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    • 2. 发明申请
    • VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER EINHEIT MIT EINER RÄUMLICHEN OBERFLÄCHENSTRUKTURIERUNG SOWIE VERWENDUNG DIESES VERFAHRENS
    • 处理对单元与空间曲面结构和使用方法的研制
    • WO2003096122A2
    • 2003-11-20
    • PCT/CH2003/000296
    • 2003-05-07
    • UNAXIS BALZERS AKTIENGESELLSCHAFTGRABHER, PatrickHEINE-KEMPKENS, ClausBISCHOFBERGER, Roger
    • GRABHER, PatrickHEINE-KEMPKENS, ClausBISCHOFBERGER, Roger
    • G03F7/00
    • G03F7/0007G03F7/40G03F7/405G03F7/42G03F7/422G03F7/425
    • Beim erfindungsgemässen Verfahren ("Lift-Off-Verfahren") zur Herstellung einer Einheit (1), welche eine räumlichen Oberfächenstrukturierung auf einer Grundschicht (3) aufweisen soll, wird auf der Grundschicht (3) in einem ersten Verfahrensschritt ein Photolack zur Erzeugung einer Photolackschicht (9) aufgebracht. Eine, einer vorgegebenen Oberflächenendstrukturierung angepasste, maskierte Belichtung (13) der Photolackschicht (9) wird in einem zweiten Verfahrensschritt vorgenommen. In einem dritten Verfahrensschritt werden mittels Entwicklung Teile der Photolackschicht (9) entfernt, so dass eine Photolackteilgebiete (25) als Opferschichtgebiete aufweisende Oberflächenanfangsstrukturierung erhalten wird. In einem vierten Verfahrensschritt wird eine die nun erhaltene Oberflächenanfangsstrukturierung bedeckende Beschichtung (29, 31), vorzugsweise als Wechselschichtsystem, aufgebracht, insbesondere aufgesputtert. In einem fünften Verfahrensschritt wird eine Energiebeaufschlagung der Oberflächenanfangsstrukturierung zur Destabilisierung der Opferschichtgebiete (25) vorgenommen. In einem sechsten Verfahrensschritt wird die Oberflächenanfangsstrukturierung bei einer vorgegebenen Bearbeitungstemperatur mit einem Hochdruckflüssigkeitsstrahl (33) beaufschlagt, wodurch zumindest Teile der die Opferschichtgebiete (25) bedeckenden Beschichtung (29) zur Erzeugung der Oberflächenendstruktu­rierung mechanisch entfernt bzw. wenigstens aufgebrochen werden. Im sechsten Verfahrensschritt hat die Flüssigkeit des Hochdruckflüssigkeitsstrahls (33) während der Beaufschlagung bei der Betriebstemperatur eine vernachlässigbare chemische Reaktionsgeschwindigkeit und/oder physikalische Auflösungsgeschwindigkeit mit Materialien der Einheit (1) und/oder mit insbesondere organischen, Fluiddichtungsmitteln unterhalb einer Messgrenze. Durch die vorliegenden Erfindung werden die Probleme des Stands der Technik überwunden. Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist insbesondere ein Verfahren anzugeben, mit dessen Hilfe eine Lift-Off-Technik angewandt werden kann, ohne dass teure und schwierig zu handhabende Lösungsmittel eingesetzt werden müssen.
    • 根据本发明的方法(“剥离法”)制造的单元(1),它是有一个空间Oberfächenstrukturierung基底层(3)上,在基层上(3)在第一方法步骤中光致抗蚀剂,以产生一个光致抗蚀剂层 (9)施加。 A,预定的最终表面,其适于(9)在第二工艺步骤中进行光致抗蚀剂层的掩膜曝光(13)。 在第三个方法步骤中,光致抗蚀剂层(9)由显影部件移除,使得光致抗蚀剂的子区域(25)为具有初始表面图案化的牺牲层区域。 在第四个方法步骤中,初始表面结构现在获得的涂层覆盖(29,31),优选作为交替层系统,被施加,特别是溅射。 在第五个方法步骤中,一个激励所述初始表面图案化以破坏(25)由所述牺牲层的区域。 在第六个方法步骤中,初始表面结构在预定加工温度下通过高压液体射流(33),由此所述牺牲层区域(25)覆盖所述涂层(29)的至少部分被机械地去除,以产生最终的表面或至少打破施加。 在第六步骤中,将高压液体射流(33)的在工作温度下应用时的液体具有可忽略的化学反应速率和/或物理的溶解速率与所述单元(1)和/或具有低于测量极限特定有机流体密封剂的材料。 通过本发明,现有技术的问题被克服。 本发明的目的是特别提供,通过剥离技术的装置可以应用,而不需要昂贵的和难以处理的溶剂,必须使用的方法。