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1. 发明申请

WO2018167426A3 SUBSTRAT DE CROISSANCE POUR LA FORMATION DE DISPOSITIFS OPTOELECTRONIQUES, PROCEDE DE FABRICATION D'UN TEL SUBSTRAT, ET UTILISATION DU SUBSTRAT NOTAMMENT DANS LE DOMAINE DES MICRO-ECRANS D'AFFICHAGE 审中-公开
公开(公告)号：WO2018167426A3
公开(公告)日：2018-09-20
申请号：PCT/FR2018/050606
申请日：2018-03-14
申请人： SOITEC
发明人： SOTTA, David , LEDOUX, Olivier , BONNIN, Olivier , BETHOUX, Jean-Marc , LOGIOU, Morgane , CAULMILONE, Raphaël
IPC分类号： H01L25/075 , H01L21/02 , H01L33/00 , H01L33/02
摘要： L'invention porte sur un substrat de croissance (1) pour la formation de dispositifs optoélectroniques comprenant un support de croissance (2) et, disposée sur le support de croissance (2), un premier groupe d'îlots semi-conducteurs cristallins (3a) présentant un premier paramètre de maille et un deuxième groupe d'îlots semi-conducteur cristallin (3b) présentant un deuxième paramètre de maille, différent du premier. L'invention porte également sur un procédé de fabrication du substrat de croissance, sur un procédé de fabrication collective d'une pluralité de dispositifs optoélectroniques sur le substrat de croissance. Elle s'applique pour fournir un micro panneau monolithique de diodes électroluminescentes ou un micro-écran d'affichage.

2. 发明申请

WO2018060570A1 STRUCTURE COMPRENANT DES ILOTS SEMI-CONDUCTEURS MONOCRISTALLINS, PROCEDE DE FABRICATION D'UNE TELLE STRUCTURE 审中-公开
标题翻译：包含单晶半导体器件的结构，制造这种结构的方法
公开(公告)号：WO2018060570A1
公开(公告)日：2018-04-05
申请号：PCT/FR2017/052529
申请日：2017-09-21
申请人： SOITEC
发明人： SOTTA, David , KONONCHUK, Oleg , BETHOUX, Jean-Marc
IPC分类号： H01L21/20
摘要： L'invention porte sur une structure (10) pour l'élaboration d'au moins une couche active en matériau III-V (6) comprenant un substrat formé d'un support (2) présentant une face principale, d'une couche diélectrique (3) disposée sur la face principale du support, et d'une pluralité d'îlots semi-conducteurs monocristallins (4) disposée directement sur la couche diélectrique (3), les îlots présentant une surface supérieure pour servir de germe à la croissance de la couche active. Selon l'invention la structure comprend une couche d'accroché (5) disposée entre les îlots semi-conducteurs monocristallins (4), directement sur la portion de la couche diélectrique (3) qui n'est pas recouverte par les îlots (4), sans masquer la surface supérieure des îlots (4), de sorte que la couche diélectrique (3) ne soit plus exposée à son environnement.
摘要翻译：本发明涉及一种用于构造至少一个包含成形衬底的III-V族材料（6）活性层的结构（10）。具有主面的支撑体（2），设置在支撑体的主表面上的介电层（3）以及多个层; 直接设置在介电层（3）上的单晶半导体毡（4），所述批料具有用作晶种的上表面; 活动层的增长。根据本发明，该结构包括钩挂层。（5）设置在单晶半导体封装（4）之间，直接位于未被批次（4）覆盖的介电层（3）的部分上，而不掩蔽（4）的上表面，使得电介质层（3）不再暴露; 它的环境。

3. 发明申请

WO2020182457A1 OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR STRUCTURE COMPRISING A P-TYPE INJECTION LAYER BASED ON INGAN 审中-公开
公开(公告)号：WO2020182457A1
公开(公告)日：2020-09-17
申请号：PCT/EP2020/054825
申请日：2020-02-25
申请人： SOITEC
发明人： SOTTA, David , ROZHAVSKAIA, Mariia , DAMILANO, Benjamin
IPC分类号： H01L33/02 , H01L33/12
摘要： The invention relates to an optoelectronic semiconductor structure (SC) comprising an InGaN-based active layer (5) disposed between an n-type injection layer (6) and a p-type injection layer (7), the p-type injection (7) layer comprising a first InGaN layer (7a) presenting a thickness comprised between 50 and 350 nm and, disposed on the first layer (7a), a second layer (7b) having a GaN surface portion.

4. 发明申请

WO2020094944A1 PROCEDE DE FABRICATION COLLECTIVE D'UNE PLURALITE DE STRUCTURES SEMI-CONDUCTRICES 审中-公开
公开(公告)号：WO2020094944A1
公开(公告)日：2020-05-14
申请号：PCT/FR2019/052538
申请日：2019-10-24
申请人： SOITEC
发明人： SOTTA, David
IPC分类号： H01L21/02
摘要： L'invention porte sur un procédé de fabrication collective d'une pluralité de structures semi-conductrices (8). Il comprend la fourniture d'un substrat formé d'un support (2) présentant une face principale, d'une couche diélectrique (3) disposée sur la face principale du support (2) et d'une pluralité d'îlots de croissance semi-conducteurs cristallins (4) disposés sur la couche diélectrique (3). Il comprend également la formation d'au moins une couche active semi-conductrice cristalline (6) sur les îlots de croissance. Selon l'invention le procédé comprend, après l'étape de formation de la couche active (6), la formation de tranchées (7) dans la couche active (6) et dans les îlots de croissance (4) pour définir la pluralité de structures semi-conductrices (8).

5. 发明申请

WO2018167426A2 SUBSTRAT DE CROISSANCE POUR LA FORMATION DE DISPOSITIFS OPTOELECTRONIQUES, PROCEDE DE FABRICATION D'UN TEL SUBSTRAT, ET UTILISATION DU SUBSTRAT NOTAMMENT DANS LE DOMAINE DES MICRO-ECRANS D'AFFICHAGE 审中-公开
公开(公告)号：WO2018167426A2
公开(公告)日：2018-09-20
申请号：PCT/FR2018/050606
申请日：2018-03-14
申请人： SOITEC
发明人： SOTTA, David , LEDOUX, Olivier , BONNIN, Olivier , BETHOUX, Jean-Marc , LOGIOU, Morgane , CAULMILONE, Raphaël
IPC分类号： H01L25/075 , H01L21/02
摘要： L'invention porte sur un substrat de croissance (1) pour la formation de dispositifs optoélectroniques comprenant un support de croissance (2) et, disposée sur le support de croissance (2), un premier groupe d'îlots semi-conducteurs cristallins (3a) présentant un premier paramètre de maille et un deuxième groupe d'îlots semi-conducteur cristallin (3b) présentant un deuxième paramètre de maille, différent du premier. L'invention porte également sur un procédé de fabrication du substrat de croissance, sur un procédé de fabrication collective d'une pluralité de dispositifs optoélectroniques sur le substrat de croissance. Elle s'applique pour fournir un micro panneau monolithique de diodes électroluminescentes ou un micro-écran d'affichage.

6. 发明申请

WO2018158529A1 PROCEDE DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT DONNEUR POUR LA FORMATION DE DISPOSITIFS OPTOELECTRONIQUES 审中-公开
公开(公告)号：WO2018158529A1
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：PCT/FR2018/050446
申请日：2018-02-26
申请人： SOITEC
发明人： SOTTA, David
IPC分类号： H01L21/02 , H01L33/00 , H01L21/762
摘要： L'invention porte sur un procédé de préparation d'une couche de semi-conducteur cristallin pour qu'elle présente un paramètre de maille déterminé. Le procédé met en œuvre une séquence de relaxation appliquée une première fois sur un premier substrat donneur de départ (1) pour fournir un second substrat donneur (5). La séquence de relaxation est répétée, en prenant le second substrat donneur (5) comme substrat donneur de départ (1), un nombre suffisant de fois pour que le paramètre de maille de la couche relaxée présente le paramètre de maille déterminé. L'invention porte également sur une collection (10) de substrats (5' ) issus de ce procédé.

7. 发明公开

EP4033531A1 PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE PLURALITÉ D'ÎLOTS SEMICONDUCTEURS CRISTALLINS 有权
公开(公告)号：EP4033531A1
公开(公告)日：2022-07-27
申请号：EP22161925.7
申请日：2018-03-14
申请人： SOITEC
发明人： SOTTA, David , LEDOUX, Olivier , BONNIN, Olivier , BETHOUX, Jean-Marc , LOGIOU, Morgane , CAULMILONE, Raphaël
IPC分类号： H01L25/075 , H01L21/02 , H01L33/00 , H01L33/02
摘要： L'invention porte sur un substrat de croissance (1) pour la formation de dispositifs optoélectroniques comprenant un support de croissance (2) et, disposée sur le support de croissance (2), un premier groupe d'îlots semi-conducteurs cristallins (3a) présentant un premier paramètre de maille et un deuxième groupe d'îlots semi-conducteur cristallin (3b) présentant un deuxième paramètre de maille, différent du premier. L'invention porte également sur un procédé de fabrication du substrat de croissance, sur un procédé de fabrication collective d'une pluralité de dispositifs optoélectroniques sur le substrat de croissance. Elle s'applique pour fournir un micro panneau monolithique de diodes électroluminescentes ou un micro-écran d'affichage.

8. 发明公开

EP3590129A1 PROCEDE DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT DONNEUR POUR LA FORMATION DE DISPOSITIFS OPTOELECTRONIQUES 有权
公开(公告)号：EP3590129A1
公开(公告)日：2020-01-08
申请号：EP18709702.7
申请日：2018-02-26
申请人： Soitec
发明人： SOTTA, David
IPC分类号： H01L21/02 , H01L33/00 , H01L21/762

9. 发明公开

EP3939097A1 OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR STRUCTURE COMPRISING A P-TYPE INJECTION LAYER BASED ON INGAN 审中-公开
公开(公告)号：EP3939097A1
公开(公告)日：2022-01-19
申请号：EP20706729.9
申请日：2020-02-25
申请人： SOITEC
发明人： SOTTA, David , ROZHAVSKAIA, Mariia , DAMILANO, Benjamin
IPC分类号： H01L33/02 , H01L33/12

10. 发明公开

EP3878005A1 PROCEDE DE FABRICATION COLLECTIVE D'UNE PLURALITE DE STRUCTURES SEMI-CONDUCTRICES 审中-实审
公开(公告)号：EP3878005A1
公开(公告)日：2021-09-15
申请号：EP19813106.2
申请日：2019-10-24
申请人： SOITEC
发明人： SOTTA, David
IPC分类号： H01L21/02

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