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1. 发明专利

JP2014062990A Pattern forming method 有权
标题翻译：图案形成方法
公开(公告)号：JP2014062990A
公开(公告)日：2014-04-10
申请号：JP2012207413
申请日：2012-09-20
申请人： Tokyo Electron Ltd , 東京エレクトロン株式会社 , Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd , 東京応化工業株式会社
发明人： MURAMATSU MAKOTO , KITANO TAKAHIRO , TOMITA TADATOSHI , TAUCHI HIROSHI , MOTOIKE NAOTO , NAMITO TOSHIAKI , OMORI KATSUMI
IPC分类号： G03F7/40 , C08F297/00 , G03F7/039 , G03F7/11 , H01L21/027
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a pattern forming method by which a fine pattern with small roughness can be formed.SOLUTION: The pattern forming method includes steps of: forming a resist film by applying a resist composition on a process target body; patterning the resist film by exposure and development; forming a surface modified region on the process target body by using the patterned resist film; removing the patterned resist film; applying a block copolymer containing a first polymer and a second polymer on the process target body; subjecting the block copolymer to phase separation; and removing one of the first polymer and the second polymer of the phase-separated block copolymer. The resist composition comprises: a resin component having a structural unit which shows increase in the polarity by an action of an acid and includes an acid decomposable group having a monocyclic or linear hydrocarbon group; and an acid generator component which generates an acid by exposure.
摘要翻译：要解决的问题：提供可以形成粗糙度小的精细图案的图案形成方法。解决方案：图案形成方法包括以下步骤：通过将抗蚀剂组合物涂覆在加工对象体上而形成抗蚀剂膜; 通过曝光和显影图案化抗蚀剂膜; 通过使用图案化的抗蚀剂膜在工艺目标体上形成表面改性区域; 去除图案化的抗蚀剂膜; 将含有第一聚合物和第二聚合物的嵌段共聚物施加到所述工艺靶体上; 对嵌段共聚物进行相分离; 并除去相分离的嵌段共聚物的第一聚合物和第二聚合物之一。抗蚀剂组合物包括：具有结构单元的树脂组分，其通过酸的作用显示极性增加，并且包括具有单环或直链烃基的酸可分解基团; 以及通过曝光产生酸的酸发生剂组分。

2. 发明专利

JP2015008246A 基板処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム有权
标题翻译：基板处理方法，程序，计算机存储介质和基板处理系统
公开(公告)号：JP2015008246A
公开(公告)日：2015-01-15
申请号：JP2013133383
申请日：2013-06-26
申请人：東京エレクトロン株式会社 , Tokyo Electron Ltd
发明人： MURAMATSU MAKOTO , KITANO TAKAHIRO , TOMITA TADATOSHI , NISHI TAKANORI , KAWAKAMI SHINICHIRO , YAMAUCHI TAKESHI
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/40
CPC分类号： G03F7/20 , B81C2201/0149 , C08L53/00 , C09D153/00 , G03F7/0002 , G03F7/16 , G03F7/32 , G03F7/40 , H01L21/02282 , H01L21/0274 , H01L21/3086 , H01L21/31133 , H01L21/67028 , H01L21/67051 , H01L21/6708
摘要：【課題】親水性ポリマーと疎水性ポリマーとを含むブロック共重合体を用いた基板処理において、基板上に所定のパターンを適切に形成する。【解決手段】ブロック共重合体を用いて基板を処理する方法であって、親水性ポリマーと疎水性ポリマーに対して中間の親和性を有する中性層を基板上に形成し、次いで中性層上にレジストパターンを形成した後にブロック共重合体を塗布する。その後、ブロック共重合体を親水性ポリマーと疎水性ポリマーに相分離させ、次いで相分離したブロック共重合体に紫外線を照射する。その後、親水性ポリマーに対して第1の溶解度を有し、水より沸点が低く、水に対して可溶で、且つ疎水性ポリマーを溶解しない第1の極性有機溶剤を、ブロック共重合体に供給し、次いで、第1の溶解度より低い第2の溶解度を有し、水よりも沸点が高く、且つ疎水性ポリマーを溶解しない第2の極性有機溶剤を、ブロック共重合体に供給する。【選択図】図7
摘要翻译：要解决的问题：在使用包括亲水性聚合物和疏水性聚合物的嵌段共聚物的基板处理中，在基板上适当地形成预定图案。解决方案：使用嵌段共聚物来处理基材的方法包括：形成具有中等亲和力的中性层在基材上的亲水性聚合物和疏水性聚合物; 随后在中性层上形成抗蚀剂图案; 用嵌段共聚物涂覆抗蚀剂图案; 随后将嵌段共聚物相分离成亲水聚合物和疏水聚合物; 随后用紫外线照射相分离的嵌段共聚物; 向嵌段共聚物中提供相对于亲水性聚合物具有第一溶解度的第一极性有机溶剂，其沸点低于水的沸点，可溶于水，并且不溶解疏水性聚合物; 并且将第二溶解度低于第一溶解度的第二极性有机溶剂供给嵌段共聚物，其沸点高于水，并且不溶解疏水性聚合物。

3. 发明专利

JP2013247159A Pattern formation method, pattern formation device, and computer readable storage medium 有权
标题翻译：图案形成方法，图案形成装置和计算机可读存储介质
公开(公告)号：JP2013247159A
公开(公告)日：2013-12-09
申请号：JP2012117949
申请日：2012-05-23
申请人： Tokyo Electron Ltd , 東京エレクトロン株式会社
发明人： MURAMATSU MAKOTO , KITANO TAKAHIRO , TOMITA TADATOSHI , TAUCHI HIROSHI
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/3205 , H01L21/768
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a pattern formation method capable of avoiding increase of manufacturing costs or deterioration of a throughput when a pattern is formed by block copolymer.SOLUTION: A pattern formation method includes steps of: forming a film of block copolymer containing at least two kinds of polymer on a film; separating at least the two kinds of polymer from each other by heating the film of the block copolymer; acquiring an image of a surface of the film of the block copolymer in which at least the two kinds of polymer are separated from each other; and determining whether at least the two kinds of polymer are properly separated from each other according to the image.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种图案形成方法，其能够避免当通过嵌段共聚物形成图案时制造成本的增加或生产量的劣化。图案形成方法包括以下步骤：形成含有膜上最少有两种聚合物; 通过加热嵌段共聚物的膜将至少两种聚合物彼此分离; 获取其中至少两种聚合物彼此分离的嵌段共聚物的膜的表面的图像; 以及根据图像确定至少两种聚合物是否彼此适当地分离。

4. 发明专利

JP2013232621A Pattern forming method, pattern forming device, and computer readable storage medium 有权
标题翻译：图案形成方法，图案形成装置和计算机可读存储介质
公开(公告)号：JP2013232621A
公开(公告)日：2013-11-14
申请号：JP2012285132
申请日：2012-12-27
申请人： Tokyo Electron Ltd , 東京エレクトロン株式会社
发明人： MURAMATSU MAKOTO , KITANO TAKAHIRO , TOMITA TADATOSHI , TAUCHI HIROSHI
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/40 , H01L21/28 , H01L21/768
CPC分类号： G03F7/40 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , G03F7/0002 , G03F7/2002 , G03F7/405 , H01L21/0271 , H01L21/0337 , H01L21/31133 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/6715 , H01L21/67178
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To improve the solubility ratio to an organic solvent between an A-polymer region and a B-polymer region in a block copolymer.SOLUTION: A pattern forming method includes the steps of: forming a film of a block copolymer containing at least two kinds of polymers on a substrate; heating the film of the block copolymer; irradiating the heated film of the block copolymer with UV light in an atmosphere of inert gas; and supplying an organic solvent to the film of the block copolymer irradiated with the UV light.
摘要翻译：要解决的问题：提高嵌段共聚物中A聚合物区域与B聚合物区域之间的有机溶剂的溶解度比。解决方案：图案形成方法包括以下步骤：形成含有基材上至少有两种聚合物; 加热嵌段共聚物的膜; 在惰性气体气氛中用UV光照射嵌段共聚物的加热膜; 并向被照射的紫外光的嵌段共聚物的膜供给有机溶剂。

5. 发明专利

JP2014087781A Substrate treatment method, program, computer storage medium, and substrate treatment system 有权
标题翻译：基板处理方法，程序，计算机存储介质和基板处理系统
公开(公告)号：JP2014087781A
公开(公告)日：2014-05-15
申请号：JP2013170120
申请日：2013-08-20
申请人： Tokyo Electron Ltd , 東京エレクトロン株式会社
发明人： MURAMATSU MAKOTO , KITANO TAKAHIRO , TOMITA TADATOSHI , TAUCHI HIROSHI , YANO KAZUTOSHI , SHIGETOMI KENICHI , TOYOSAWA SODAI
IPC分类号： B05D7/24 , B05D3/02 , B05D3/10 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/16 , G03F7/30 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/67098 , B05C9/14 , B05C11/08 , G03F7/0002 , H01J37/32889 , H01J2237/334 , H01L21/0271 , H01L21/3105 , H01L21/31058 , H01L21/31138 , H01L21/67023 , H01L21/67069 , H01L21/67103 , H01L21/67173 , H01L21/67225 , H01L21/67748 , H01L21/68757 , H01L21/68764
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To form a specified pattern on a substrate adequately, in substrate treatment using a block-copolymer including a hydrophilic polymer and a hydrophobic polymer.SOLUTION: A wafer treatment method using a block-copolymer including a first polymer and a second polymer comprises: a block-copolymer application process applying the block-copolymer to a wafer; and a polymer separation process to phase-separate the block-copolymer into the first polymer and the second polymer by heat-treatment of the block-copolymer on the wafer under a non-oxidation gas atmosphere. Thereafter, hydrophilic polymer is removed selectively from the phase-separated block-copolymer.
摘要翻译：要解决的问题：为了在基板上充分地形成指定的图案，在使用包含亲水性聚合物和疏水性聚合物的嵌段共聚物的基板处理中。使用包含第一聚合物和第二聚合物的嵌段共聚物的晶片处理方法聚合物包括：将嵌段共聚物施加到晶片的嵌段共聚物施加方法; 以及通过在非氧化气体气氛下在晶片上热处理嵌段共聚物来将嵌段共聚物相分离成第一聚合物和第二聚合物的聚合物分离方法。此后，亲水性聚合物被选择性地从相分离的嵌段共聚物中除去。

6. 发明专利

JP2014053439A Substrate processing method, program, computer storage medium and substrate processing system 有权
标题翻译：基板处理方法，程序，计算机存储介质和基板处理系统
公开(公告)号：JP2014053439A
公开(公告)日：2014-03-20
申请号：JP2012196737
申请日：2012-09-07
申请人： Tokyo Electron Ltd , 東京エレクトロン株式会社
发明人： MURAMATSU MAKOTO , KITANO TAKAHIRO , TOMITA TADATOSHI , TAUCHI HIROSHI
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/312
CPC分类号： H01L21/0337 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , H01L21/0271 , H01L21/67178
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To appropriately form a predetermined pattern on a substrate in substrate processing using a block copolymer including a hydrophilic polymer and a hydrophobic polymer.SOLUTION: A substrate processing method comprises: forming a neutral layer having intermediate affinity for a hydrophilic polymer and a hydrophobic polymer on a wafer (step S2); subsequently, hydrophilizing an exposed surface of the neutral layer, which is exposed from the resist pattern (step S4); subsequently, coating a block copolymer on the neutral layer (step S6); subsequently, phase separating the block copolymer into the hydrophilic polymer and the hydrophobic polymer (step S7); and subsequently, selectively removing the hydrophobic polymer from the phase-separated block copolymer (step S8).
摘要翻译：要解决的问题：在使用包括亲水性聚合物和疏水性聚合物的嵌段共聚物的基板处理中，在基板上适当地形成预定图案。溶液：基板处理方法包括：形成对亲水性聚合物具有中等亲和力的中性层，以及晶片上的疏水性聚合物（步骤S2）; 随后使从抗蚀剂图案露出的中性层的暴露表面亲水化（步骤S4）; 随后在中性层上涂覆嵌段共聚物（步骤S6）; 随后将嵌段共聚物相分离成亲水性聚合物和疏水性聚合物（步骤S7）; 然后从相分离的嵌段共聚物中选择性除去疏水性聚合物（步骤S8）。

7. 发明专利

JP2013249430A Pattern forming method and heating device 有权
标题翻译：图案形成方法和加热装置
公开(公告)号：JP2013249430A
公开(公告)日：2013-12-12
申请号：JP2012126591
申请日：2012-06-01
申请人： Tokyo Electron Ltd , 東京エレクトロン株式会社
发明人： MURAMATSU MAKOTO , KITANO TAKAHIRO , TOMITA TADATOSHI , TAUCHI HIROSHI
IPC分类号： C08F6/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To promote phase separation by promoting fluidization of a polymer of a block copolymer.SOLUTION: A pattern forming method comprises: a step of forming a film of a block copolymer containing at least two polymers on a substrate; a step of heating the film of the block copolymer under solvent vapor atmosphere to phase-separate the block copolymer; and a step of removing one polymer in the film of the phase-separated block copolymer.
摘要翻译：要解决的问题：通过促进嵌段共聚物的聚合物的流化促进相分离。溶液：图案形成方法包括：在基材上形成含有至少两种聚合物的嵌段共聚物的膜的步骤; 在溶剂蒸汽气氛下加热嵌段共聚物的膜以相分离嵌段共聚物的步骤; 以及除去相分离嵌段共聚物的膜中的一种聚合物的步骤。

8. 发明专利

JP2011187928A Substrate processing method 有权
标题翻译：基板处理方法
公开(公告)号：JP2011187928A
公开(公告)日：2011-09-22
申请号：JP2010266897
申请日：2010-11-30
申请人： Tokyo Electron Ltd , 東京エレクトロン株式会社
发明人： NAKAMURA YASUYUKI , NIWA TAKAFUMI , KUWAHARA YUHEI , TOMITA TADATOSHI
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0035 , G03F7/2041 , G03F7/40 , H01L21/0206 , H01L21/0273 , H01L21/6715
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of processing a substrate, which reduces variations in line width of the second time resist patterning on a wafer plane without lowering productivity when double patterning is performed. SOLUTION: The method includes first processing steps S12 to S16 of exposing a substrate having a first resist film formed thereon, developing the exposed substrate, and washing the substrate after subjected to the development to form a first resist pattern, and second processing steps S17 to S20 of forming a second resist film on the substrate having the first resist pattern formed thereon, exposing the substrate having the second resist film formed thereon and developing the exposed substrate to form a second resist pattern. Based on first data indicating the relationship between first process conditions under which the substrate is washed in the first processing step S16 and the line width of the second resist pattern, the first process conditions are determined. The substrate is carried out the first processing step S16 under the predetermined first process conditions. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种处理基板的方法，其减少了在进行双重图案化时不降低生产率的同时在晶片平面上形成第二时间抗蚀剂图案的线宽的变化。解决方案：该方法包括：第一处理步骤S12至S16，用于对其上形成有第一抗蚀剂膜的基板进行曝光，显影曝光的基板，以及在进行显影之后洗涤基板以形成第一抗蚀剂图案;以及第二处理在其上形成有第一抗蚀剂图案的基板上形成第二抗蚀剂膜的步骤S17至S20，使形成在其上的具有第二抗蚀剂膜的基板曝光并显影曝光的基板以形成第二抗蚀剂图案。基于表示在第一处理步骤S16中洗涤衬底的第一工艺条件与第二抗蚀剂图案的线宽之间的关系的第一数据，确定第一工艺条件。在预定的第一处理条件下进行基板的第一处理步骤S16。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

9. 发明专利

JP2014168001A Substrate processing method, program and computer storage medium 有权
标题翻译：基板处理方法，程序和计算机存储介质
公开(公告)号：JP2014168001A
公开(公告)日：2014-09-11
申请号：JP2013039666
申请日：2013-02-28
申请人： Tokyo Electron Ltd , 東京エレクトロン株式会社
发明人： MURAMATSU MAKOTO , KITANO TAKAHIRO , TOMITA TADATOSHI , TAUCHI HIROSHI , OKADA SOICHIRO
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01L21/0337 , B82Y40/00 , G03F7/0002
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To adjust the size of a pattern formed of a hydrophilic polymer and a hydrophobic polymer, in substrate processing using a block copolymer containing a hydrophilic polymer and a hydrophobic polymer.SOLUTION: In a substrate processing method, a resist pattern is formed on a wafer (step S3), and a block copolymer is coated on a substrate on which the resist pattern has been formed (step S4). Then, the substrate on which the block copolymer has been coated is subjected to heat treatment to phase separate the block copolymer into a hydrophilic polymer and a hydrophobic polymer. In the heat treatment for the phase separation of a polymer, the concentration of a solvent of a block copolymer contained in the block copolymer coated on a wafer is adjusted to a predetermined concentration.
摘要翻译：要解决的问题：调节由亲水性聚合物和疏水性聚合物形成的图案的尺寸，在使用含有亲水性聚合物和疏水性聚合物的嵌段共聚物进行基板处理时。形成在晶片上（步骤S3），并且在已经形成抗蚀剂图案的基板上涂布嵌段共聚物（步骤S4）。然后，将其上已经涂覆有嵌段共聚物的基材进行热处理，以将嵌段共聚物相分离成亲水性聚合物和疏水性聚合物。在用于相分离聚合物的热处理中，将包含在涂覆在晶片上的嵌段共聚物中的嵌段共聚物的溶剂浓度调节至预定浓度。

10. 发明专利

JP2014146740A Substrate treatment method, program and computer storage medium 有权
标题翻译：基板处理方法，程序和计算机存储介质
公开(公告)号：JP2014146740A
公开(公告)日：2014-08-14
申请号：JP2013015301
申请日：2013-01-30
申请人： Tokyo Electron Ltd , 東京エレクトロン株式会社
发明人： MURAMATSU MAKOTO , KITANO TAKAHIRO , TOMITA TADATOSHI , TAUCHI HIROSHI , OKADA SOICHIRO
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01L21/0337
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To arrange a hydrophilic polymer and a hydrophobic polymer into a desired pattern by appropriately forming a guide on a substrate in a substrate treatment method using a block copolymer containing the hydrophilic polymer and the hydrophobic polymer.SOLUTION: An antireflection film 402 is formed on a first resist film 401 that is soluble with an alkali solution and deprotected, both films being formed on an upper surface of a neutral layer 400 on a wafer W; and a resist pattern is formed in a second resist film 403 formed on the antireflection film 402. Then a predetermined pattern is formed in the neutral layer 400 by using the resist pattern of the second resist film 403 as a mask. Then the first resist film 401 is removed by use of an alkali solution. A black copolymer is applied on the wafer W after the first resist film 401 is removed; and the black copolymer is separated into phases of the hydrophilic polymer and the hydrophobic polymer.
摘要翻译：要解决的问题：通过使用含有亲水性聚合物和疏水性聚合物的嵌段共聚物的基板处理方法，通过在基板上适当地形成引导体，将亲水性聚合物和疏水性聚合物配置成所需图案。溶胶：抗反射膜402 形成在可溶于碱溶液并脱保护的第一抗蚀剂膜401上，两个膜形成在晶片W上的中性层400的上表面上; 并且在形成在防反射膜402上的第二抗蚀剂膜403中形成抗蚀剂图案。然后通过使用第二抗蚀剂膜403的抗蚀剂图案作为掩模在中性层400中形成预定图案。然后通过使用碱溶液除去第一抗蚀膜401。在去除第一抗蚀剂膜401之后，在晶片W上施加黑色共聚物; 并将黑色共聚物分离成亲水性聚合物和疏水性聚合物的相。

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