： RCA CORP
发明人： GROSDOFF IGOR E
IPC分类号： G11C11/30 , H03K23/82
CPC分类号： H03K23/82 , G11C11/30

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