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1. 发明申请

WO2021009459A1 PROCÉDÉ DE COLLAGE HYDROPHILE DE SUBSTRATS 审中-公开
公开(公告)号：WO2021009459A1
公开(公告)日：2021-01-21
申请号：PCT/FR2020/051260
申请日：2020-07-13
申请人： SOITEC , COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： LARREY, Vincent , RIEUTORD, François , HARTMANN, Jean-Michel , FOURNEL, Frank , LANDRU, Didier , KONONCHUCK, Oleg , ECARNOT, Ludovic
IPC分类号： H01L21/762
摘要： L'invention concerne un procédé de collage hydrophile d'un premier substrat (S1) sur un second substrat (S2), comprenant : - la mise en contact du premier substrat (S1) et du second substrat (S2), de sorte à former une interface (I) de collage entre une surface principale du premier substrat et une surface principale du second substrat, - l'application d'un traitement thermique adapté pour fermer ladite interface de collage, ledit procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend, avant l'étape de mise en contact, le dépôt, sur la surface principale du premier et/ou du second substrat, d'une couche (12) de collage en un matériau non métallique perméable au dihydrogène et présentant, à la température du traitement thermique, une limite élastique inférieure à celle d'au moins un des matériaux du premier substrat (S1) et du second substrat (S2) situés à l'interface de collage, ladite couche présentant une épaisseur comprise entre 1 et 6 nm, et en ce que le traitement thermique est mis en œuvre à une température inférieure ou égale à 900°C, de préférence inférieure ou égale à 600°C.

2. 发明申请

WO2020074658A1 PROCÉDÉ DE TRANSFERT DE FILM MINCE 审中-公开
公开(公告)号：WO2020074658A1
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：PCT/EP2019/077513
申请日：2019-10-10
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： FOURNEL, Frank , MICHAUD, Laurent , MONTMEAT, Pierre
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/78
摘要： L'invention a pour objet un procédé de transfert de couche (11) sur un substrat flexible (40, 50). La couche à transférer (11) se trouve au sein d'un empilement (10) en face avant (100) du substrat (1). Avantageusement, le substrat (1) comprend au moins un empilement supplémentaire (20) intercalé entre l'empilement (10) et la couche (30) massive du substrat (1). Cet empilement supplémentaire (20) comprend au moins deux couches (22, 21) d'épaisseurs décroissantes en direction de la face avant (100). Le procédé prévoit, après collage du substrat flexible (40) en face avant (100), de retirer successivement et progressivement les différentes couches (30, 22, 21, 12) du substrat (1). Une telle progressivité permet de transférer une couche (11) mince de silicium, d'épaisseur inférieure à 50 nm, sur un substrat flexible (40, 50).

3. 发明申请

WO2016180828A1 PROCEDE DE COLLAGE DIRECT DE SUBSTRATS AVEC AMINCISSEMENT DES BORDS D'AU MOINS UN DES DEUX SUBSTRATS 审中-公开
标题翻译：用于直接粘结基板的方法，包括两个基板中的一个边缘的边缘的薄膜
公开(公告)号：WO2016180828A1
公开(公告)日：2016-11-17
申请号：PCT/EP2016/060448
申请日：2016-05-10
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： FOURNEL, Frank , MORALES, Christophe , MORICEAU, Hubert , RIEUTORD, François
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/76251 , H01L21/2007 , H01L24/83 , H01L27/1203
摘要： Procédé de collage direct entre au moins un premier et un deuxième substrats (100, 102), chacun des premier et deuxième substrats comportant une première et une deuxième faces principales (104, 106, 108, 110), comportant au moins les étapes de : - premier amincissement de bords (114) du premier substrat sur au moins une partie de la circonférence du premier substrat, au niveau de la première face principale du premier substrat; - mise en contact de la deuxième face principale du premier substrat avec la deuxième face principale du deuxième substrat telle qu'une onde de collage se propage entre les premier et deuxième substrats, solidarisant les premier et deuxième substrats l'un à l'autre par collage direct tel que des parties de la deuxième face principale du premier substrat se trouvant sous des parties amincies de la première face principale du premier substrat sont solidarisées au deuxième substrat.
摘要翻译：本发明涉及一种用于在至少第一和第二基底（100,102）之间直接结合的方法，所述第一和第二基底中的每一个包括第一和第二主表面（104,106,108,110），包括至少以下步骤：在第一基板的第一主表面上，在第一基板的圆周的至少一部分上使第一基板的边缘（114）首先变薄; 并且将第一基板的第二主表面与第二基板的第二主表面接触，使得键合波在第一和第二基板之间传播，通过直接接合将第一和第二基板彼此固定，使得位于第一基板的第一主表面的薄化部分下方的第一基板的第二主表面固定到第二基板。

4. 发明申请

WO2016156279A1 PROCÉDÉ D'ASSEMBLAGE DE SUBSTRATS 审中-公开
标题翻译：装配基板的方法
公开(公告)号：WO2016156279A1
公开(公告)日：2016-10-06
申请号：PCT/EP2016/056748
申请日：2016-03-29
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： FOURNEL, Frank , BAILLIN, Xavier , CHERAMY, Séverine , DIEM, Bernard , ERNST, Thomas , LEDUC, Patrick
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/18
CPC分类号： H01L23/544 , H01L21/187 , H01L21/6835 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453
摘要： La présente invention concerne un procédé d'assemblage d'une première face (3) d'un premier substrat (1) et d'une première face (7) d'un deuxième substrat (5), caractérisé en ce qu'il comprend : une formation d'une couche intercalaire (11) entre la première face (3) du premier substrat (1) et la première face (3) du deuxième substrat (5), la couche intercalaire (11) étant au contact de la première face (3) du premier substrat (1) et de la première face (7) du deuxième substrat (5); une élimination de la couche intercalaire (11) et une mise en contact de la première face (3) du premier substrat (1) et de la première face (7) du deuxième substrat (5).
摘要翻译：本发明涉及一种用于组装第一衬底（1）的第一面（3）和第二衬底（5）的第一面（7）的方法，其特征在于，其包括：在所述第二衬底第一基板（1）的第一面（3）和第二基板（5）的第一面（3），中间层（11）与第一基板（1）的第一面（3）接触，以及与第二基板（5）的第一面（7）消除中间层（11）并使第一基板（1）的第一面（3）与第二基板（5）的第一面（7）接触。

5. 发明申请

WO2021074331A1 DEVICE FOR REGROWTH OF A THICK STRUCTURE, PHOTONIC DEVICE COMPRISING THE SAME AND ASSOCIATED METHODS OF FABRICATION 审中-公开
公开(公告)号：WO2021074331A1
公开(公告)日：2021-04-22
申请号：PCT/EP2020/079114
申请日：2020-10-15
申请人： NOKIA SOLUTIONS AND NETWORKS OY , COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , THALES
发明人： DECOBERT, Jean , BESANÇON, Claire , FOURNEL, Frank
IPC分类号： G02B6/12 , H01S5/02
摘要： A device (1) for regrowth of a thick structure lattice-matched with InP comprising: - a Si substrate (11), - an interface layer of SiO2 (12) on the Si substrate, - a bonding layer (13) on the interface layer (12), said bonding layer (13) being made of a III-V material consisting of an alloy of the AlGalnAs family, and - a regrowth layer (14) on the bonding layer (13), said regrowth layer (14) being made of InP. 

6. 发明申请

WO2018104666A1 PROCEDE ET DISPOSITIF DE CONTROLE D'UN COLLAGE ENTRE DEUX SUBSTRATS 审中-公开
公开(公告)号：WO2018104666A1
公开(公告)日：2018-06-14
申请号：PCT/FR2017/053420
申请日：2017-12-06
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： FOURNEL, Frank , DEKIOUS, Ali , DELOFFRE, Emilie , DESPAUX, Gilles , LARREY, Vincent , LE CLEZIO, Emmanuel
IPC分类号： G01N29/04 , G01N29/11 , G01N29/44 , G01N29/46
摘要： L'invention concerne un procédé de contrôle d'un assemblage comprenant des premier (W1) et deuxième (W2) substrats accolés, ce procédé comportant les étapes suivantes: a) émettre un signal ultrasonore d'excitation en direction de l'assemblage au moyen d'un transducteur ultrasonore (301) placé du côté de la face avant (A1) du premier substrat (W1); b) mesurer, au moyen dudit transducteur (301), un signal ultrasonore retour comportant au moins un écho (EF) du signal d'excitation sur la face arrière (B2) du deuxième substrat (W2); c) calculer, au moyen d'un circuit de traitement (303), un signal spectral représentatif de l'évolution en fréquence d'un coefficient de réflexion global de l'assemblage, défini comme étant le rapport du signal retour mesuré à l'étape b) sur le signal d'excitation;et d) déduire dudit signal spectral une information quant à la qualité du collage entre les premier (W1) et deuxième (W2) substrats.

7. 发明申请

WO2017025494A1 PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE AVEC COLLAGE DIRECT TEMPORAIRE EXPLOITANT UNE COUCHE POREUSE 审中-公开
标题翻译：使用多孔层制造具有临时直接结合的半导体结构的方法
公开(公告)号：WO2017025494A1
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：PCT/EP2016/068845
申请日：2016-08-08
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： BECHE, Elodie , FOURNEL, Frank , LARREY, Vincent
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76259
摘要： L'invention porte sur un procédé de fabrication d'une structure semi-conductrice, comprenant les étapes de: -collage direct d'un substrat à manipuler (1) avec un substrat poignée (2) par l'intermédiaire d'une couche de collage (3) recouvrant le substrat poignée, pour former une structure temporaire apte à être soumise à des étapes technologiques; et de -démontage de la structure temporaire au niveau de la couche de collage pour séparer le substrat à manipuler (1) du substrat poignée (2), caractérisé en ce qu'il comprend une étape préalable de dépôt de la couche de collage (3) sur le substrat poignée(2) et/ou sur le substrat à manipuler (1), la couche de collage (3) étant réalisée en un matériau poreux formé d'une matrice inorganique et decomposés organiques reliés ou non à cette matrice, et en ce que l'étape de démontage est réalisée par apport d'un budget thermique de démontage à la structure intermédiaire (6, 16), ledit apport résultant en un démontage spontané de la structure temporaire intervenant au niveau de la couche de collage.
摘要翻译：本发明涉及一种半导体结构的制造方法，包括以下步骤：通过覆盖夹持基板的接合层（3）将待处理基板（1）与夹持基板（2）直接接合，以便形成能够承受技术步骤的临时结构; 以及在所述接合层处移除所述临时结构以便将所述待处理基板（1）从所述夹持基板（2）分离，其特征在于，其包括将所述接合层（3）沉积到所述夹持基板（2）和/或待处理的基材（1）上，所述粘合层（3）由无机基质和可选地连接到所述基体的有机化合物构成的多孔材料制成，并且所述去除步骤通过向中间结构（6,16）添加热预算以进行去除，所述添加导致在粘结层处发生的临时结构的自发去除。

8. 发明申请

WO2017021231A1 PROCEDE DE COLLAGE DIRECT AVEC AUTO-ALIGNEMENT PAR ULTRASONS 审中-公开
标题翻译：使用超声波直接键合自对准的方法
公开(公告)号：WO2017021231A1
公开(公告)日：2017-02-09
申请号：PCT/EP2016/067827
申请日：2016-07-26
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： FOURNEL, Frank , BAILLIN, Xavier , CHERAMY, Séverine , LEDUC, Patrick , SANCHEZ, Loic
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L24/80 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/97 , H01L2224/0381 , H01L2224/05568 , H01L2224/056 , H01L2224/05686 , H01L2224/08148 , H01L2224/08238 , H01L2224/80004 , H01L2224/80013 , H01L2224/80143 , H01L2224/80205 , H01L2224/80894 , H01L2224/80948 , H01L2224/95146 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/05442
摘要： Procédé de collage direct d'une puce électronique (100) sur un substrat (102) ou sur une autre puce électronique, comportant les étapes de : - traitement hydrophile d'une partie (105) d'une face de la puce électronique et d'une partie (110) d'une face (108) du substrat ou de l'autre puce électronique; - dépôt d'un fluide aqueux (112) sur la partie de la face du substrat ou de la deuxième puce électronique; - dépôt de la partie de la face de la puce électronique sur le fluide aqueux; - séchage du fluide aqueux jusqu'à une solidarisation de la partie de la face de la puce électronique avec la partie de la face du substrat ou de l'autre puce électronique; et comportant en outre, pendant au moins une partie du séchage du fluide aqueux, une émission d'ultrasons dans le fluide aqueux à travers le substrat ou l'autre puce électronique.
摘要翻译：本发明涉及一种用于将电子芯片（100）直接接合到基板（102）或另一电子芯片上的方法，所述方法包括以下步骤：对表面的一部分（105）进行亲水处理所述电子芯片和所述基板或所述另一个电子芯片的表面（108）的一部分（110）将水性流体（112）沉积在所述基底或所述第二电子芯片的所述表面的所述部分上; 将所述电子芯片的所述表面的所述部分沉积在所述水性流体上; 干燥含水流体直到电子芯片的表面部分刚性地连接到基板或另一个电子芯片表面的部分; 所述方法还在水性流体的至少部分干燥过程中还包括通过基底或其它电子芯片将超声发射到水性流体中。

9. 发明申请

WO2018104513A1 PROCÉDÉ DE TRANSFERT DE COUCHES MINCES 审中-公开
公开(公告)号：WO2018104513A1
公开(公告)日：2018-06-14
申请号：PCT/EP2017/081999
申请日：2017-12-08
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： MONTMEAT, Pierre , FOURNEL, Frank
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/20
摘要： La présente invention concerne un procédé de transfert d'une couche mince (3) sur un substrat de destination (9) sur une face duquel une couche adhésive (8) est présente, caractérisé en ce qu'il comprend, à partir d'un support temporaire (4) à une face duquel une première face (31) de la couche mince (3) est solidarisée: -une formation d'une couche d'interface (7) en matériau polymère sur une deuxième face (32) de la couche mince (3), opposée à la première face (31); -un assemblage par collage de la couche d'interface (7) et de la couche adhésive (8); -une séparation de la couche mince (3) relativement au support temporaire (4).

10. 发明申请

WO2015092254A1 PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT-POIGNÉE DESTINÉ AU COLLAGE TEMPORAIRE D'UN SUBSTRAT 审中-公开
标题翻译：手工制作手柄的方法暂时粘贴在基材上
公开(公告)号：WO2015092254A1
公开(公告)日：2015-06-25
申请号：PCT/FR2014/053354
申请日：2014-12-15
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： MONTMEAT, Pierre , BALLY, Laurent , FOURNEL, Frank , PELLAT, Michel
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： H01L21/6835 , H01L21/7813 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/68381
摘要： Ce procédé comprend les étapes consistant à : a) Fournir un substrat support (1) comprenant une face de réception (2), b) Déposer une couche antiadhésive (4) sur la face de réception (2), la couche antiadhésive (4) comprenant une région centrale (5) et une région périphérique (6), et c) Détourer le substrat support (1) de sorte à retirer la région périphérique (6) de la couche antiadhésive (4) et former en périphérie du substrat support (1) un évidement (9), afin d'obtenir le substrat-poignée (100). La présente invention concerne également un procédé de collage temporaire d'un substrat (3) sur le substrat-poignée (100) fabriqué selon le procédé tel que précédemment décrit. La présente invention concerne en outre le substrat-poignée (100) fabriqué selon le procédé tel que précédemment décrit.
摘要翻译：该方法包括以下步骤：a）提供包括接收面（2）的载体衬底（1）; b）在接收面（2）上沉积不粘涂层（4），不粘涂层（4）包括中心区域（5）和周边区域（6）; 以及c）修整所述载体基板（1）以去除所述不粘涂层（4）的周边区域（6）并且在所述载体基板（1）的周边上形成凹部（9），以获得处理晶片（100）。本发明还涉及一种用于将基板（3）临时接合到使用上述方法制造的处理晶片（100）的方法。本发明还涉及使用上述方法制造的手柄晶片（100）。

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