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    • 1. 发明申请
    • CHARGIERUNG VON WERKSTÜCKEN IN EINER BESCHICHTUNGSANLAGE
    • 充电所加工的零件涂装线
    • WO2016156601A1
    • 2016-10-06
    • PCT/EP2016/057279
    • 2016-04-01
    • CEMECON AG
    • KÖLKER, WernerMAY, Walter
    • C23C14/50C23C16/458B05B13/02
    • C23C16/4583B05B13/0221B05B13/0242C23C14/50C23C16/50
    • Beschrieben ist eine Chargiervorrichtung für Werkstücke (16) in einer Beschichtungsanlage (10) sowie ein Verfahren zum Chargieren der Werkstücke 16. Ein aufrecht angeordneter Ständer (22) weist in einer nach Außen weisenden Fläche (44) eine Anzahl von übereinander angeordneten Öffnungen (24) auf. Eine Anzahl von Einsatzhülsen (30) ist zur Aufnahme in den Öffnungen (24) vorgesehen, wobei die Einsatzhülsen (30) jeweils einen Schaft (32) und eine Haltestruktur (24) aufweisen, sowie eine Bohrung (26) zur Aufnahme eines Werkstücks (16). Die Öffnungen (24) und die Schäfte (32) der Einsatzhülsen (30) sind so ausgebildet, dass die Einsatzhülsen (30) durch die Öffnungen (24) hindurch steckbar sind. Die Öffnungen (24) und die Haltestrukturen (34) sind so ausgebildet, dass sich ein haltender Eingriff zwischen den Einsatzhülsen (30) und den Öffnungen (24) ergibt.
    • 本发明涉及一种用于在一个涂覆设备的工件(16)的充电装置(10),以及充电工件16.一种直立布置支架(22)具有,以面对的外表面(44)的数叠置开口的方法(24) 上。 被提供(30)一种数插入套筒中的开口(24),要被接收,其中,所述插入件套管(30),每个具有用于接收工件的柄(32)和支撑结构(24)和孔(26)(16 )。 所述开口(24)和所述插入套管(30)的柄部(32)被形成为使得所述插入管(30)通过开口(24)穿过其中是可插入的。 形成开口(24)和所述保持结构(34),从而获得该插入套管(30)和所述开口(24)之间的保持接合。
    • 2. 发明申请
    • VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM VORBEHANDELN UND BESCHICHTEN VON KÖRPERN
    • DEVICE AND METHOD FOR预处理和包覆体
    • WO2009132822A2
    • 2009-11-05
    • PCT/EP2009/003082
    • 2009-04-28
    • CEMECON AGCREMER, RainerMAY, Walter
    • CREMER, RainerMAY, Walter
    • H01J37/34C23C14/35C23C14/34
    • H01J37/3408C23C14/14C23C14/352H01J37/3444H01J37/3467H01J37/3473
    • Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Vorbehandeln und Beschichten von Körpern durch Magnetronzerstäuben. In einer Vakuumkammer mit metallischer Kammerwandung (26) sind Magnetrons mit Sputter-Targets angeordnet, von denen mindestens eines ein HPPMS-Magnetron ist, dem elektrische Pulse zugeführt werden, indem ein Kapazitätselement (6) durch ein Schaltelement (5) mit dem Sputter-Target des HPPMS-Magnetron verbunden wird. Um eine effektive Vorbehandlung und Beschichtung von Substraten zu ermöglichen, ist gemäß einem ersten Aspekt vorgesehen, dass das Schaltelement an der Kammerwandung angeordnet ist. Gemäß einem zweiten Aspekt ist ein Elektrodenpaar vorgesehen, von dem eine erste Elektrode ein HPPMS-Magnetron (1) ist und die erste und die zweite Elektrode so angeordnet sind, dass ein an einem Substrattisch (4) aufgenommener Körper (11) zwischen den aktiven Flächen des Elektrodenpaares angeordnet ist oder durch den Zwischenraum der aktiven Flächen des Elektrodenpaares bewegt wird. Als dritter Aspekt ist ein Verfahren vorgesehen, bei dem in einem Ätzschritt eine negative Bias-Spannung an dem Körper angelegt wird und der Körper durch Beschuss mit Metallionen geätzt wird und anschließend die Bias-Spannung kontinuierlich abgesenkt wird, so dass von den Sputter-Targets abgesputtertes Material zu einem Schichtaufbau auf dem Körper führt.
    • 本发明涉及一种装置和用于处理前和涂层制品通过磁控溅射的方法。 在真空室中与磁控管的金属室壁(26)被布置成与溅射靶,其中之一是至少一种HPPMS磁控管,通过电容元件(6)由开关元件(5)与所述溅射靶供给到电脉冲 HPPMS磁控管连接。 为了允许有效的预处理和底物的涂层,在第一方面中提供,所述开关元件被布置在所述腔室壁上。 根据第二个方面,提供一对电极,其中第一电极是HPPMS磁控管(1)和所述第一和第二电极被布置为使得所述有源区之间的一个衬底台(4)记录体(11) 所述一对电极被布置或由电极对的有源表面之间的空间中移动。 作为第三方面,其中提供了一种方法,在蚀刻步骤中,负的偏置电压施加到所述主体和所述主体由轰击用金属离子进行蚀刻,然后将偏置电压被连续地降低,使得从溅射靶溅射 材料对身体导致形成分层结构。
    • 5. 发明申请
    • DENSE, HARD COATINGS ON SUBSTRATES USING HIPIMS
    • DENSE,使用HIPIMS的基材上的硬涂层
    • WO2014154894A1
    • 2014-10-02
    • PCT/EP2014/056363
    • 2014-03-28
    • CEMECON AG
    • GREENE, JosephPETROV, IvanGRECZYNSKI, GrzegorzHULTMAN, LarsKOELKER, WernerBOLZ, Stephan
    • H01J37/34C23C14/06C23C14/08C23C14/34C23C14/35
    • H01J37/3429C23C14/0641C23C14/0676C23C14/08C23C14/345C23C14/3485C23C14/352H01J37/3444H01J37/3464H01J37/3467
    • A process and a device for coating a substrate (22) are described. In a vacuum chamber (10), a first magnetron cathode (24) is provided with a sputtering target (28) of a first material composition as predominant metal element a processing metal element chosen from Hf, Ta, Zr, W, Nb, Mo. A second magnetron cathode (26) is provided with a sputtering target (30) of a second material composition comprising predominantly carbon or one or more metals with a lower atomic mass than the processing metal element. In order to obtain coatings with improved properties, electrical power is supplied to the cathodes (24, 26) such that the targets (28, 30) are sputtered, where electrical power is supplied to the first cathode (24) as pulsed electrical power according to high power impulse magnetron sputtering with a first peak current density, and to the second cathode (26) as DC electrical power with a constant second current density or as time-variable electrical power with a second peak current density lower than the first peak current density. The substrate (22) is arranged within the vacuum chamber such that particles from the plasma deposit onto the substrate forming a coating. During the deposition process, a bias voltage VB is applied to the substrate comprising bias pulses which are synchronized with pulses applied to the first cathode, and are applied for a shorter duration TB than the pulses at the first cathode. Thus, a coated body may be formed with a substrate (22) and a coating layer (52) which comprises oxides, nitrides, or oxynitrides of carbon or metals selected from the groups 4-6 of the periodic table and at least one processing metal element selected out of Hf, Ta, W, Zr, Nb and Mo, present in an atomic concentration of 1 - 18 at.-%. The coating layer (52) comprises a process gas concentration of 0.3 at.-% or less.
    • 描述了用于涂覆基底(22)的方法和装置。 在真空室(10)中,第一磁控阴极(24)设置有作为主要金属元素的第一材料组合物的溅射靶(28),选自Hf,Ta,Zr,W,Nb,Mo的加工金属元素 第二磁控阴极(26)设置有主要包含比加工金属元素低的原子质量的碳或一种或多种金属的第二材料组合物的溅射靶(30)。 为了获得具有改进性能的涂层,向阴极(24,26)供电,使得靶(28,30)被溅射,其中以第一阴极(24)供应电力作为脉冲电功率 具有第一峰值电流密度的高功率脉冲磁控溅射和作为具有恒定的第二电流密度的DC电力的第二阴极(26),或者具有低于第一峰值电流的第二峰值电流密度的时变电力 密度。 衬底(22)布置在真空室内,使得来自等离子体的颗粒沉积到形成涂层的基底上。 在沉积工艺期间,将偏置电压VB施加到包括与施加到第一阴极的脉冲同步的偏置脉冲的衬底,并施加比第一阴极的脉冲更短的持续时间TB。 因此,涂覆体可以形成有基材(22)和包含选自元素周期表第4-6族中的碳或金属的氧化物,氮化物或氮氧化物的涂层(52),以及至少一种加工金属 选自Hf,Ta,W,Zr,Nb和Mo的元素,原子浓度为1〜18原子%。 涂层(52)包括0.3原子%以下的处理气体浓度。
    • 6. 发明申请
    • COATING OF SUBSTRATES USING HIPIMS
    • 使用HIPIMS涂覆基材
    • WO2013045454A2
    • 2013-04-04
    • PCT/EP2012/068887
    • 2012-09-25
    • CEMECON AG
    • HULTMAN, LarsGRECZYNSKI, GrzegorzLEMMER, OliverKÖLKER, WernerBOLZ, Stephan
    • C23C14/00
    • C23C14/3414C23C14/0641C23C14/35C23C14/352C23C30/005Y10T428/265
    • A process and a device for coating a substrate (22) are described. In a vacuum chamber (10), a first magnetron cathode (24) is provided with a sputtering target (28) of a first metal composition comprising predominantly aluminium.A second magnetron cathode (26) is provided with a sputtering target (30) of a second metal composition comprising at least 50 at-% of a second metal selected from groups IVA – VIA of the periodic table. In order to obtain coatings with improved properties, electrical power is supplied to the cathodes (24, 26) such that the targets (28, 30) are sputtered, where electrical power is supplied to the first cathode (24) as pulsed electrical power according to high power impulse magnetron sputtering with a first peak current density, and to the second cathode (26) with a second peak current density lower than the first peak current density. The substrate (22) is arranged within the vacuum chamber such that particles from the plasma deposit onto the substrate forming a coating.
    • 描述了用于涂覆基底(22)的方法和装置。 在真空室(10)中,第一磁控阴极(24)设置有主要包含铝的第一金属组合物的溅射靶(28)。第二磁控阴极(26)设置有溅射靶(30) 第二金属组合物,其包含至少50at%的选自周期表的IVA-VIA族的第二种金属。 为了获得具有改进性能的涂层,向阴极(24,26)供电,使得靶(28,30)被溅射,其中以第一阴极(24)供应电力作为脉冲电功率 到具有第一峰值电流密度的高功率脉冲磁控溅射,以及具有低于第一峰值电流密度的第二峰值电流密度的第二阴极(26)。 衬底(22)布置在真空室内,使得来自等离子体的颗粒沉积到形成涂层的基底上。
    • 8. 发明申请
    • BESCHICHTUNG EINES KÖRPERS MIT DIAMANTSCHICHT UND HARTSTOFFSCHICHT
    • 涂有金刚石涂层和硬质涂层的车身
    • WO2017089597A1
    • 2017-06-01
    • PCT/EP2016/078912
    • 2016-11-25
    • CEMECON AG
    • BOLZ, StephanLEMMER, OliverLEYENDECKER, Antonius
    • C23C16/27C23C28/04C23C14/02C23C16/02C23C28/00
    • C23C16/27C23C14/022C23C16/0281C23C28/324C23C28/341C23C28/343C23C28/347C23C28/36C23C28/44
    • Beschrieben sind ein beschichteter Körper und ein Verfahren zur Beschichtung eines Körpers. Der beschichtete Körper umfasst mindestens ein Substrat (22), eine Diamantschicht (24) einer Dicke von 1 – 40 µm und eine Hartstoffschicht (26), die am Körper (10) weiter außen als die Diamantschicht (24) angeordnet ist. Die Hartstoffschicht (26) umfasst mindestens ein metallisches Element und mindestens ein nichtmetallisches Element. Eine Haftschicht (32) einer Dicke von 2 – 80 nm ist zwischen der Diamantschicht (24) und der Hartstoffschicht (26) vorgesehen. Die Haftschicht (32) enthält Kohlenstoff und mindestens ein metallisches Element. Die Diamantschicht (24) kann mittels eines CVD-Verfahrens aufgebracht werden. Die Hartstoffschicht kann mittels eines PVD-Verfahrens aufgebracht werden. Die Haftschicht (32) zwischen der Diamantschicht (24) und der Hartstoffschicht (26) kann erzeugt werden, indem vor Aufbringen der Hartstoffschicht (26) die Oberfläche der Diamantschicht (24) mittels HIPIMS-Metallionenätzung vorbehandelt wird, wobei durch Metallionenätzung Ionen in die Oberfläche der Diamantschicht (24) implantiert werden oder eindiffundieren.
    • 描述了涂覆体和涂覆身体的过程。 将涂覆的Kö主体包括至少一个基板(22),厚度为1的金刚石层(24)至40微; m和形成在K&ouml的硬质材料层(26);主体(10)还坳道恩比金刚石层( 24)被安排。 硬质材料层(26)包括至少一个金属元件和至少一个非金属元件。 在金刚石层(24)和硬质材料层(26)之间设置厚度为2-80nm的粘合剂层(32)。 粘合剂层(32)含有碳和至少一种金属元素。 金刚石层(24)可以通过CVD方法施加。 硬质材料层可以通过PVD工艺施加。 金刚石层(24)和所述硬质材料层(26)之间的粘接层(32)可以通过之前,借助于施加硬质材料层(26)的金刚石层(24)的表面BEAR表面HIPIMS金属离子BEAR预处理估计,其中金属离子与AUML来制造 离子注入或扩散到金刚石层(24)的表面。