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1. 发明申请

WO2013102664A1 SUBSTRAT STRUCTURE POUR LEDS A FORTE EXTRACTION DE LUMIERE 审中-公开
标题翻译：具有高光提取功能的LED的结构基板
公开(公告)号：WO2013102664A1
公开(公告)日：2013-07-11
申请号：PCT/EP2013/050109
申请日：2013-01-04
申请人： COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES , SOITEC
发明人： DESIERES, Yohan , GILET, Philippe , GUENARD, Pascal
IPC分类号： H01L33/10 , H01L33/46 , H01L33/22 , H01L33/00 , H01L33/32
CPC分类号： H01L33/22 , G02B5/0236 , G02B5/0284 , H01L33/005 , H01L33/10 , H01L33/32 , H01L33/46 , H01L2933/0025 , H01L2933/0058
摘要： Dispositif de rétrodiffusion d'un rayon lumineux incident, comprenant un substrat hôte (20) et une couche structurée (10), comportant : • - une première face (12) en contact avec une face avant (22) du substrat hôte (20), • - une seconde face (14) plane parallèle e à la première face (12), • - un premier matériau A et un second matériau B formant dans un plan mixte, une alternance de surfaces (16) dont au moins une des dimensions étant comprises entre 300 nm et 800 nm, le plan mixte étant compris entre la première et la seconde face de la couche structurée, • - l'indice optique du premier et du second matériau étant différents, la couche structurée (10) étant recouverte par une couche spécifique (30), la couche spécifique étant réalisée dans un matériau C différent du matériau A et du matériau B de la couche structurée, la couche spécifique étant cristalline et semi-conductrice.
摘要翻译：包括主体基板（20）和结构化层（10）的反射散射入射光线的装置，包括：与主机基板（20）的前侧（22）接触的第一侧面（12）; 与第一侧（12）平行的平坦的第二侧（14）; 第一材料A和第二材料B在混合平面中形成表面（16）的交替，其中至少一个的尺寸在300nm和800nm之间，所述混合平面位于第一面和第结构化层的第二面; 所述第一和第二材料的光学折射率不同，所述结构化层（10）被由与所述结构化层材料A和材料B不同的材料C制成的特定层（30）覆盖，并且其中是晶体和半导体。

2. 发明申请

WO2013189949A1 METHOD OF COLLECTIVE MANUFACTURE OF LEDS AND STRUCTURE FOR COLLECTIVE MANUFACTURE OF LEDS. 审中-公开
标题翻译： LED集束制造方法和LED集束制造结构。
公开(公告)号：WO2013189949A1
公开(公告)日：2013-12-27
申请号：PCT/EP2013/062658
申请日：2013-06-18
申请人： SOITEC
发明人： GUENARD, Pascal
IPC分类号： H01L33/38 , H01L27/15 , H01L33/20
CPC分类号： H01L27/153 , H01L27/156 , H01L31/02008 , H01L31/075 , H01L31/1892 , H01L33/005 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/12 , H01L33/20 , H01L33/385 , H01L33/62 , H01L2933/0016 , H01L2933/0033 , H01L2933/0066 , Y02E10/548
摘要： The invention relates to a method of collective manufacturing of light-emitting diode (LED) devices comprising formation of elemental structures (150) each comprising an n- type layer (132), an active layer (133) and a p-type layer (134), the method comprising: - reduction of the lateral dimensions of part of each elemental LED structure (150); - formation of a portion of insulating material (139) on the sides of the elemental structures (150); - formation of n-type electrical contact pads (145) and p-type electrical contact pads (138); - deposition of a conductive material layer (141) on the elemental structures (150) and polishing of the conductive material layer (141); and - bonding by molecular adhesion of a second substrate (50) on the polished surface (70a) of said structure (70).
摘要翻译：本发明涉及一种集成制造发光二极管（LED）装置的方法，包括形成每个包括n型层（132），有源层（133）和p型层（132）的元素结构（150） 134），所述方法包括： - 减少每个元件LED结构（150）的一部分的横向尺寸; - 在所述元件结构（150）的侧面上形成绝缘材料（139）的一部分; - 形成n型电接触焊盘（145）和p型电接触焊盘（138）; - 导电材料层（141）沉积在所述元件结构（150）上并抛光所述导电材料层（141）; 以及 - 通过在所述结构（70）的抛光表面（70a）上的第二基底（50）的分子粘附而结合。

3. 发明申请

WO2017109000A1 SUBSTRAT POUR UN DISPOSITIF A ONDES ACOUSTIQUES DE SURFACE OU A ONDES ACOUSTIQUES DE VOLUME COMPENSE EN TEMPERATURE 审中-公开
标题翻译：声表面波基片或温度补偿体声波装置
公开(公告)号：WO2017109000A1
公开(公告)日：2017-06-29
申请号：PCT/EP2016/082252
申请日：2016-12-21
申请人： SOITEC
发明人： BROEKAART, Marcel , BARGE, Thierry , GUENARD, Pascal , RADU, Ionut , DESBONNETS, Eric , KONONCHUK, Oleg
IPC分类号： H01L41/08 , H01L41/312 , H03H9/02
CPC分类号： H01L41/312 , H03H3/02 , H03H9/02102 , H03H9/02574 , H03H9/02834
摘要： L'invention concerne un substrat (1) pour un dispositif à ondes acoustiques de surface ou à ondes acoustiques de volume, comprenant un substrat support (11) et une couche piézoélectrique (10) sur ledit substrat support, caractérisé en ce que le substrat support (11) comprend une couche semi-conductrice (111) sur un substrat raidisseur (110) présentant un coefficient de dilatation thermique plus proche du coefficient de dilatation thermique du matériau de de la couche piézoélectrique (10) que celui du silicium, la couche semi-conductrice (111) étant agencée entre la couche piézoélectrique (10) et le substrat raidisseur (110).
摘要翻译：本发明涉及用于装置的衬底（1）表面声波或＆gt; 包括在所述支撑基板上的支撑基板（11）和压电层（10），其特征在于：其中支撑衬底（11）包括在具有更接近于芯层材料的热膨胀系数的热膨胀系数的加强衬底（110）上的半导体层（111）。（10）的硅电极（10），所述半导体层（111）被布置在所述压电层（10）和所述硬化衬底（110）之间。

4. 发明申请

WO2017068270A1 STRUCTURE COMPOSITE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ 审中-公开
标题翻译：复合材料结构及其制造方法
公开(公告)号：WO2017068270A1
公开(公告)日：2017-04-27
申请号：PCT/FR2016/052675
申请日：2016-10-17
申请人： SOITEC
发明人： GUENARD, Pascal , RADU, Ionut , LANDRU, Didier , DESBONNETS, Eric
IPC分类号： H01L41/08 , H01L41/312 , H03H9/02
CPC分类号： H01L41/312 , H01L41/0805 , H03H9/02102 , H03H9/02574
摘要： L'invention concerne une structure composite (9) pour dispositif à ondes acoustiques comprenant une hétéro-structure (5) incluant : une couche utile (2) de matériau piézoélectrique, présentant une première et une seconde face, la première face étant disposée au niveau d'une première interface de collage sur un substrat support (1) présentant un coefficient de dilatation thermique inférieur à celui de la couche utile (2), la structure composite (9) étant caractérisée en ce qu'elle comprend une couche fonctionnelle (6) dont toute une surface est disposée au niveau d'une seconde interface de collage sur la seconde face de la couche utile (2) et présentant un coefficient de dilatation thermique inférieur à celui de la couche utile (2 ). L'invention concerne également un procédé de fabrication d'une structure composite (9).
摘要翻译：
本发明涉及一种用于设备＆agrave的复合结构（9）; 包括ħéT E RO-结构（5）包括声波器件：一个有用的层（2）垫é廖内PIéZOé电，PRé感觉Premi＆egrave;再和一个第二侧，所述Premi＆egrave;再面Dé ;在Premi＆egrave如此设置éé;再在支撑基板上键合界面（1）PRé感觉热膨胀低E的系数;笑＆agrave; 该有用的层（2），该复合结构（9）é作为字符éRISéE在于其包括一个功能层（6），其整个表面上的第二接口被布置éê 在有用层的第二侧接合（2）和Pré感觉热膨胀低E的系数;笑＆agrave; 该有用层（2）。本发明还涉及一种方法制造复合结构（9）。

5. 发明申请

WO2017068268A1 DISPOSITIF À ONDES ACOUSTIQUES DE SURFACE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ 审中-公开
标题翻译：表面声波装置及其制造方法
公开(公告)号：WO2017068268A1
公开(公告)日：2017-04-27
申请号：PCT/FR2016/052673
申请日：2016-10-17
申请人： SOITEC
发明人： GUENARD, Pascal , RADU, Ionut
IPC分类号： H03H3/10 , H03H9/02
CPC分类号： H03H3/10 , H03H9/02574 , H03H9/02834
摘要： L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à ondes acoustiques de surface, remarquable en ce qu' il comprend les étapes suivantes : • une étape de fourniture d'un substrat piézoélectrique (1) comportant un transducteur (2) disposé sur une face principale avant (3); • une étape de dépôt d'une couche diélectrique d' encapsulation (4) sur la face principale avant (3) du substrat piézoélectrique (1) et sur le transducteur (2); · une étape d'assemblage de la couche diélectrique d' encapsulation (4) à une face principale avant (6) d'un substrat support (5) présentant un coefficient de dilatation thermique inférieur à celui du substrat piézoélectrique (1). L' invention concerne en outre un dispositif à ondes acoustiques de surface comprenant une couche de matériau piézoélectrique munie d'un transducteur (2) sur une face principale avant (3), disposée sur un substrat support (5) dont le coefficient de dilatation thermique est inférieur à celui du matériau piézoélectrique, remarquable en ce que le transducteur (2) est disposé dans une couche diélectrique d' encapsulation (4), entre la couche (1) de matériau piézoélectrique et le substrat support (5).
摘要翻译：
本发明涉及一种方法制造设备和装置; 其特征在于它包括以下步骤：·提供包括设置在其中的换能器（2）的压电基片（1）的步骤; 在前主面（3）上; •消P＆OCIRC的去胶带;二é层的吨;电封装（4）在所述前主面（3）PIé基板; ZOé电动（1）和所述换能器（2）; ＆Middot; 封装介电层（4）的组装步骤; 具有较低热膨胀系数ag的支撑衬底（5）的前主面（6）压电衬底（1）的那些。本发明还涉及一种装置包括设置有在其前主面（3）的换能器（2）的磨砂é廖内PIéZOé电层的表面声波装置中，设置é在支撑衬底上（5），其热膨胀系数为低劣＆agrave; 压电材料的特点在于传感器（2）被丢弃; 在压电材料层（1）和支撑衬底（5）之间的电介质电封装层（4）中。

6. 发明申请

WO2017012940A1 PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT 审中-公开
标题翻译：制造基板的方法
公开(公告)号：WO2017012940A1
公开(公告)日：2017-01-26
申请号：PCT/EP2016/066609
申请日：2016-07-13
申请人： SOITEC
发明人： GUENARD, Pascal , BROEKAART, Marcel , BARGE, Thierry
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L41/312 , H03H9/02574
摘要： L'invention concerne un Procédé de fabrication d'un substrat, comprenant les étapes suivantes : a. Fournir un substrat support (10) présentant un premier coefficient de dilation thermique, comprenant sur une de ses faces une première pluralité de tranchées (12) parallèles entre elles selon une première direction, et une seconde pluralité de tranchées (13) parallèles entre elles selon une seconde direction; b. Transférer une couche utile (31), à partir d'un substrat donneur (30), sur le substrat support (10), la couche utile (31) présentant un second coefficient de dilatation thermique; le procédé de fabrication étant caractérisé en ce que une couche de intermédiaire est intercalée entre la face avant (11) du substrat support (10) et la couche utile (31), la couche intermédiaire (20) présentant un coefficient de dilation compris entre le premier et le second coefficient de dilatation thermique.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造衬底的方法，包括以下步骤：（a）提供具有第一热膨胀系数的支撑衬底（10），其具有在其一个面上的第一多个平行沟槽（13），其延伸和沿第二方向延伸的第二多个平行沟槽（13）; （b）将有用层（31）从供体衬底（30）转移到所述支撑衬底（10），所述有用层（31）具有第二热膨胀系数; 所述制造方法的特征在于，在所述支撑基板（10）的前表面（11）和所述有用层（31）之间插入中间层，所述中间层（20）具有所述第一和第二热膨胀系数。

7. 发明申请

WO2013189857A1 METHOD OF MANUFACTURING STRUCTURES OF LEDS OR SOLAR CELLS 审中-公开
标题翻译：制造LED或太阳能电池结构的方法
公开(公告)号：WO2013189857A1
公开(公告)日：2013-12-27
申请号：PCT/EP2013/062423
申请日：2013-06-14
申请人： SOITEC
发明人： GUENARD, Pascal
IPC分类号： H01L33/00 , H01L31/18 , H01L21/18 , H01L21/20
CPC分类号： H01L33/62 , H01L25/042 , H01L25/0753 , H01L27/142 , H01L27/153 , H01L27/156 , H01L31/02008 , H01L31/03044 , H01L31/03048 , H01L31/035236 , H01L31/0543 , H01L31/055 , H01L31/056 , H01L31/075 , H01L31/1844 , H01L31/1848 , H01L31/1852 , H01L31/1864 , H01L31/1892 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L33/502 , H01L33/58 , H01L2224/18 , H01L2224/24137 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/82 , H01L2224/92244 , H01L2924/3512 , H01L2933/0016 , Y02E10/52 , Y02E10/548
摘要： The invention relates to a manufacturing method comprising the formation on a first substrate (10) of elemental LED or photovoltaic structures, each comprising at least one p-type layer (20), an active zone (18) and an n-type layer (12), formation of a first planar metal layer (42) on the elemental structures, provision of a transfer substrate (50) comprising a second planar metal layer (46), assembly of the elemental structures with the transfer substrate (50) by bonding of the first and second metal layers (42, 46) by molecular adhesion at room temperature, and removal of the first substrate (10).
摘要翻译：本发明涉及一种制造方法，其包括在第一基底（10）上形成元素LED或光伏结构，每个包括至少一个p型层（20），活性区（18）和n型层（在元件结构上形成第一平面金属层（42），提供包括第二平面金属层（46）的转移衬底（50），通过粘合将元件结构与转移衬底（50）组合在一起的第一和第二金属层（42,46），并且去除第一基板（10）。

8. 发明申请

WO2012066033A1 METHOD FOR FORMING A BURIED METAL LAYER STRUCTURE 审中-公开
标题翻译：形成金属层结构的方法
公开(公告)号：WO2012066033A1
公开(公告)日：2012-05-24
申请号：PCT/EP2011/070249
申请日：2011-11-16
申请人： SOITEC , BETHOUX, Jean-Marc , GUENARD, Pascal
发明人： BETHOUX, Jean-Marc , GUENARD, Pascal
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L33/32 , H01L21/76254 , H01L31/1852 , H01L31/1856 , H01L31/1892 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/40 , H01L2924/0002 , H01S5/0425 , H01S5/32341 , H01S2301/173 , Y02E10/544 , Y02P70/521 , H01L2924/00
摘要： The invention concerns a method for fabricating a structure in a semiconductor material comprising : a) implanting (25) one or more ion species, to form a weakened region (27) delimiting at least one layer (20a) in a substrate (20) in semiconductor material, b) forming, before or after step a), at least one metallic layer (22) on the substrate (20) in semiconductor material, c) assembling the said metallic layer with a transfer substrate (30), then fracturing the implanted substrate at the weakened region (27), d) forming at least one layer (56) in semiconductor material on the seed layer (20a), for example by epitaxy.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造半导体材料中的结构的方法，包括：a）植入（25）一种或多种离子物质，以形成限定衬底（20）中的至少一层（20a）的弱化区域（27）半导体材料，b）在步骤a）之前或之后形成在半导体材料中的所述衬底上的至少一个金属层（22），c）将所述金属层与转移衬底（30）组装，然后将所述在所述弱化区（27）处植入衬底，d）例如通过外延在所述种子层（20a）上的半导体材料中形成至少一层（56）。

9. 发明公开

EP3394908A1 SUBSTRAT POUR UN DISPOSITIF A ONDES ACOUSTIQUES DE SURFACE OU A ONDES ACOUSTIQUES DE VOLUME COMPENSE EN TEMPERATURE 有权
公开(公告)号：EP3394908A1
公开(公告)日：2018-10-31
申请号：EP16820264.6
申请日：2016-12-21
申请人： Soitec
发明人： BROEKAART, Marcel , BARGE, Thierry , GUENARD, Pascal , RADU, Ionut , DESBONNETS, Eric , KONONCHUK, Oleg
IPC分类号： H01L41/08 , H01L41/312 , H03H9/02
CPC分类号： H01L41/312 , H03H3/02 , H03H9/02102 , H03H9/02574 , H03H9/02834
摘要： The invention relates to a substrate (1) for a surface acoustic wave device or a volume acoustic wave device, comprising a support substrate (11) and a piezoelectric layer (10) on said support substrate, characterised in that the support substrate (11) comprises a semiconductor layer (111) on a stiffening substrate (110) having a coefficient of thermal expansion that is closer to the coefficient of thermal expansion of the material of the piezoelectric layer (10) than to that of silicon, the semiconductor layer (111) being arranged between the piezoelectric layer (10) and stiffening substrate (110).

10. 发明公开

EP3365927A1 STRUCTURE COMPOSITE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ 有权
公开(公告)号：EP3365927A1
公开(公告)日：2018-08-29
申请号：EP16798236.2
申请日：2016-10-17
申请人： Soitec
发明人： GUENARD, Pascal , RADU, Ionut , LANDRU, Didier , DESBONNETS, Eric
IPC分类号： H01L41/08 , H01L41/312 , H03H9/02
CPC分类号： H03H3/04 , H01L41/053 , H01L41/0805 , H01L41/1873 , H01L41/312 , H03H9/02031 , H03H9/02102 , H03H9/02133 , H03H9/02574 , H03H9/0504 , H03H2003/0407
摘要： The invention relates to a composite structure (9) for an acoustic wave device comprising a heterostructure (5) including: a useful layer (2) of piezoelectric material, having a first and a second face, the first face being arranged at a first bonding interface on a support substrate (1) having a coefficient of thermal expansion less than that of the useful layer (2), the composite structure (9) being characterised in that it comprises a functional layer (6) an entire surface of which is arranged at a second bonding interface on the second face of the useful layer (2) and having a coefficient of thermal expansion less than that of the useful layer (2). The invention also relates to a method for producing a composite structure (9).

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