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    • 2. 发明申请
    • VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER EINHEIT MIT EINER RÄUMLICHEN OBERFLÄCHENSTRUKTURIERUNG SOWIE VERWENDUNG DIESES VERFAHRENS
    • 处理对单元与空间曲面结构和使用方法的研制
    • WO2003096122A2
    • 2003-11-20
    • PCT/CH2003/000296
    • 2003-05-07
    • UNAXIS BALZERS AKTIENGESELLSCHAFTGRABHER, PatrickHEINE-KEMPKENS, ClausBISCHOFBERGER, Roger
    • GRABHER, PatrickHEINE-KEMPKENS, ClausBISCHOFBERGER, Roger
    • G03F7/00
    • G03F7/0007G03F7/40G03F7/405G03F7/42G03F7/422G03F7/425
    • Beim erfindungsgemässen Verfahren ("Lift-Off-Verfahren") zur Herstellung einer Einheit (1), welche eine räumlichen Oberfächenstrukturierung auf einer Grundschicht (3) aufweisen soll, wird auf der Grundschicht (3) in einem ersten Verfahrensschritt ein Photolack zur Erzeugung einer Photolackschicht (9) aufgebracht. Eine, einer vorgegebenen Oberflächenendstrukturierung angepasste, maskierte Belichtung (13) der Photolackschicht (9) wird in einem zweiten Verfahrensschritt vorgenommen. In einem dritten Verfahrensschritt werden mittels Entwicklung Teile der Photolackschicht (9) entfernt, so dass eine Photolackteilgebiete (25) als Opferschichtgebiete aufweisende Oberflächenanfangsstrukturierung erhalten wird. In einem vierten Verfahrensschritt wird eine die nun erhaltene Oberflächenanfangsstrukturierung bedeckende Beschichtung (29, 31), vorzugsweise als Wechselschichtsystem, aufgebracht, insbesondere aufgesputtert. In einem fünften Verfahrensschritt wird eine Energiebeaufschlagung der Oberflächenanfangsstrukturierung zur Destabilisierung der Opferschichtgebiete (25) vorgenommen. In einem sechsten Verfahrensschritt wird die Oberflächenanfangsstrukturierung bei einer vorgegebenen Bearbeitungstemperatur mit einem Hochdruckflüssigkeitsstrahl (33) beaufschlagt, wodurch zumindest Teile der die Opferschichtgebiete (25) bedeckenden Beschichtung (29) zur Erzeugung der Oberflächenendstruktu­rierung mechanisch entfernt bzw. wenigstens aufgebrochen werden. Im sechsten Verfahrensschritt hat die Flüssigkeit des Hochdruckflüssigkeitsstrahls (33) während der Beaufschlagung bei der Betriebstemperatur eine vernachlässigbare chemische Reaktionsgeschwindigkeit und/oder physikalische Auflösungsgeschwindigkeit mit Materialien der Einheit (1) und/oder mit insbesondere organischen, Fluiddichtungsmitteln unterhalb einer Messgrenze. Durch die vorliegenden Erfindung werden die Probleme des Stands der Technik überwunden. Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist insbesondere ein Verfahren anzugeben, mit dessen Hilfe eine Lift-Off-Technik angewandt werden kann, ohne dass teure und schwierig zu handhabende Lösungsmittel eingesetzt werden müssen.
    • 根据本发明的方法(“剥离法”)制造的单元(1),它是有一个空间Oberfächenstrukturierung基底层(3)上,在基层上(3)在第一方法步骤中光致抗蚀剂,以产生一个光致抗蚀剂层 (9)施加。 A,预定的最终表面,其适于(9)在第二工艺步骤中进行光致抗蚀剂层的掩膜曝光(13)。 在第三个方法步骤中,光致抗蚀剂层(9)由显影部件移除,使得光致抗蚀剂的子区域(25)为具有初始表面图案化的牺牲层区域。 在第四个方法步骤中,初始表面结构现在获得的涂层覆盖(29,31),优选作为交替层系统,被施加,特别是溅射。 在第五个方法步骤中,一个激励所述初始表面图案化以破坏(25)由所述牺牲层的区域。 在第六个方法步骤中,初始表面结构在预定加工温度下通过高压液体射流(33),由此所述牺牲层区域(25)覆盖所述涂层(29)的至少部分被机械地去除,以产生最终的表面或至少打破施加。 在第六步骤中,将高压液体射流(33)的在工作温度下应用时的液体具有可忽略的化学反应速率和/或物理的溶解速率与所述单元(1)和/或具有低于测量极限特定有机流体密封剂的材料。 通过本发明,现有技术的问题被克服。 本发明的目的是特别提供,通过剥离技术的装置可以应用,而不需要昂贵的和难以处理的溶剂,必须使用的方法。
    • 3. 发明授权
    • VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER EINHEIT MIT EINER RÄUMLICHEN OBERFLÄCHENSTRUKTURIERUNG SOWIE VERWENDUNG DIESES VERFAHRENS
    • VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER EINHEIT MIT EINERRÄUMLICHENOBERFLÄCHENSTRUKTURIERUNGSOWIE VERWENDUNG DIESES VERFAHRENS
    • EP1502156B1
    • 2005-11-16
    • EP03749830.0
    • 2003-05-07
    • Unaxis Balzers Aktiengesellschaft
    • GRABHER, PatrickHEINE-KEMPKENS, ClausBISCHOFBERGER, Roger
    • G03F7/00G03F7/40G02B7/00
    • G03F7/0007G03F7/40G03F7/405G03F7/42G03F7/422G03F7/425
    • In a first step of the inventive method, a photoresist is applied to the base layer (3) in order to produce a photoresist layer (9). A masked exposure (13) of the photoresist layer (9), adapted to a pre-determined final surface structuring, is carried out in a second step. In a third step, parts of the photoresist layer (9) are removed by development, such that initial surface structuring comprising photoresist partial regions (25) as sacrificial layer regions is obtained. In a fourth step, a coating (29, 31) covering the obtained initial surface structuring is applied, especially sputtered, preferably as an alternating layer system. In a fifth step, energy is supplied to the initial surface structuring in order to destabilise the sacrificial layer regions (25). In a sixth step, a high pressure liquid jet (33) is applied to the initial surface structuring at a pre-determined processing temperature, whereby at least parts of the coating (29) covering the sacrificial layer regions (25) are mechanically removed or at least broken off in order to produce the final surface structuring.
    • 在本发明方法的第一步骤中,将光致抗蚀剂施加到基层(3)以产生光致抗蚀剂层(9)。 在第二步骤中执行适合于预定最终表面结构化的光致抗蚀剂层(9)的掩模曝光(13)。 在第三步骤中,通过显影除去部分光致抗蚀剂层(9),使得获得包括作为牺牲层区域的光致抗蚀剂部分区域(25)的初始表面结构化。 在第四步骤中,涂覆覆盖获得的初始表面结构化的涂层(29,31),尤其是溅射,优选作为交替层系统。 在第五步中,将能量提供给初始表面结构化以便使牺牲层区域(25)不稳定。 在第六步骤中,将高压液体射流(33)施加到在预定处理温度下的初始表面结构化,由此机械地去除覆盖牺牲层区域(25)的涂层(29)的至少一部分或 至少要断开才能生成最终的表面结构。