专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2012131075A1 METHODS FOR BONDING SEMICONDUCTOR STRUCTURES INVOLVING ANNEALING PROCESSES, AND BONDED SEMICONDUCTOR STRUCTURES FORMED USING SUCH METHODS 审中-公开
标题翻译：用于结合涉及退火工艺的半导体结构的方法以及使用这种方法形成的结合的半导体结构
公开(公告)号：WO2012131075A1
公开(公告)日：2012-10-04
申请号：PCT/EP2012/055894
申请日：2012-03-30
申请人： SOITEC , COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , SADAKA, Mariam , RADU, Ionut , LANDRU, Didier , DI CIOCCIO, Lea
发明人： SADAKA, Mariam , RADU, Ionut , LANDRU, Didier , DI CIOCCIO, Lea
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/485
CPC分类号： H01L24/03 , H01L23/481 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/80 , H01L2224/03452 , H01L2224/03464 , H01L2224/03466 , H01L2224/03845 , H01L2224/03848 , H01L2224/039 , H01L2224/03901 , H01L2224/05546 , H01L2224/08121 , H01L2224/08146 , H01L2224/0903 , H01L2224/80097 , H01L2224/80099 , H01L2224/80201 , H01L2224/80357 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01067 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01082 , H01L2224/034
摘要： Methods of bonding together semiconductor structures include annealing a first metal feature on a first semiconductor structure, bonding the first metal feature to a second metal feature of a second semiconductor structure to form a bonded metal structure that comprises the first metal feature and the second metal feature, and annealing the bonded metal structure. Annealing the first metal feature may comprise subjecting the first metal feature to a pre-bonding thermal budget, and annealing the bonded metal structure may comprise subjecting the bonded metal structure to a post-bonding thermal budget that is less than the pre-bonding thermal budget. Bonded semiconductor structures are fabricated using such methods.
摘要翻译：将半导体结构结合在一起的方法包括退火第一半导体结构上的第一金属特征，将第一金属特征结合到第二半导体结构的第二金属特征，以形成包含第一金属特征和第二金属特征，并对结合的金属结构进行退火。退火第一金属特征可以包括使第一金属特征经受预结合热预算，并且对接合的金属结构进行退火可以包括使结合的金属结构经受低于预粘合热预算的后粘合热预算。使用这种方法制造粘合的半导体结构。

2. 发明申请

WO2012130730A1 METHODS FOR BONDING SEMICONDUCTOR STRUCTURES INVOLVING ANNEALING PROCESSES, AND BONDED SEMICONDUCTOR STRUCTURES AND INTERMEDIATE STRUCTURES FORMED USING SUCH METHODS 审中-公开
标题翻译：用于结合涉及退火工艺的半导体结构的方法以及使用这种方法形成的结合的半导体结构和中间结构
公开(公告)号：WO2012130730A1
公开(公告)日：2012-10-04
申请号：PCT/EP2012/055119
申请日：2012-03-22
申请人： SOITEC , SADAKA, Mariam , RADU, Ionut , LANDRU, Didier
发明人： SADAKA, Mariam , RADU, Ionut , LANDRU, Didier
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/485
CPC分类号： H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/80 , H01L2224/0312 , H01L2224/03466 , H01L2224/0381 , H01L2224/03845 , H01L2224/03848 , H01L2224/03901 , H01L2224/05022 , H01L2224/05073 , H01L2224/05147 , H01L2224/05551 , H01L2224/05557 , H01L2224/05558 , H01L2224/05562 , H01L2224/05567 , H01L2224/0557 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/056 , H01L2224/05647 , H01L2224/0805 , H01L2224/0807 , H01L2224/08121 , H01L2224/08145 , H01L2224/08501 , H01L2224/0903 , H01L2224/80048 , H01L2224/80097 , H01L2224/80099 , H01L2224/80201 , H01L2224/80357 , H01L2224/8583 , H01L2224/85897 , H01L2224/85898 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01067 , H01L2924/01074 , H01L2924/01082 , H01L2924/01015 , H01L2924/01014 , H01L2924/01007 , H01L2924/00012 , H01L2224/05552
摘要： Methods of bonding together semiconductor structures include annealing metal of a feature on a semiconductor structure prior to directly bonding the feature to a metal feature of another semiconductor structure to form a bonded metal structure, and annealing the bonded metal structure after the bonding process. The thermal budget of the first annealing process may be at least as high as a thermal budget of a later annealing process. Additional methods involve forming a void in a metal feature, and annealing the metal feature to expand the metal of the feature into the void. Bonded semiconductor structures and intermediate structures are formed using such methods.
摘要翻译：将半导体结构结合在一起的方法包括在将特征直接接合到另一半导体结构的金属特征之前的半导体结构上的特征的退火金属，以形成接合的金属结构，以及在接合工艺之后使接合的金属结构退火。第一退火工艺的热预算可以至少等于后续退火工艺的热预算。附加的方法包括在金属特征中形成空隙，并退火金属特征以将特征的金属扩展到空隙中。使用这种方法形成结合的半导体结构和中间结构。

3. 发明申请

WO2022129726A1 PROCEDE DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE COMPRENANT UNE ZONE D'INTERFACE INCLUANT DES AGGLOMERATS 审中-公开
公开(公告)号：WO2022129726A1
公开(公告)日：2022-06-23
申请号：PCT/FR2021/052124
申请日：2021-11-29
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , SOITEC
发明人： GAUDIN, Gweltaz , RADU, Ionut , FOURNEL, Franck , WIDIEZ, Julie , LANDRU, Didier
IPC分类号： H01L21/18 , H01L21/02 , H01L21/322
摘要： L'invention concerne un procédé de fabrication d'une structure semi-conductrice comprenant les étapes suivantes : a) la fourniture d'une couche utile en un matériau semi- conducteur, b) la fourniture d'un substrat support en un matériau semi- conducteur, c) le dépôt d'un film composé d'un matériau semi-conducteur différent de celui ou ceux de la couche utile et du substrat support, présentant une épaisseur inférieure à 50 nm, sur la face libre à assembler de la couche utile et/ou sur la face libre à assembler du substrat support, d) la formation d'une structure intermédiaire, comprenant un assemblage direct, le long d'une interface de collage s'étendant selon un plan principal, des faces libres à assembler respectivement de la couche utile et du substrat support, la structure intermédiaire comprenant un film encapsulé issu du ou des film(s) déposés lors de l'étape c), e) le recuit de la structure intermédiaire à une température supérieure ou égale à une température critique, de manière à provoquer la segmentation du film encapsulé et à former la structure semi-conductrice comprenant une zone d'interface entre la couche utile et le substrat support, ladite zone d'interface comportant : - des régions de contact direct entre la couche utile et le substrat support, et - des agglomérats comprenant le matériau semi-conducteur du film, et présentant une épaisseur, selon un axe normal au plan principal, inférieure ou égale à 250 nm; les régions de contact direct et les agglomérats étant adjacents dans le plan principal.

4. 发明申请

WO2022117930A2 SUBSTRAT DONNEUR POUR LE TRANSFERT D'UNE COUCHE MINCE ET PROCEDE DE TRANSFERT ASSOCIE 审中-公开
公开(公告)号：WO2022117930A2
公开(公告)日：2022-06-09
申请号：PCT/FR2021/052047
申请日：2021-11-19
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , SOITEC
发明人： LARREY, Vincent , REBOH, Shay , LE VAN-JODIN, Lucie , MILESI, Frédéric , ECARNOT, Ludovic , GAUDIN, Gweltaz , LANDRU, Didier
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/02 , H01L21/02002 , H01L21/76254 , H01L21/76256
摘要： L'invention concerne un substrat donneur (100) pour le transfert d'une couche mince monocristalline (1) en un premier matériau, sur un substrat receveur (2), le substrat donneur (100) présentant une face avant (100a) et une face arrière (100b), et comprenant : - un plan fragile enterré (30) qui délimite une portion supérieure (101) et une portion inférieure (102) du substrat donneur (100), - dans la portion supérieure (101), une première couche (10) du côté de la face avant (100a), une deuxième couche (20) adjacente au plan fragile enterré (30), et une couche d'arrêt (15) intercalée entre la première couche (10) et la deuxième couche (20), la première couche (10) étant composée du premier matériau, la couche d'arrêt (15) étant formée en un deuxième matériau apte à procurer une gravure sélective par rapport au premier matériau, - une sous-portion amorphisée (101',101'',101'''), rendue amorphe par implantation ionique, présentant une épaisseur strictement inférieure à celle de la portion supérieure (101), et incluant au moins la première couche (10); la deuxième couche (20) comprenant au moins une sous-couche (22) monocristalline, adjacente au plan fragile enterré (30). L'invention concerne également deux modes de mise en œuvre d'un procédé de transfert d'une couche mince monocristalline (1) à partir du substrat donneur (100).

5. 发明申请

WO2022008809A1 STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE COMPRENANT UNE INTERFACE DE COLLAGE ELECTRIQUEMENT CONDUCTRICE, ET PROCEDE DE FABRICATION ASSOCIE 审中-公开
公开(公告)号：WO2022008809A1
公开(公告)日：2022-01-13
申请号：PCT/FR2021/051023
申请日：2021-06-08
申请人： SOITEC , COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： ALLIBERT, Frédéric , LANDRU, Didier , KONONCHUK, Oleg , GUIOT, Eric , GAUDIN, Gweltaz , WIDIEZ, Julie , FOURNEL, Franck
IPC分类号： H01L21/18
摘要： L'invention concerne une structure semi-conductrice (100) comprenant une couche utile (10) en matériau semi-conducteur monocristallin, s'étendant selon un plan principal (x,y), un substrat support (30) en matériau semi-conducteur, et une zone d'interface (20) entre la couche utile (10) et le substrat support (30), s'étendant parallèlement au plan principal (x,y), la structure (100) étant remarquable en ce que la zone d'interface (20) comporte des nodules (21) : - conducteurs électriques, comprenant un matériau métallique formant un contact ohmique avec la couche utile (10) et avec le substrat support (30), - présentant une épaisseur, selon un axe (z) normal au plan principal (x,y), inférieure ou égale à 30nm, - disjoints ou accolés, les nodules (21) disjoints étant séparés les uns des autres par des régions de contact direct (22) entre la couche utile (10) et le substrat support (30). L'invention concerne également un procédé de fabrication de ladite structure (100).

6. 发明申请

WO2021009459A1 PROCÉDÉ DE COLLAGE HYDROPHILE DE SUBSTRATS 审中-公开
公开(公告)号：WO2021009459A1
公开(公告)日：2021-01-21
申请号：PCT/FR2020/051260
申请日：2020-07-13
申请人： SOITEC , COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： LARREY, Vincent , RIEUTORD, François , HARTMANN, Jean-Michel , FOURNEL, Frank , LANDRU, Didier , KONONCHUCK, Oleg , ECARNOT, Ludovic
IPC分类号： H01L21/762
摘要： L'invention concerne un procédé de collage hydrophile d'un premier substrat (S1) sur un second substrat (S2), comprenant : - la mise en contact du premier substrat (S1) et du second substrat (S2), de sorte à former une interface (I) de collage entre une surface principale du premier substrat et une surface principale du second substrat, - l'application d'un traitement thermique adapté pour fermer ladite interface de collage, ledit procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend, avant l'étape de mise en contact, le dépôt, sur la surface principale du premier et/ou du second substrat, d'une couche (12) de collage en un matériau non métallique perméable au dihydrogène et présentant, à la température du traitement thermique, une limite élastique inférieure à celle d'au moins un des matériaux du premier substrat (S1) et du second substrat (S2) situés à l'interface de collage, ladite couche présentant une épaisseur comprise entre 1 et 6 nm, et en ce que le traitement thermique est mis en œuvre à une température inférieure ou égale à 900°C, de préférence inférieure ou égale à 600°C.

7. 发明申请

WO2021191513A1 PROCEDE DE PREPARATION D'UNE COUCHE MINCE 审中-公开
公开(公告)号：WO2021191513A1
公开(公告)日：2021-09-30
申请号：PCT/FR2021/050089
申请日：2021-01-19
申请人： SOITEC , COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： MAZEN, Frédéric , RIEUTORD, François , COIG, Marianne , GRAMPEIX, Helen , LANDRU, Didier , KONONCHUK, Oleg , BEN MOHAMED, Nadia
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/18 , H01L21/324 , H01L21/762 , H01L21/02002 , H01L21/3247 , H01L21/76254
摘要： La présente invention concerne un procédé de préparation d'une couche mince (1) comprenant une étape de fragilisation (S2) visant à former une zone fragilisée (3) dans une portion centrale (2c) d'un substrat donneur (2), la zone fragilisée (3) ne s'étendant pas dans une portion périphérique (2 p) du substrat donneur (2); une étape d'assemblage (S3) de la face principale (2a) du substrat donneur(2) avec un substrat receveur (5) pour former un ensemble à fracturer; et une étape de séparation (S4) de l'ensemble à fracturer, l'étape de séparation comprenant un traitement thermique conduisant à libérer la couche mince (1) du substrat donneur (2) au niveau de sa portion centrale (2c) uniquement. Le procédé comprend également, après l'étape de séparation, une étape de détachement (S6) comprenant le traitement de l'ensemble à fracturer pour détacher la portion périphérique du substrat donneur (2) du substrat receveur (5).

8. 发明申请

WO2019186037A1 PROCÉDÉ DE DÉTECTION DE LA FRACTURE D'UN SUBSTRAT FRAGILISE PAR IMPLANTATION D'ESPÈCES ATOMIQUES 审中-公开
公开(公告)号：WO2019186037A1
公开(公告)日：2019-10-03
申请号：PCT/FR2019/050659
申请日：2019-03-22
申请人： SOITEC , COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： RIEUTORD, François , MAZEN, Frédéric , LANDRU, Didier , KONONCHUCK, Oleg , BEN MOHAMED, Nadia
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/67 , H01L21/762 , G01N29/00
摘要： L'invention concerne un procédé de surveillance d'un traitement thermique appliqué à un substrat comprenant une zone de fragilisation formée par implantation d'espèces atomiques en vue de fracturer ledit substrat le long de ladite zone de fragilisation, le substrat (S) étant agencé dans une chambre de chauffage (11), caractérisé en ce qu'il comprend un enregistrement du son à l'intérieur ou au voisinage de la chambre de chauffage (11) et la détection, dans ledit enregistrement, d'un son émis par le substrat (S) lors de sa fracture le long de la zone de fragilisation. L'invention concerne également un dispositif pour le traitement thermique d'un lot de substrats, comprenant un four de recuit (1) comprenant une chambre de chauffage (11) destinée à recevoir ledit lot, au moins un microphone (3) configuré pour enregistrer les sons à l'intérieur ou au voisinage de la chambre de chauffage (11), et un système de traitement configuré pour détecter, à partir d'un enregistrement sonore produit par ledit microphone, un son émis par une fracture d'un substrat.

9. 发明申请

WO2018029419A1 PROCEDE DE TRANSFERT D'UNE COUCHE UTILE 审中-公开
标题翻译：转移有用层的方法
公开(公告)号：WO2018029419A1
公开(公告)日：2018-02-15
申请号：PCT/FR2017/052161
申请日：2017-08-01
申请人： SOITEC , COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： LANDRU, Didier , BEN MOHAMED, Nadia , KONONCHUK, Oleg , MAZEN, Frédéric , MASSY, Damien , REBOH, Shay , RIEUTORD, François
IPC分类号： H01L21/762
摘要： L'invention porte sur un procédé de transfert d'une couche utile (3) sur un support (4) comprenant les étapes de formation d'un plan de fragilisation (2) par implantation d'espèces légères dans un premier substrat (1), de manière à former une couche utile (3) entre ce plan et une surface du premier substrat (1); d'application du support (4) sur la surface du premier substrat (1) pour former un ensemble à fracturer (5); de traitement thermique de fragilisation de l'ensemble à fracturer (5); et d'initiation et propagation d'une onde de fracture dans le premier substrat (1) le long du plan de fragilisation (3). Selon l'invention, l'initiation de l'onde de fracture est située dans une zone centrale du plan de fragilisation (2) et la vitesse de propagation de cette onde est contrôlée pour présenter une vitesse suffisante. De la sorte, les interactions de l'onde de fracture avec des vibrations acoustiques émises lors de son initiation et/ou de sa propagation sont limitées à une zone périphérique de la couche utile (3).
摘要翻译：
本发明涉及一种方法将有用层（3）转移到载体（4）上，该方法包括以下步骤：通过将这些元件注入第一基板（1）中来形成脆化面（2）; ），以这种方式在该平面与第一衬底（1）的表面之间形成有用层（3）; 将支撑件（4）施加到第一基板（1）的表面以形成组件; 断裂（5）; 机组的脆化热处理; 断裂（5）; 以及沿着脆化面（3）在第一衬底（1）中开始并传播断裂波。根据本发明，断裂波的起始位于弱化平面（2）的中心区域，并且该波的传播速度被控制以呈现足够的速度。。通过这种方式，在开始和/或传播期间断裂波与声振动的相互作用受到限制。有用层（3）的区域。

10. 发明申请

WO2010049497A1 METHOD OF DETACHING SEMI-CONDUCTOR LAYERS AT LOW TEMPERATURE 审中-公开
标题翻译：在低温下分离半导体层的方法
公开(公告)号：WO2010049497A1
公开(公告)日：2010-05-06
申请号：PCT/EP2009/064308
申请日：2009-10-29
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , LANDRU, Didier , RADU, Ionut , VINCENT, Sébastien
发明人： LANDRU, Didier , RADU, Ionut , VINCENT, Sébastien
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/187 , H01L21/76251
摘要： The invention relates to a method for producing UTBOX type structures comprising: a) the assembly of a substrate, known as "donor" substrate (1), with a substrate, known as "receiver" substrate (2), at least one of the two substrates comprising an insulating layer (3) of thickness less than 50 nm, b) a first heat treatment for reinforcing the assembly between the two substrates, at temperature below 400°C, carried out during the assembly and/or after assembly, to reinforce said assembly, c) a second heat treatment at temperature above 900°C, the exposure time between 400°C and 900°C being less than 1 minute or 30 seconds.
摘要翻译：本发明涉及一种用于生产UTBOX型结构的方法，包括：a）将称为“供体”衬底（1）的衬底与称为“接收器”衬底（2）的衬底的组装，至少一个包括厚度小于50nm的绝缘层（3）的两个基板，b）在组装和/或组装之后执行的在低于400℃的温度下加强两个基板之间的组件的第一热处理，加强所述组件，c）在高于900℃的温度下的第二次热处理，400℃和900℃之间的曝光时间小于1分钟或30秒。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式