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1. 发明申请

WO2012066033A1 METHOD FOR FORMING A BURIED METAL LAYER STRUCTURE 审中-公开
标题翻译：形成金属层结构的方法
公开(公告)号：WO2012066033A1
公开(公告)日：2012-05-24
申请号：PCT/EP2011/070249
申请日：2011-11-16
申请人： SOITEC , BETHOUX, Jean-Marc , GUENARD, Pascal
发明人： BETHOUX, Jean-Marc , GUENARD, Pascal
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L33/32 , H01L21/76254 , H01L31/1852 , H01L31/1856 , H01L31/1892 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/40 , H01L2924/0002 , H01S5/0425 , H01S5/32341 , H01S2301/173 , Y02E10/544 , Y02P70/521 , H01L2924/00
摘要： The invention concerns a method for fabricating a structure in a semiconductor material comprising : a) implanting (25) one or more ion species, to form a weakened region (27) delimiting at least one layer (20a) in a substrate (20) in semiconductor material, b) forming, before or after step a), at least one metallic layer (22) on the substrate (20) in semiconductor material, c) assembling the said metallic layer with a transfer substrate (30), then fracturing the implanted substrate at the weakened region (27), d) forming at least one layer (56) in semiconductor material on the seed layer (20a), for example by epitaxy.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造半导体材料中的结构的方法，包括：a）植入（25）一种或多种离子物质，以形成限定衬底（20）中的至少一层（20a）的弱化区域（27）半导体材料，b）在步骤a）之前或之后形成在半导体材料中的所述衬底上的至少一个金属层（22），c）将所述金属层与转移衬底（30）组装，然后将所述在所述弱化区（27）处植入衬底，d）例如通过外延在所述种子层（20a）上的半导体材料中形成至少一层（56）。

2. 发明申请

WO2011067276A1 HETEROSTRUCTURE FOR ELECTRONIC POWER COMPONENTS, OPTOELECTRONIC OR PHOTOVOLTAIC COMPONENTS 审中-公开
标题翻译：电子元件，光电或光伏组件的结构
公开(公告)号：WO2011067276A1
公开(公告)日：2011-06-09
申请号：PCT/EP2010/068614
申请日：2010-12-01
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , BETHOUX, Jean-Marc , LETERTRE, Fabrice , WERKHOVEN, Chris , RADU, Ionut , KONONCHUCK, Oleg
发明人： BETHOUX, Jean-Marc , LETERTRE, Fabrice , WERKHOVEN, Chris , RADU, Ionut , KONONCHUCK, Oleg
IPC分类号： H01L21/18 , H01L21/762 , H01L23/373 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/187 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： The invention relates to a heterostructure (1) for electronic power, optoelectronic or photovoltaic components, comprising: a support substrate (10) with an electrical resistivity less than 10 -3 ohm.cm and a thermal conductivity greater than 100 W.m -1 .K -1 , a bonding layer (2), a monocrystalline seed layer (3) in Al x ln y Ga (1-x-y) N, a crack-free monocrystalline active layer (4) of Al x ln y Ga (1-x-y) N presenting a thickness of between 3 and 100 micrometers, wherein: the specific contact resistance between the seed and the bonding layers is less than or equal to 0.1 ohm.cm 2 , the materials of the support substrate, the bonding layer and the seed layer are refractory above 750 °C, the lattice parameter difference between the seed and the active layers is less than 0.005 Å.
摘要翻译：本发明涉及一种用于电子功率，光电子或光伏组件的异质结构（1），其包括：电阻率小于10-3欧姆·厘米且热导率大于100Wm-1.K的支撑衬底（10） -1，AlxlnyGa（1-xy）N中的结合层（2），单晶种子层（3），AlxlnyGa（1-xy）N的无裂纹单晶有源层（4），其厚度介于3 和100微米，其中：种子和结合层之间的比接触电阻小于或等于0.1欧姆·厘米2，支撑基材，结合层和籽晶层的材料在750℃以上耐火，种子和活性层之间的晶格参数差小于0.005。

3. 发明申请

WO2010070377A1 STRAIN ENGINEERED COMPOSITE SEMICONDUCTOR SUBSTRATES AND METHODS OF FORMING SAME 审中-公开
标题翻译：应变工程复合半导体基片及其形成方法
公开(公告)号：WO2010070377A1
公开(公告)日：2010-06-24
申请号：PCT/IB2008/003597
申请日：2008-12-19
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , LETERTRE, Fabrice , BETHOUX, Jean-Marc , BOUSSAGOL, Alice
发明人： LETERTRE, Fabrice , BETHOUX, Jean-Marc , BOUSSAGOL, Alice
IPC分类号： H01L21/762 , H01L33/00 , H01L21/20
CPC分类号： H01L33/007 , H01L21/76254 , H01L33/0079
摘要： Composite substrates are produced that include a strained Ill-nitride material seed layer on a support substrate. Methods of producing the composite substrate include developing a desired lattice strain in the Ill-nitride material to produce a lattice parameter substantially matching a lattice parameter of a device structure to be formed on the composite substrate. The Ill-nitride material may be formed with a Ga polarity or a N polarity. The desired lattice strain may be developed by forming a buffer layer between the Ill-nitride material and a growth substrate, implanting a dopant or introducing an impurity in the Ill-nitride material to modify its lattice parameter, or forming the Ill-nitride material with a coefficient of thermal expansion (CTE) on a growth substrate with a different CTE.
摘要翻译：制造复合衬底，其包括在支撑衬底上的应变的III族氮化物材料种子层。制造复合衬底的方法包括在III族氮化物材料中开发所需的晶格应变以产生基本上与要在复合衬底上形成的器件结构的晶格参数匹配的晶格参数。 III族氮化物材料可以形成为Ga极性或N极性。可以通过在III族氮化物材料和生长衬底之间形成缓冲层来形成所需的晶格应变，在III族氮化物材料中注入掺杂剂或引入杂质以改变其晶格参数，或者用在具有不同CTE的生长衬底上的热膨胀系数（CTE）。

4. 发明申请

WO2017108994A1 PROCEDE DE FABRICATION D'UNE COUCHE MONOCRISTALLINE, NOTAMMENT PIEZOELECTRIQUE 审中-公开
标题翻译：生产单晶层的方法，特别是压电
公开(公告)号：WO2017108994A1
公开(公告)日：2017-06-29
申请号：PCT/EP2016/082245
申请日：2016-12-21
申请人： SOITEC
发明人： GHYSELEN, Bruno , BETHOUX, Jean-Marc
IPC分类号： C30B25/18 , C30B29/22 , H01L21/762 , H01L41/312
CPC分类号： C30B29/22 , C30B25/186 , H01L21/76254 , H01L41/1873 , H01L41/312 , H01L41/316 , H01L41/319
摘要： L'invention concerne un procédé de fabrication d'une couche monocristalline (10), caractérisé en ce qu'il comprend les étapes successives suivantes : - la fourniture d'un substrat donneur (100) comprenant un matériau piézoélectrique de composition ABO 3 , où A est constitué d'au moins un élément parmi : Li, Na, K, H, Ca; B est constitué d'au moins un élément parmi : Nb, Ta, Sb, V; - la fourniture d'un substrat receveur (110), - le transfert d'une couche (102) dite « couche germe » du substrat donneur (100) sur le substrat receveur (110) par collage du substrat donneur sur le substrat receveur de telle sorte que la couche germe (102) se trouve à l'interface de collage puis amincissement du substrat donneur (100) jusqu'à ladite couche germe (102); - la croissance, par épitaxie sur le matériau piézoélectrique ABO 3 de la couche germe (102), d'une couche monocristalline (103) de composition A'B'O 3 , où : A' est constitué d'au moins un des éléments suivants : Li, Na, K, H; B' est constitué d'au moins un des éléments suivants : Nb, Ta, Sb, V; A' est différent de A ou B' est différent de B.
摘要翻译：
本发明涉及一种方法用于制造单晶层（10），其特征在于它在于它包括以下连续的步骤去： - 提供包括一垫é廖内PIéZOé组合物电ABO <子> 3 的供体基板（100），O＆ugrave; A构成以下中的至少一种：Li，Na，K，H，Ca; B构成 Nb，Ta，Sb，V中的至少一种; 提供接收衬底（110），传送所谓的层（102）; 种子层＆raquo; 由接收器基板上，使得所述种子层（102）是与agrave对施主衬底的接合接收衬底（110）上所述施主衬底（100）; 然后粘合界面变薄供体衬底（100）直到所述种子层（102）; - 生长，通过外延é在籽晶层（102），单晶层的垫é廖内PIéZOé电动ABO <子> 3 （103）A'B'O组合物 _{3 ，其中＆gt; ：A'构成＆oacute; 至少以下之一：Li，Na，K，H; B'构成＆oacute; 至少以下之一：Nb，Ta，Sb，V; 它不同于A或B'与B不同。}

5. 发明申请

WO2019086503A1 METHOD FOR MANUFACTURING A FILM ON A FLEXIBLE SHEET 审中-公开
公开(公告)号：WO2019086503A1
公开(公告)日：2019-05-09
申请号：PCT/EP2018/079796
申请日：2018-10-31
申请人： SOITEC
发明人： GHYSELEN, Bruno , BETHOUX, Jean-Marc
IPC分类号： H01L21/762
摘要： The invention relates to a method for manufacturing a film (12), notably monocrystalline, on a flexible sheet (20), characterised in that it comprises the following steps: - providing a donor substrate (10), - forming an embrittlement zone (11) in the donor substrate (10) so as to delimit the film (12), - forming the flexible sheet (20) by deposition on the surface of the film (12), - detaching the donor substrate (10) along the embrittlement zone (11), so as to transfer said film (12) onto the flexible sheet (20).

6. 发明申请

WO2018178562A1 PROCÉDÉ D'AJUSTEMENT DE L'ÉTAT DE CONTRAINTE D'UN FILM PIÉZOÉLECTRIQUE ET DISPOSITIF A ONDE ACOUSTIQUE EMPLOYANT UN TEL FILM 审中-公开
公开(公告)号：WO2018178562A1
公开(公告)日：2018-10-04
申请号：PCT/FR2018/050744
申请日：2018-03-27
申请人： SOITEC
发明人： BETHOUX, Jean-Marc , SINQUIN, Yann , RADISSON, Damien
IPC分类号： H01L41/08 , H01L21/02 , H01L21/20 , H01L41/319 , H03H3/02
摘要： Il est divulgué un procédé d'ajustement de l'état de contrainte d'un film piézoélectrique (4), présentant à température ambiante un premier état de contrainte, le procédé comprenant une étape de formation d'un assemblage (1) comportant un support (2) présentant un coefficient d'expansion thermique; une couche de fluage (3) disposée sur le support, et le film piézoélectrique (4) disposé sur la couche de fluage, le film piézoélectrique présentant un coefficient d'expansion thermique différent de celui du support. Le procédé comporte également une étape de traitement thermiquement de l'assemblage portant l'assemblage à une température de traitement supérieure à la température de transition vitreuse de la couche de fluage. L'invention porte également sur un procédé de fabrication d'un dispositif à onde acoustique comprenant la couche piézoélectrique dont l'état de contrainte a été ajustée.

7. 发明申请

WO2018060570A1 STRUCTURE COMPRENANT DES ILOTS SEMI-CONDUCTEURS MONOCRISTALLINS, PROCEDE DE FABRICATION D'UNE TELLE STRUCTURE 审中-公开
标题翻译：包含单晶半导体器件的结构，制造这种结构的方法
公开(公告)号：WO2018060570A1
公开(公告)日：2018-04-05
申请号：PCT/FR2017/052529
申请日：2017-09-21
申请人： SOITEC
发明人： SOTTA, David , KONONCHUK, Oleg , BETHOUX, Jean-Marc
IPC分类号： H01L21/20
摘要： L'invention porte sur une structure (10) pour l'élaboration d'au moins une couche active en matériau III-V (6) comprenant un substrat formé d'un support (2) présentant une face principale, d'une couche diélectrique (3) disposée sur la face principale du support, et d'une pluralité d'îlots semi-conducteurs monocristallins (4) disposée directement sur la couche diélectrique (3), les îlots présentant une surface supérieure pour servir de germe à la croissance de la couche active. Selon l'invention la structure comprend une couche d'accroché (5) disposée entre les îlots semi-conducteurs monocristallins (4), directement sur la portion de la couche diélectrique (3) qui n'est pas recouverte par les îlots (4), sans masquer la surface supérieure des îlots (4), de sorte que la couche diélectrique (3) ne soit plus exposée à son environnement.
摘要翻译：本发明涉及一种用于构造至少一个包含成形衬底的III-V族材料（6）活性层的结构（10）。具有主面的支撑体（2），设置在支撑体的主表面上的介电层（3）以及多个层; 直接设置在介电层（3）上的单晶半导体毡（4），所述批料具有用作晶种的上表面; 活动层的增长。根据本发明，该结构包括钩挂层。（5）设置在单晶半导体封装（4）之间，直接位于未被批次（4）覆盖的介电层（3）的部分上，而不掩蔽（4）的上表面，使得电介质层（3）不再暴露; 它的环境。

8. 发明申请

WO2021019137A1 PROCEDE DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE COMPOSITE COMPRENANT UNE COUCHE MINCE EN SIC MONOCRISTALLIN SUR UN SUBSTRAT SUPPORT EN SIC POLYCRISTALLIN 审中-公开
公开(公告)号：WO2021019137A1
公开(公告)日：2021-02-04
申请号：PCT/FR2020/051159
申请日：2020-07-02
申请人： SOITEC
发明人： SINQUIN, Yann , BETHOUX, Jean-Marc , RADISSON, Damien
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/762
摘要： L'invention concerne un procédé de fabrication d'une structure composite comprenant une couche mince en carbure de silicium monocristallin disposée sur un substrat support en carbure de silicium poly-cristallin, le procédé comprenant: - une étape de fourniture d'un substrat initial en carbure de silicium monocristallin, - une première étape de dépôt à une température supérieure à 1000°C pour former une couche intermédiaire en carbure de silicium poly-cristallin sur le substrat initial, la couche intermédiaire présentant une épaisseur supérieure ou égale à 1,5 microns, - une étape d'implantation ionique d'espèces légères à travers la couche intermédiaire, pour former un plan fragile enterré dans le substrat initial, délimitant la couche mince entre ledit plan fragile enterré et la couche intermédiaire, - une deuxième étape de dépôt à une température supérieure à 1000°C pour former une couche additionnelle en carbure de silicium poly-cristallin sur la couche intermédiaire, ladite couche intermédiaire et la couche additionnelle formant le substrat support, une séparation le long du plan fragile enterré s'opérant au cours de la deuxième étape de dépôt.

9. 发明申请

WO2019186036A1 PROCÉDÉ DE SÉPARATION D'UNE STRUCTURE COMPOSITE DÉMONTABLE AU MOYEN D'UN FLUX LUMINEUX 审中-公开
公开(公告)号：WO2019186036A1
公开(公告)日：2019-10-03
申请号：PCT/FR2019/050654
申请日：2019-03-22
申请人： SOITEC
发明人： BETHOUX, Jean-Marc , BESNARD, Guillaume , SINQUIN, Yann
IPC分类号： H01L21/268 , H01L21/762
摘要： L'invention concerne un procédé de séparation d'une structure composite démontable au moyen d'un flux lumineux, ledit procédé comprenant : la fourniture de la structure composite (100) démontable comprenant successivement : • un substrat (1), • une couche (2) optiquement absorbante en un matériau adapté pour absorber au moins partiellement un flux lumineux, le substrat étant sensiblement transparent audit flux lumineux, • une couche sacrificielle (3) adaptée pour se dissocier sous l'application d'une température supérieure à une température de dissociation, en un matériau différent de celui de la couche optiquement absorbante (2), • au moins une couche (4) à séparer, l'application d'un flux lumineux au travers du substrat (1), ledit flux lumineux étant absorbé au moins en partie par la couche (2) optiquement absorbante, de sorte à échauffer ladite couche optiquement absorbante, le chauffage de la couche sacrificielle (3) par conduction thermique à partir de la couche (2) optiquement absorbante, jusqu'à une température supérieure ou égale à la température de dissociation, la dissociation de la couche sacrificielle (3) sous l'effet dudit chauffage.

10. 发明申请

WO2018142061A1 PROCEDE DE FABRICATION D'UN FILM BIDIMENSIONNEL DE STRUCTURE CRISTALLINE HEXAGONALE 审中-公开
公开(公告)号：WO2018142061A1
公开(公告)日：2018-08-09
申请号：PCT/FR2018/050217
申请日：2018-01-31
申请人： SOITEC
发明人： GHYSELEN, Bruno , BETHOUX, Jean-Marc
IPC分类号： C30B23/02 , C30B23/04 , C30B25/18 , C30B29/02 , H01L21/683 , C30B33/06
摘要： L'invention concerne un procédé de fabrication d'un film bidimensionnel d'un matériau du groupe IV présentant une structure cristalline hexagonale, notamment de graphène, comprenant : - la formation d'un substrat de croissance (100), comprenant le transfert d'un film métallique (1) monocristallin adapté pour la croissance dudit film bidimensionnel sur un substrat support (2), et - la croissance par épitaxie du film (3) bidimensionnel sur le film métallique dudit substrat (100).

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