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1. 发明申请

WO2018142052A1 STRUCTURE POUR APPLICATION RADIOFRÉQUENCE 审中-公开
公开(公告)号：WO2018142052A1
公开(公告)日：2018-08-09
申请号：PCT/FR2018/050196
申请日：2018-01-29
申请人： SOITEC
发明人： DESBONNETS, Eric , ASPAR, Bernard
IPC分类号： H01L21/762 , H01L29/786
摘要： L'invention concerne une structure (100) pour application radiofréquence comprenant : Un substrat support (1) à haute résistivité dont une face avant (1a) définit un plan principal, Une couche de piégeage de charges (2) disposée sur la face avant (1a) du substrat support (1), Une première couche diélectrique (3) disposée sur la couche de piégeage (2), Une couche active (4) disposée sur la première couche diélectrique (3), La structure (100) étant remarquable en ce qu'elle comprend au moins une électrode enterrée (10) disposée au dessus ou dans la couche de piégeage (2), l'électrode (10) comprenant une couche conductrice (11) et une deuxième couche diélectrique (13).

2. 发明申请

WO2017068270A1 STRUCTURE COMPOSITE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ 审中-公开
标题翻译：复合材料结构及其制造方法
公开(公告)号：WO2017068270A1
公开(公告)日：2017-04-27
申请号：PCT/FR2016/052675
申请日：2016-10-17
申请人： SOITEC
发明人： GUENARD, Pascal , RADU, Ionut , LANDRU, Didier , DESBONNETS, Eric
IPC分类号： H01L41/08 , H01L41/312 , H03H9/02
CPC分类号： H01L41/312 , H01L41/0805 , H03H9/02102 , H03H9/02574
摘要： L'invention concerne une structure composite (9) pour dispositif à ondes acoustiques comprenant une hétéro-structure (5) incluant : une couche utile (2) de matériau piézoélectrique, présentant une première et une seconde face, la première face étant disposée au niveau d'une première interface de collage sur un substrat support (1) présentant un coefficient de dilatation thermique inférieur à celui de la couche utile (2), la structure composite (9) étant caractérisée en ce qu'elle comprend une couche fonctionnelle (6) dont toute une surface est disposée au niveau d'une seconde interface de collage sur la seconde face de la couche utile (2) et présentant un coefficient de dilatation thermique inférieur à celui de la couche utile (2 ). L'invention concerne également un procédé de fabrication d'une structure composite (9).
摘要翻译：
本发明涉及一种用于设备＆agrave的复合结构（9）; 包括ħéT E RO-结构（5）包括声波器件：一个有用的层（2）垫é廖内PIéZOé电，PRé感觉Premi＆egrave;再和一个第二侧，所述Premi＆egrave;再面Dé ;在Premi＆egrave如此设置éé;再在支撑基板上键合界面（1）PRé感觉热膨胀低E的系数;笑＆agrave; 该有用的层（2），该复合结构（9）é作为字符éRISéE在于其包括一个功能层（6），其整个表面上的第二接口被布置éê 在有用层的第二侧接合（2）和Pré感觉热膨胀低E的系数;笑＆agrave; 该有用层（2）。本发明还涉及一种方法制造复合结构（9）。

3. 发明申请

WO2016016532A1 STRUCTURE POUR APPLICATIONS RADIO-FREQUENCES 审中-公开
标题翻译：无线电频率应用的结构
公开(公告)号：WO2016016532A1
公开(公告)日：2016-02-04
申请号：PCT/FR2015/051854
申请日：2015-07-03
申请人： SOITEC
发明人： KONONCHUK, Oleg , VAN DEN DAELE, William , DESBONNETS, Eric
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L23/66 , H01L21/306 , H01L21/76251 , H01L41/042 , H03H3/02 , H03H3/08
摘要： L'invention concerne une structure (1) pour des applications radiofréquences comprenant : • un substrat support (2) de silicium haute résistivité comportant une partie inférieure et une partie supérieure (3) ayant subi un dopage de type p sur une profondeur D; • une couche de piégeage (4) mésoporeuse de silicium formée dans la partie supérieure (3) dopée du substrat support (2); Selon l'invention, la structure (1) est remarquable en ce que la profondeur D est inférieure à 1 micron et la couche de piégeage (4) présente un taux de porosité compris entre 20% et 60%.
摘要翻译：本发明涉及一种用于射频应用的结构（1），包括：•高电阻率硅的支撑衬底（2），包括下部和经深度D的p型掺杂的上部（3）; •形成在所述支撑衬底（2）的掺杂上部（3）中的硅的介孔捕获层（4）。根据本发明，结构（1）是显着的，因为深度D小于1微米，并且捕获层（4）的孔隙率在20％和60％之间。

4. 发明申请

WO2012066021A1 ELECTRONIC DEVICE FOR RADIOFREQUENCY OR POWER APPLICATIONS AND PROCESS FOR MANUFACTURING SUCH A DEVICE 审中-公开
标题翻译：用于无线电或电力应用的电子设备及其制造方法
公开(公告)号：WO2012066021A1
公开(公告)日：2012-05-24
申请号：PCT/EP2011/070220
申请日：2011-11-16
申请人： SOITEC , LANDRU, Didier , CAPELLO, Luciana , DESBONNETS, Eric , FIGUET, Christophe , KONONCHUK, Oleg
发明人： LANDRU, Didier , CAPELLO, Luciana , DESBONNETS, Eric , FIGUET, Christophe , KONONCHUK, Oleg
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/762
CPC分类号： H05K1/18 , H01L21/76251 , H01L21/76254
摘要： The invention relates to an electronic device for radio frequency or power applications, comprising a semiconductor layer supporting electronic components on a support substrate, wherein the support substrate(1) comprises a base layer (12) having a thermal conductivity of at least 30 W/m K and a superficial layer (13, 4) having a thickness of at least 5 µm, said superficial layer (13, 14) having an electrical resistivity of at least 3000 Ohm.cm and a thermal conductivity of at least 30 W/m K. The invention also relates to two processes for manufacturing such a device.
摘要翻译：本发明涉及一种用于射频或电力应用的电子设备，包括：支撑基板上的电子部件的半导体层，其中所述支撑基板（1）包括具有至少30W / m K和厚度至少为5μm的表层（13,4），所述表面层（13,14）的电阻率至少为3000欧姆·厘米，导热率为至少30瓦/米本发明还涉及制造这种装置的两个方法。

5. 发明申请

WO2020136343A1 STRUCTURE DE TYPE SEMI-CONDUCTEUR POUR APPLICATIONS DIGITALES ET RADIOFRÉQUENCES 审中-公开
公开(公告)号：WO2020136343A1
公开(公告)日：2020-07-02
申请号：PCT/FR2019/053280
申请日：2019-12-23
申请人： SOITEC
发明人： MORANDINI, Yvan , SCHWARZENBACH, Walter , ALLIBERT, Frédéric , DESBONNETS, Eric , NGUYEN, Bich-Yen
IPC分类号： H01L21/762 , H01L27/12
摘要： La présente invention concerne une structure multicouche (1) de type semi-conducteur sur isolant, comprenant : -un empilement, dit empilement arrière, des couches suivantes depuis une face arrière vers une face avant de la structure : un substrat support semi-conducteur (2) dont la résistivité électrique est comprise entre 00 Ω.cm et 30 kΩ.cm, une première couche électriquement isolante (3), une première couche semi-conductrice (4), - au moins une tranchée d'isolation (8) qui s'étend dans l'empilement arrière au moins jusque dans la première couche électriquement isolante (3), et qui isole électriquement deux régions adjacentes de la structure multicouche, la structure multicouche (1) étant principalement caractérisée en ce qu'elle comprend en outre au moins une première région de type FD-SOI et au moins une deuxième région de type RF-SOI.

6. 发明申请

WO2020136342A1 STRUCTURE DE TYPE SEMI-CONDUCTEUR POUR APPLICATIONS DIGITALES ET RADIOFRÉQUENCES, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE TELLE STRUCTURE 审中-公开
公开(公告)号：WO2020136342A1
公开(公告)日：2020-07-02
申请号：PCT/FR2019/053279
申请日：2019-12-23
申请人： SOITEC
发明人： MORANDINI, Yvan , SCHWARZENBACH, Walter , ALLIBERT, Frédéric , DESBONNETS, Eric , NGUYEN, Bich-Yen
IPC分类号： H01L21/762 , H01L27/12 , H01L21/84 , H01L21/02
摘要： La présente invention concerne une structure multicouche (1) de type semi-conducteur sur isolant, comprenant successivement depuis une face arrière vers une face avant de la structure : un substrat support semi-conducteur (2) à haute résistivité électrique, dont la résistivité électrique est comprise entre 500 Q.cm et 30 kQ.cm, une première couche électriquement isolante (3), une couche intercalaire (I), une deuxième couche électriquement isolante (5), qui présente une épaisseur inférieure à celle de la première couche électriquement isolante (3), une couche active (6) semi-conductrice, la structure multicouche étant caractérisée en ce qu'elle comprend : au moins une région de type FD-SOI, dans laquelle la couche intercalaire (I) est une couche semi-conductrice (4), au moins une région de type RF-SOI, adjacente à la région de type FD-SOI, dans laquelle la couche intercalaire (I) est une troisième couche électriquement isolante (7), ladite région de type RF-SOI comprenant au moins un composant radiofréquence à l'aplomb de la troisième couche électriquement isolante (7).

7. 发明申请

WO2016120122A1 METHOD, DEVICE AND SYSTEM FOR MEASURING AN ELECTRICAL CHARACTERISTIC OF A SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：用于测量基板电气特性的方法，装置和系统
公开(公告)号：WO2016120122A1
公开(公告)日：2016-08-04
申请号：PCT/EP2016/050977
申请日：2016-01-19
申请人： SOITEC , UNIVERSITE CATHOLIQUE DU LOUVAIN
发明人： MALAQUIN, Cédric , RASKIN, Jean-Pierre , DESBONNETS, Eric
IPC分类号： G01R31/26 , G01R31/28
CPC分类号： G01R31/2822 , G01R29/0878 , G01R29/12 , G01R31/2648 , G01R31/2831 , G01R31/2887 , G01R31/2889
摘要： The invention relates to a device for measuring an electrical characteristic of a substrate comprising a support made of a dielectric material having a bearing surface, the support comprising an electrical test structure having a contact surface flush with the bearing surface of the support, the bearing surface of the support and the contact surface of the electrical structure being suitable for coming into close contact with a substrate. The measurement device also comprises at least one connection bump contact formed on another surface of the support and electrically linked to the electrical structure. The invention relates also to a system for characterizing a substrate and a method for measuring a characteristic of a substrate employing the measurement device.
摘要翻译：本发明涉及一种用于测量基板的电气特性的装置，包括由具有轴承表面的电介质材料制成的支撑件，该支撑件包括具有与支撑件的支承表面齐平的接触表面的电气测试结构，的电气结构的接触表面适于与衬底紧密接触。测量装置还包括形成在支撑件的另一表面上并电连接到电气结构的至少一个连接凸块接触。本发明还涉及用于表征基板的系统和用于测量使用测量装置的基板的特性的方法。

8. 发明申请

WO2014166722A1 ADVANCED THERMALLY COMPENSATED SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE AND FABRICATION METHOD 审中-公开
标题翻译：高级热表面声波设备和制造方法
公开(公告)号：WO2014166722A1
公开(公告)日：2014-10-16
申请号：PCT/EP2014/055746
申请日：2014-03-21
申请人： SOITEC
发明人： ZINCK, Christophe , DESBONNETS, Eric
IPC分类号： H03H3/08
CPC分类号： H03H3/08 , H03H9/25
摘要： The present invention relates to a method of fabrication of a surface acoustic wave device (20) comprising the step (a) of providing a piezoelectric structure (200), the step (b) of providing a dielectric structure, wherein the step (b) comprises a step (b1) of metalizing (S22) the dielectric structure (220, 221), and the method further comprising the step (c) of bonding (S24) the metalized dielectric structure (231) to the piezoelectric structure (200).
摘要翻译：本发明涉及一种制造表面声波装置（20）的方法，包括提供压电结构（200）的步骤（a），提供电介质结构的步骤（b），其中步骤（b）包括使所述电介质结构（220,221）金属化（S22）的步骤（b1），以及还包括将所述金属化电介质结构（231）（S24）接合到所述压电结构（200）的步骤（c）的方法。

9. 发明申请

WO2017212160A1 STRUCTURE POUR APPLICATIONS RADIOFREQUENCES 审中-公开
标题翻译：无线电频率应用结构
公开(公告)号：WO2017212160A1
公开(公告)日：2017-12-14
申请号：PCT/FR2017/051418
申请日：2017-06-06
申请人： SOITEC
发明人： DESBONNETS, Eric , RADU, Ionut , KONONCHUK, Oleg , RASKIN, Jean-Pierre
IPC分类号： H01L21/84 , H01L27/12 , H01L21/02 , H01L21/762
摘要： L'invention concerne un substrat (100) pour des dispositifs microélectroniques radiofréquences comprenant : • un substrat support (10) en un premier matériau (10') semi-conducteur de résistivité supérieure à 500 ohm.cm, • une pluralité de tranchées dans le substrat support (10), remplies d'un deuxième matériau (20), et définissant sur une première face (1) du substrat support (10), une pluralité de premières zones (11) en premier matériau (10') et au moins une deuxième zone (21) en deuxième matériau (20); Le substrat est remarquable en ce que : • le deuxième matériau (20) présente une résistivité supérieure à 10kohms.cm; • les premières zones (11) présentent une dimension maximale inférieure à 10 microns et sont isolées les unes des autres par la deuxième zone (21).
摘要翻译：本发明涉及一种用于射频微电子器件的衬底（100），包括：由第一半导体材料（10'）制成的支撑衬底（10） ; sistivit＆eacute; 上面＆agrave; 500欧姆·厘米，•多个oacute; 在所述支撑基底（10）中切片，填充有第二材料（20），并在所述支撑基底（10）的第一面（1）上限定多个层; 第一材料（10'）中的第一区域（11）和第二材料（20）中的至少一个第二区域（21）; 衬底的显着之处在于：·第二材料（20）呈现电阻率; 上面＆agrave; 10kohms.cm; •第一区域（11）的最大尺寸较小; 10微米，并通过第二区域（21）彼此隔离。

10. 发明申请

WO2017134357A1 STRUCTURE HYBRIDE POUR DISPOSITIF A ONDES ACOUSTIQUES DE SURFACE 审中-公开
标题翻译：声表面波装置的混合结构
公开(公告)号：WO2017134357A1
公开(公告)日：2017-08-10
申请号：PCT/FR2017/050092
申请日：2017-01-17
申请人： SOITEC
发明人： KONONCHUK, Oleg , BUTAUD, Eric , DESBONNETS, Eric
IPC分类号： H01L41/08 , H03H9/02 , H01L41/312
CPC分类号： H01L41/312 , H01L41/0815 , H03H9/0009 , H03H9/02047 , H03H9/02574
摘要： L'invention concerne une structure hybride (10) pour dispositif à ondes acoustiques de surface comprenant une couche utile (1) de matériau piézoélectrique assemblée à un substrat support (5) présentant un coefficient de dilatation thermique inférieur à celui de la couche utile (1); la structure hybride (10) comprend une couche intermédiaire (4) située entre la couche utile (1) et le substrat support (5), la couche intermédiaire (4) étant une couche structurée formée d'au moins deux matériaux différents et présentant une pluralité de motifs périodiques (6,7) dans le plan de ladite couche intermédiaire (4).
摘要翻译：本发明涉及一种用于装置（图1）的混合结构（10）。表面声波，其包括组装的电子材料（10）的有用层（1）; 具有较低热膨胀系数的支撑基板（5）; 有用层（1）的那些; 混合结构（10）包括一个中间体é层;在有用层（1）和所述载体基片（5），所述中间体é层之间日记（4）原位éé;日记（4）é作为结构化é层; E型Dé e是至少两种不同材料并具有多种颜色。在所述中间层（4）的平面中具有周期性图案（6,7）。

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