专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP2014179469A Semiconductor light-emitting element, light-emitting device, and method of manufacturing semiconductor light-emitting device 审中-公开
标题翻译：半导体发光元件，发光元件及制造半导体发光元件的方法
公开(公告)号：JP2014179469A
公开(公告)日：2014-09-25
申请号：JP2013052527
申请日：2013-03-14
申请人： Toshiba Corp , 株式会社東芝
发明人： YAMADA SHINJI , KATSUNO HIROSHI , MIKI SATOSHI , SUGIYAMA NAOJI , NUNOUE SHINYA
IPC分类号： H01L33/60
CPC分类号： H01L33/385 , H01L33/005 , H01L33/0095 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L33/46 , H01L33/486 , H01L33/50 , H01L33/505 , H01L33/60 , H01L33/64 , H01L33/647 , H01L2924/12042
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a semiconductor light-emitting element, a light-emitting device, and a method of manufacturing a semiconductor light-emitting element with high light extraction efficiency.SOLUTION: According to an embodiment, there is provided a semiconductor light-emitting element comprising a laminated body and first and second metal layers. The laminated body includes a first semiconductor layer, a second semiconductor layer, and a light-emitting layer. The second semiconductor layer is separated from the first semiconductor layer in a first direction. The light-emitting layer is provided between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer. The first metal layer is laminated on the laminated body in the first direction, includes a side surface extending in the first direction, and is electrically connected to one of the first semiconductor layer and the second semiconductor layer. The second metal layer covers at least a part of the side surface of the first metal layer. A reflectance of the second metal layer is higher than a reflectance of the first metal layer.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种制造半导体发光元件的方法，发光器件以及制造具有高光提取效率的半导体发光元件的方法。解决方案：根据实施例，存在提供了包括层叠体和第一和第二金属层的半导体发光元件。层叠体包括第一半导体层，第二半导体层和发光层。第二半导体层在第一方向与第一半导体层分离。发光层设置在第一半导体层和第二半导体层之间。第一金属层沿第一方向层叠在层叠体上，包括沿第一方向延伸的侧面，并且电连接到第一半导体层和第二半导体层中的一个。第二金属层覆盖第一金属层的侧表面的至少一部分。第二金属层的反射率高于第一金属层的反射率。

2. 发明专利

JP2013258208A Semiconductor light-emitting element 审中-公开
标题翻译：半导体发光元件
公开(公告)号：JP2013258208A
公开(公告)日：2013-12-26
申请号：JP2012132222
申请日：2012-06-11
申请人： Toshiba Corp , 株式会社東芝
发明人： TAJIMA JUNPEI , ZAIMA KOTARO , KIMURA SHIGEYA , ONO HIROSHI , YAMADA SHINJI , MIKI SATOSHI , SUGIYAMA NAOJI , NUNOUE SHINYA
IPC分类号： H01L33/32 , H01L21/205
CPC分类号： H01L33/40 , H01L33/14 , H01L33/22 , H01L33/38
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high-efficiency semiconductor light-emitting element.SOLUTION: There is provided a semiconductor light-emitting element including a first electrode, a first semiconductor layer, a light-emitting layer, a second semiconductor layer, a third semiconductor layer, and a second electrode that are sequentially stacked. The first to third semiconductor layers and the light-emitting layer include a nitride semiconductor. The first semiconductor layer has a first conductivity type. The second semiconductor layer has a second conductivity type. The third semiconductor layer is provided on a part of the second semiconductor layer. The impurity concentration of the second conductivity type of the third semiconductor layer is lower than that of the second semiconductor layer. The second electrode includes a pad portion and a thin-line portion. The pad portion is provided on the third semiconductor layer. The thin-line portion extends from the pad portion, has a portion extending along a flat surface perpendicular to the stacking direction, and is in contact with the second semiconductor layer.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种高效率半导体发光元件。解决方案：提供一种半导体发光元件，包括第一电极，第一半导体层，发光层，第二半导体层，第二半导体层第三半导体层和第二电极。第一至第三半导体层和发光层包括氮化物半导体。第一半导体层具有第一导电类型。第二半导体层具有第二导电类型。第三半导体层设置在第二半导体层的一部分上。第三半导体层的第二导电类型的杂质浓度低于第二半导体层的杂质浓度。第二电极包括焊盘部分和细线部分。焊盘部分设置在第三半导体层上。细线部分从焊盘部分延伸，具有沿垂直于堆叠方向的平坦表面延伸的部分，并与第二半导体层接触。

3. 发明专利

JP2013065632A Semiconductor element, wafer, method of manufacturing semiconductor element, and method of manufacturing wafer 有权
标题翻译：半导体元件，波形，制造半导体元件的方法和制造方法
公开(公告)号：JP2013065632A
公开(公告)日：2013-04-11
申请号：JP2011202323
申请日：2011-09-15
申请人： Toshiba Corp , 株式会社東芝
发明人： KUSHIBE MITSUHIRO , OBA YASUO , KATSUNO HIROSHI , KANEKO KATSURA , YAMADA SHINJI
IPC分类号： H01L33/32 , H01S5/343
CPC分类号： H01L33/06 , H01L33/0079 , H01L33/32
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor element having high efficiency, a wafer, a method of manufacturing the semiconductor element, and a method of manufacturing the wafer.SOLUTION: The semiconductor element includes an n-type first layer containing a nitride semiconductor, a p-type second layer containing the nitride semiconductor, a light-emitting part, and a first stack. The light-emitting part is provided between the first layer and the second layer. The light-emitting part includes a plurality of barrier layers and well layers provided between the plurality of barrier layers. The first stack is provided between the first layer and the light-emitting part. The first stack includes a plurality of third layers that contain AlGaInN, and a plurality of fourth layers that are alternately stacked with the plurality of third layers and contain GaInN. The first stack includes recesses provided in a surface of the first stack on the light-emitting part side. In at least parts of the recesses, a part of the light-emitting part and a part of the second layer are embedded. The part of the second layer is located on the part of the embedded light-emitting part.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种具有高效率的半导体元件，晶片，半导体元件的制造方法以及晶片的制造方法。解决方案：半导体元件包括含有氮化物半导体的n型第一层，含有氮化物半导体的p型第二层，发光部和第一层。发光部分设置在第一层和第二层之间。发光部分包括设置在多个阻挡层之间的多个阻挡层和阱层。第一叠层设置在第一层和发光部之间。第一堆叠包括多个含有AlGaInN的第三层，以及与多个第三层交替堆叠并包含GaInN的多个第四层。第一堆叠包括设置在发光部分侧的第一堆叠的表面中的凹部。在凹部的至少一部分中，发光部分的一部分和第二层的一部分被嵌入。第二层的一部分位于嵌入式发光部的一部分。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

4. 发明专利

JP2012044194A Semiconductor light-emitting device, wafer, and method of manufacturing semiconductor light-emitting device and wafer 有权
标题翻译：半导体发光器件，滤波器及制造半导体发光器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2012044194A
公开(公告)日：2012-03-01
申请号：JP2011202266
申请日：2011-09-15
申请人： Toshiba Corp , 株式会社東芝
发明人： KUSHIBE MITSUHIRO , OBA YASUO , KANEKO KATSURA , KATSUNO HIROSHI , YAMADA SHINJI
IPC分类号： H01L33/06 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , H01L21/205 , H01L33/32
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor light-emitting device and a wafer that are capable of efficiently emitting near-ultraviolet light, and to provide a method of manufacturing them.SOLUTION: A semiconductor light-emitting device comprises a first layer, a second layer, light-emitting portion, a first stacked structure, and a second stacked structure. The first layer includes at least any of n-type GaN and n-type AlGaN. The second layer includes p-type AlGaN. The light-emitting portion is provided between the first layer and the second layer, and includes a barrier layer and a well layer. The first stacked structure is provided between the first layer and the light-emitting portion. The first stacked structure includes a plurality of third layers including AlGaInN and a plurality of fourth layers that are alternately stacked with the plurality of the third layers and include GaInN. The second stacked structure is provided between the first layer and the first stacked structure. The second stacked structure includes a plurality of fifth layers including GaN and a plurality of sixth layers that are alternately stacked with the plurality of fifth layers and include GaInN.
摘要翻译：要解决的问题：提供能够有效地发射近紫外光的半导体发光器件和晶片，并提供其制造方法。解决方案：半导体发光器件包括第一层，第二层，发光部分，第一堆叠结构和第二堆叠结构。第一层包括n型GaN和n型AlGaN中的至少任一种。第二层包括p型AlGaN。发光部分设置在第一层和第二层之间，并且包括阻挡层和阱层。第一层叠结构设置在第一层和发光部之间。第一堆叠结构包括多个第三层，包括AlGaInN和与多个第三层交替堆叠的多个第四层，并且包括GaInN。第二堆叠结构设置在第一层和第一堆叠结构之间。第二堆叠结构包括多个第五层，包括GaN和多个第六层，其与多个第五层交替堆叠并且包括GaInN。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

5. 发明专利

JP2014195114A Semiconductor light-emitting element and wafer 有权
标题翻译：半导体发光元件和波长
公开(公告)号：JP2014195114A
公开(公告)日：2014-10-09
申请号：JP2014114159
申请日：2014-06-02
申请人： Toshiba Corp , 株式会社東芝
发明人： KUSHIBE MITSUHIRO , OBA YASUO , KATSUNO HIROSHI , KANEKO KATSURA , YAMADA SHINJI
IPC分类号： H01L33/12 , H01L33/04 , H01L33/32
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high-efficiency semiconductor light-emitting element and a wafer.SOLUTION: There is provided a semiconductor light-emitting element including an n-type first layer containing a nitride semiconductor, a p-type second layer containing a nitride semiconductor, a light-emitting portion provided between the first layer and the second layer, and a first laminated structure provided between the first layer and the light-emitting portion. The light-emitting portion includes a plurality of barrier layers containing AlGaInN and a well layers provided between the plurality of barrier layers. The first laminated structure includes a plurality of third layers containing AlGaInN; and a plurality of fourth layers alternately stacked with the plurality of third layers, each having a thickness thinner than that of each of the well layers, and containing GaInN. The number of third layers and the number of fourth layers are 10 or more to 30 or less. The optical bang-gap energy of the well layers is smaller than the optical band-gap energy of the fourth layers.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种高效半导体发光元件和晶片。解决方案：提供一种半导体发光元件，其包括含有氮化物半导体的n型第一层，含有第二层的p型第二层氮化物半导体，设置在第一层和第二层之间的发光部，以及设置在第一层和发光部之间的第一层叠结构。发光部分包括多个包含AlGaInN的势垒层和设置在多个势垒层之间的阱层。第一层叠结构包括多个含有AlGaInN的第三层; 以及与所述多个第三层交替堆叠的多个第四层，每个第三层的厚度均薄于每个所述阱层的厚度，并且包含GaInN。第三层的数量和第四层的数量为10以上至30以下。阱层的光学能隙能量小于第四层的光学带隙能量。

6. 发明专利

JP2014107291A Semiconductor light-emitting element and method of manufacturing the same 有权
标题翻译：半导体发光元件及其制造方法
公开(公告)号：JP2014107291A
公开(公告)日：2014-06-09
申请号：JP2012256725
申请日：2012-11-22
申请人： Toshiba Corp , 株式会社東芝
发明人： YAMADA SHINJI , KATSUNO HIROSHI , MIKI SATOSHI , NUNOUE SHINYA
IPC分类号： H01L33/62 , H01L33/50 , H01L33/64
CPC分类号： H01L33/50 , H01L33/36 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/385 , H01L33/44 , H01L33/486 , H01L33/505 , H01L33/647 , H01L2924/0002 , H01L2933/0075 , H01L2924/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor light-emitting element and a method of manufacturing the same.SOLUTION: There is provided a semiconductor light-emitting element including a laminated body, a wavelength conversion layer, a first metal layer, and a first insulating portion. The laminated body includes a first semiconductor layer, a second semiconductor layer, and a first light-emitting layer. The first semiconductor layer includes a first side surface. The light-emitting layer is provided between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer. The metal layer includes a first side-surface portion and a first bottom-surface portion. The first side-surface portion is faced to at least a part of the wavelength conversion layer and the first side surface. The first bottom-surface portion is faced to the second semiconductor layer. The first metal layer is electrically connected to the second semiconductor layer. The first insulating portion is provided between the first side surface and the first side-surface portion and between the wavelength conversion layer and the first side-surface portion, and electrically insulates the first semiconductor layer and the first metal layer.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种半导体发光元件及其制造方法。解决方案：提供一种半导体发光元件，其包括层叠体，波长转换层，第一金属层和第一绝缘部分。层叠体包括第一半导体层，第二半导体层和第一发光层。第一半导体层包括第一侧表面。发光层设置在第一半导体层和第二半导体层之间。金属层包括第一侧表面部分和第一底表面部分。第一侧面部分面向波长转换层和第一侧表面的至少一部分。第一底表面部分面向第二半导体层。第一金属层电连接到第二半导体层。第一绝缘部分设置在第一侧表面和第一侧表面部分之间以及波长转换层和第一侧表面部分之间，并且使第一半导体层和第一金属层电绝缘。

7. 发明专利

JP2012182211A Semiconductor light-emitting element, and semiconductor light-emitting device 有权
标题翻译：半导体发光元件和半导体发光器件
公开(公告)号：JP2012182211A
公开(公告)日：2012-09-20
申请号：JP2011042596
申请日：2011-02-28
申请人： Toshiba Corp , 株式会社東芝
发明人： KATSUNO HIROSHI , OBA YASUO , YAMADA SHINJI , KUSHIBE MITSUHIRO , KANEKO KATSURA
IPC分类号： H01L33/40 , H01L21/28
CPC分类号： H01L33/405 , H01L24/32 , H01L33/40 , H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2933/0016 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor light-emitting element capable of achieving high luminance, high efficiency, and high reliability.SOLUTION: A semiconductor light-emitting element according to an embodiment has a lamination structure body and an electrode. The lamination structure body has: a first conductivity type first semiconductor layer consisting of a nitride-based semiconductor; a second conductivity type second semiconductor layer consisting of a nitride-based semiconductor; and a light-emitting layer provided between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer. The electrode has first, second, and third metal layers. The first metal layer is provided on an opposite side of the light-emitting layer side of the second semiconductor layer, and contains silver or a silver alloy. The second metal layer is provided on an opposite side of the second semiconductor layer side of the first metal layer, and contains at least any one element of gold, platinum, palladium, rhodium, iridium, ruthenium, and osmium. The third metal layer is provided on an opposite side of the first metal layer side of the second metal layer. A thickness of the third metal layer in a direction from the first semiconductor layer toward the second semiconductor layer is equal to or larger than a thickness of the second metal layer in the direction.
摘要翻译：要解决的问题：提供能够实现高亮度，高效率和高可靠性的半导体发光元件。解决方案：根据实施例的半导体发光元件具有层叠结构体和电极。层叠结构体具有：由氮化物系半导体构成的第一导电型第一半导体层; 由氮化物类半导体构成的第二导电型第二半导体层; 以及设置在第一半导体层和第二半导体层之间的发光层。电极具有第一，第二和第三金属层。第一金属层设置在第二半导体层的发光层侧的相对侧，并且包含银或银合金。第二金属层设置在第一金属层的第二半导体层侧的相反侧，并且包含金，铂，钯，铑，铱，钌和锇中的至少一种元素。第三金属层设置在第二金属层的第一金属层侧的相对侧上。在从第一半导体层朝向第二半导体层的方向上的第三金属层的厚度等于或大于第二金属层在该方向上的厚度。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

8. 发明专利

JP2015026868A 半導体発光素子及びその製造方法有权
标题翻译：半导体发光元件及其制造方法
公开(公告)号：JP2015026868A
公开(公告)日：2015-02-05
申请号：JP2014224609
申请日：2014-11-04
申请人：株式会社東芝 , Toshiba Corp
发明人： TAJIMA JUNPEI , ZAIMA KOTARO , ONO HIROSHI , YAMADA SHINJI , KIMURA SHIGEYA , SUGIYAMA NAOJI , NUNOUE SHINYA
IPC分类号： H01L33/12 , H01L33/22 , H01L33/38
摘要：【課題】高品質の半導体発光素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】実施形態によれば、基板と、第1、第2電極と、第1半導体層と、発光層と、第2半導体層と、絶縁層と、を含む半導体発光素子が提供される。基板は、第1の領域と、第2の領域と、第1、第2の領域の間の第3の領域と、を含む。第1半導体層は、第1の領域上の第1部分と、第2の領域上の第2部分と、を含む。発光層は、第1部分上の第3部分と、第2部分上の第4部分と、を含む。第2半導体層は、第3部分上の第5部分と、第4部分上の第6部分と、を含む。絶縁層は、第3の領域上で、第1、第2部分の間、及び、第3、第4部分の間に設けられる。第2電極は、絶縁層上の第7部分と、第5部分の第6部分に対向する側面に接する第8部分と、第6部分の第5部分に対向する側面に接する第9部分と、を含む。第1電極は、第1の領域に接する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种高品质的半导体发光元件及其制造方法。解决方案：提供一种半导体发光元件，其包括基板，第一和第二电极，第一半导体层，发光层，第二半导体层和绝缘层。衬底包括第一区域，第二区域和第一区域与第二区域之间的第三区域。第一半导体层包括第一区域上的第一部分和第二区域上的第二部分。发光层包括第一部分上的第三部分和第二部分上的第四部分。第二半导体层包括第三部分上的第五部分和第四部分上的第六部分。绝缘层设置在第一和第二部分之间以及在第三区域的第三和第四部分之间。第二电极包括绝缘层上的第七部分，与第五部分面向第六部分的侧表面接触的第八部分和与第五部分相对的第六部分的侧表面接触的第九部分。第一电极与第一区域接触。

9. 发明专利

JP2015018878A 半導体発光素子及びその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体发光元件及其制造方法
公开(公告)号：JP2015018878A
公开(公告)日：2015-01-29
申请号：JP2013143955
申请日：2013-07-09
申请人：株式会社東芝 , Toshiba Corp
发明人： MIKI SATOSHI , YAMADA SHINJI , NUNOUE SHINYA
IPC分类号： H01L33/22 , H01L33/38
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/005 , H01L33/06 , H01L33/22 , H01L33/382
摘要：【課題】光取り出し効率を向上させることのできる半導体発光素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板5と積層体SBとを備えた半導体発光素子において、積層体SBは、第1方向に基板5と並び、第1及び第2半導体層10、20と発光層30と第1及び第2電極11、12とを含む。第1半導体層10は、複数の凸部が並べて設けられた第1部分10pと、第1方向と交差する第2方向に第1部分10pと並ぶ第2部分10qとを含む第1面10aを有する。第2半導体層20は、第2部分と対向して設けられる。発光層30は、第2部分10qと第2半導体層20との間に設けられる。第1電極11は、第1部分10と対向し、第1半導体層10と接続される。第2電極12は、第2半導体層20と接続される。第2半導体層20は、第2電極12と発光層30との間に配置される。複数の凸部の間隔は、発光層30の放出光の波長の0.5倍以上4倍以下である。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种允许提高光提取效率并提供其制造方法的半导体发光元件。解决方案：在包括基板5和堆叠体SB的半导体发光元件中，堆叠主体SB在第一方向上与基板5对准，并且包括第一和第二层10和20，发光层30以及第一和第二电极11和12.第一半导体层10具有第一表面10a，第一表面10a具有第一并排设置有多个凸起的部分10p以及与第一部分10p对准的第二部分10q在与第一方向交叉的第二方向上。第二半导体层20被设置成面对第二部分。发光层30设置在第二部分10q和第二半导体层20之间。第一电极11面向第一部分10p并连接到第一半导体层10.第二电极12连接到第二半导体层第二半导体层20设置在第二电极12和发光层30之间。多个光的空间是发光的发射波长的0.5倍以上且4倍以下层30。

10. 发明专利

JP2014239149A 窒化物半導体ウェーハ、窒化物半導体素子及び窒化物半導体ウェーハの製造方法有权
标题翻译：氮化物半导体膜，氮化物半导体元件和制造氮化物半导体晶体的方法
公开(公告)号：JP2014239149A
公开(公告)日：2014-12-18
申请号：JP2013120863
申请日：2013-06-07
申请人：株式会社東芝 , Toshiba Corp
发明人： KANEKO KATSURA , KUSHIBE MITSUHIRO , KATSUNO HIROSHI , YAMADA SHINJI , TAJIMA JUNPEI , OBA YASUO
IPC分类号： H01L21/20 , C23C16/34 , H01L21/203 , H01L21/205 , H01L33/32
CPC分类号： H01L33/12 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0251 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/154 , H01L29/157 , H01L29/2003 , H01L29/201 , H01L29/36 , H01L33/007 , H01L33/06 , H01L33/32
摘要：【課題】クラックを抑制した窒化物半導体ウェーハ、窒化物半導体素子及び窒化物半導体ウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】実施形態によれば、シリコン基板と、第1層〜第6層と、を備えた窒化物半導体ウェーハが提供される。第1層は、シリコン基板の上に設けられ、Alx1Ga1−x1Nである。第2層は、第1層の上に設けられ、Alx2Ga1−x2Nである。第3層は、第2層の上に設けられ、Alx3Ga1−x3Nである。第4層は、第3層の上に設けられ、Alx4Ga1−x4Nである。第5層は、第4層の上に設けられ、Alx5Ga1−x5Nである。第6層は、第5層の上に設けられ、Alx6Ga1−x6Nである。組成比x4は、第3層から第5層に向かって減少する。組成比x4の最大値は、組成比x3以下である。組成比x4の最小値は、組成比x5以上である。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种防止裂纹发生的氮化物半导体晶片，氮化物半导体元件和制造氮化物半导体晶片的方法。提供了一种氮化物半导体晶片，其包括硅衬底和第一至第六层。第一层设置在硅衬底上并由AlGaN组成。第二层设置在第一层上，由AlGaN构成。第三层设置在第二层上，由AlGaN构成。第四层设置在第三层上，由AlGaN组成。第五层设置在第四层上，由AlGaN组成。第六层设置在第五层上，由AlGaN组成。组成比x4从第三层向第五层减小。组成比x4的最大值小于或等于组成比x3。组成比x4的最小值大于或等于组成比x5。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式