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1. 发明专利

DE102016119704A1 Dreidimensionale Halbleitervorrichtung 未知
公开(公告)号：DE102016119704A1
公开(公告)日：2017-06-22
申请号：DE102016119704
申请日：2016-10-17
申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
发明人： LEE SUNG-HUN , YUN SEOKJUNG , LEE CHANG-SUP , CHO SEONG SOON , HAN JEEHOON
IPC分类号： H01L23/52 , H01L27/115
摘要： Eine dreidimensionale (3D) Halbleitervorrichtung weist eine Stapelstruktur (ST) auf, welche erste und zweite Stapel (STR) aufweist, welche auf einem Substrat (10) gestapelt sind. Jeder der ersten und zweiten Stapel (STR) weist eine erste Elektrode (EL1) und eine zweite Elektrode (EL2) auf der ersten Elektrode (EL1) auf. Eine Seitenwand der zweiten Elektrode (EL2) des ersten Stapels (STR) ist horizontal von einer Seitenwand der zweiten Elektrode (EL2) des zweiten Stapels (STR) durch einen ersten Abstand beabstandet. Eine Seitenwand der ersten Elektrode (EL1) ist horizontal von der Seitenwand der zweiten Elektrode (EL2) durch einen zweiten Abstand in jedem der ersten und zweiten Stapel (STR) beabstandet. Der zweite Abstand ist kleiner als eine Hälfte des ersten Abstands.

2. 发明专利

JP2008217972A Nonvolatile memory element operating method 审中-公开
标题翻译：非易失性存储元件操作方法
公开(公告)号：JP2008217972A
公开(公告)日：2008-09-18
申请号：JP2008048341
申请日：2008-02-28
申请人： Samsung Electronics Co Ltd , 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd.
发明人： SETSU KOSHU , PARK SANG-JIN , LEE SUNG-HUN , PARK SUNG-IL , KIM JONGSEOB
IPC分类号： G11C16/02 , G11C16/04 , H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC分类号： G11C16/349
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a nonvolatile memory element operating method that can improve the speed of stabilizing the charges and re-coupling electrons and holes, reduce or prevent the reverse charges remaining in the charge trap layer in a programmed state and erased state, and secure the stabilized programmed state and erased state. SOLUTION: This method performs programming and erasing by applying composite pulses of DC pulses contributing to programming or erasing and AC perturbations pulses promoting re-coupling and relocating of charges to a nonvolatile memory element. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种非易失性存储元件操作方法，其可以提高稳定电荷和重新耦合电子和空穴的速度，减少或防止在编程状态下残留在电荷陷阱层中的反向电荷，以及擦除状态，并确保稳定的编程状态和擦除状态。解决方案：该方法通过应用有助于编程或擦除的DC脉冲的复合脉冲和促进电荷的重新耦合和重新定位到非易失性存储元件的AC扰动脉冲执行编程和擦除。版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

3. 发明专利

JP2008217971A Nonvolatile memory element operating method 审中-公开
标题翻译：非易失性存储元件操作方法
公开(公告)号：JP2008217971A
公开(公告)日：2008-09-18
申请号：JP2008048339
申请日：2008-02-28
申请人： Samsung Electronics Co Ltd , 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd.
发明人： SETSU KOSHU , PARK SANG-JIN , LEE SUNG-HUN , PARK SUNG-IL , KIM JONGSEOB , CHOI JUNG-DAL , SAI KIKAN , SIM JAE-SUNG , MOON SEUNG-HYUN
IPC分类号： G11C16/02 , G11C16/04 , H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC分类号： G11C16/14
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of operating a charge trap flash (CTF: Charge Trap Flash) memory element. SOLUTION: In the operating method of erasing in a charge trap memory element, erasing is performed by applying composite pulses containing DC pulses and DC perturbation pulses in a charge trap memory element. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种操作电荷陷阱闪光（CTF：充电陷阱闪存）存储元件的方法。解决方案：在电荷陷阱存储元件擦除的操作方法中，通过在电荷陷阱存储元件中施加包含DC脉冲和DC扰动脉冲的复合脉冲来执行擦除。版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

4. 发明专利

JP2012222358A Graphene electronic element and manufacturing method of the same 有权
标题翻译：石墨电子元件及其制造方法
公开(公告)号：JP2012222358A
公开(公告)日：2012-11-12
申请号：JP2012086171
申请日：2012-04-05
申请人： Samsung Electronics Co Ltd , 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd.
发明人： HEO JIN SEONG , JEONG HYEON-JONG , SEO SUN-AE , LEE SUNG-HUN , YANG HEE-JUN
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40
CPC分类号： H01L29/66045 , H01L29/1606 , H01L29/401 , H01L29/66431 , H01L29/66742 , H01L29/778 , H01L29/786 , Y10S977/936
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a graphene electronic element and a manufacturing method of the graphene electronic element.SOLUTION: A graphene electronic element includes: a conductive substrate acting as a gate electrode, a gate oxide disposed on the substrate; a pair of fist metals separated from each other on the gate oxide; a graphene channel layer extending between the first metals on the first metals; and a source electrode and a drain electrode which are respectively disposed on both ends of the graphene channel layer.
摘要翻译：要解决的问题：提供石墨烯电子元件和石墨烯电子元件的制造方法。石墨烯电子元件包括：用作栅电极的导电衬底，设置在衬底上的栅极氧化物; 一对在金属氧化物上彼此分离的第一金属; 在第一金属上的第一金属之间延伸的石墨烯通道层; 以及分别设置在石墨烯通道层的两端的源电极和漏电极。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

5. 发明专利

JP2011118905A Memory card and electronic equipment 审中-公开
标题翻译：存储卡和电子设备
公开(公告)号：JP2011118905A
公开(公告)日：2011-06-16
申请号：JP2010272360
申请日：2010-12-07
申请人： Samsung Electronics Co Ltd , 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd.
发明人： KANG JINTAE , KIM KISUN , LEE DONGYANG , KONG DOIL , LEE SUNG-HUN
IPC分类号： G06K19/077 , G06F1/18
CPC分类号： H01R13/44 , G06F1/16 , G06F1/185 , G06K19/07732 , G06K19/07743 , G11C5/05 , G11C16/06 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/15174 , H01L2924/00014
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a memory card of a new form in which each connection terminal group can be electrically connected to a mutually different type of electronic equipment by forming a second connection terminal group between the front side of the memory card and a first connection terminal group. SOLUTION: The memory card has a connection terminal, etc., for being electrically connected to external electronic equipment. The connection terminal, etc., is located separately from the front side of the memory card with a distance longer than the length of each connection terminal. The memory card can selectively have a different connection terminal, etc., between the front side of the memory card and the connection terminal, etc. The respective connection terminals, etc., are used to be electrically connected to a mutually different kind of electronic equipment. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种新形式的存储卡，其中每个连接端子组可以通过在存储卡的前侧之间形成第二连接端子组而与相互不同类型的电子设备电连接和第一连接终端组。
解决方案：存储卡具有用于电连接到外部电子设备的连接端子等。连接端子等与存储卡的前侧分开设置，其长度大于每个连接端子的长度。存储卡可以选择性地在存储卡的前侧和连接端子之间具有不同的连接端子等。各个连接端子等用于电连接到彼此不同种类的电子设备。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

6. 发明专利

DE102016119704B4 Dreidimensionale Halbleitervorrichtung 未知
公开(公告)号：DE102016119704B4
公开(公告)日：2021-05-12
申请号：DE102016119704
申请日：2016-10-17
申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
发明人： LEE SUNG-HUN , YUN SEOKJUNG , LEE CHANG-SUP , CHO SEONG SOON , HAN JEEHOON
IPC分类号： H01L27/11556 , H01L23/52 , H01L27/115
摘要： Dreidimensionale Halbleitervorrichtung, die Folgendes aufweist:ein Substrat (10), welches einen Zellarraybereich (CAR) und einen Verbindungsbereich (CNR) aufweist;eine Stapelstruktur (ST), welche sich von dem Zellarraybereich (CAR) in den Verbindungsbereich (CNR) hinein erstreckt, wobei die Stapelstruktur (ST) einen ersten Stapel (STR) und einen zweiten Stapel (STR) auf dem ersten Stapel (STR) aufweist, wobei jeder des ersten und zweiten Stapels (STR) sich entlang einer ersten Richtung erstreckt und eine erste Elektrode (EL1) und eine zweite Elektrode (EL2) auf der ersten Elektrode (EL1) aufweist, undKontaktstecker (PLG), welche jeweils mit den zweiten Elektroden (EL2) der ersten und zweiten Stapel (STR) verbunden sind,wobei in der ersten Richtung eine Seitenwand der zweiten Elektrode (EL2) des ersten Stapels (STR) horizontal von einer Seitenwand der zweiten Elektrode (EL2) des zweiten Stapels (STR) durch einen ersten Abstand in dem Verbindungsbereich (CNR) beabstandet ist,wobei in der ersten Richtung eine Seitenwand der ersten Elektrode (EL1) horizontal von der Seitenwand der zweiten Elektrode (EL2) durch einen zweiten Abstand in jedem des ersten und des zweiten Stapels (STR) beabstandet ist,wobei der zweite Abstand geringer ist als eine Hälfte des ersten Abstandswobei die Seitenwand der ersten Elektrode (EL1) des zweiten Stapels (STR) durch einen dritten Abstand horizontal entfernt von der Seitenwand der zweiten Elektrode (EL2) des ersten Stapels (STR) beabstandet ist,wobei der zweite Abstand in dem zweiten Stapel (STR) geringer ist als der dritte Abstand,und wobei jeder der Kontaktstecker (PLG) eine Breite größer als der zweite Abstand hat.

7. 发明专利

JP2012001431A Graphene substituted with boron and nitrogen, method for producing the same, and transistor provided with the same 审中-公开
标题翻译：用硼和氮取代的石墨，其生产方法及其所提供的晶体管
公开(公告)号：JP2012001431A
公开(公告)日：2012-01-05
申请号：JP2011133050
申请日：2011-06-15
申请人： Samsung Electronics Co Ltd , 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd.
发明人： LEE SUNG-HUN , SEO SUN-AE , WOO YUN-SUNG , CHUNG HYUN-JONG , HEO JIN SEONG
IPC分类号： C01B31/02 , B82B1/00 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
CPC分类号： H01L29/1606 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/186 , H01L29/7781 , H01L29/78684
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide graphene substituted with boron and nitrogen, a method for producing the same, and a transistor provided with the graphene.SOLUTION: Boron and nitrogen are substituted for 1-20% of carbon atoms of the graphene. As the graphene substituted with boron and nitrogen has a band gap of approximately 0.05-0.45 eV, the graphene is used as a channel of a field-effect transistor.
摘要翻译：要解决的问题：提供用硼和氮取代的石墨烯，其制造方法和设置有石墨烯的晶体管。解决方案：硼和氮代替石墨烯的1-20％的碳原子。由于用硼和氮取代的石墨烯具有约0.05-0.45eV的带隙，石墨烯被用作场效应晶体管的通道。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

8. 发明专利

JP2008288588A Flash memory device, its manufacturing method and operating method 审中-公开
标题翻译：闪存存储器件及其制造方法和操作方法
公开(公告)号：JP2008288588A
公开(公告)日：2008-11-27
申请号：JP2008127576
申请日：2008-05-14
申请人： Samsung Electronics Co Ltd , 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd.
发明人： PARK SUNG-IL , LEE SUNG-HUN , SETSU KOSHU , JIN YOUNG-GU , KIM JONGSEOB
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC分类号： H01L21/28282 , G11C16/349 , H01L27/11568 , H01L29/42332 , H01L29/42336 , H01L29/42348 , H01L29/42352 , H01L29/66833 , H01L29/792
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a flash memory device, its manufacturing method and operating method.
SOLUTION: The memory device includes a channel region and a gate structure formed on the channel region. The channel region is formed so that it may have bends at both sides of an upper end portion, wherein bend portions of both the sides are used as a region into which electric charge is poured at programming and erasing, and the channel region separates the region into which the electric charge is poured, from a region which determines a threshold voltage. Its manufacturing method and operating method are provided.
COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种闪存器件，其制造方法和操作方法。解决方案：存储器件包括形成在沟道区上的沟道区和栅极结构。通道区域形成为使得其可以在上端部的两侧具有弯曲，其中两侧的弯曲部分被用作在编程和擦除期间注入电荷的区域，并且沟道区域将区域从确定阈值电压的区域中注入电荷。提供其制造方法和操作方法。版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

9. 发明专利

JP2008172233A Semiconductor memory device performing erase operation using erase gate and method of manufacturing the same 审中-公开
标题翻译：使用擦除门进行擦除操作的半导体存储器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2008172233A
公开(公告)日：2008-07-24
申请号：JP2008000774
申请日：2008-01-07
申请人： Samsung Electronics Co Ltd , 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd.
发明人： LEE SUNG-HUN , PARK SUNG-IL , JIN YOUNG-GU , KIM JONGSEOB , HONG KI-HA
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC分类号： H01L29/792 , G11C16/10 , H01L21/28282 , H01L27/115 , H01L27/11568 , H01L29/42328 , H01L29/66833
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor memory device performing erase operation using an erase gate, and to provide a method of manufacturing the same. SOLUTION: The semiconductor memory device includes a semiconductor substrate, a charge trap layer and at least one erase gate. The charge trap layer is positioned on the semiconductor substrate and stores inflow electrons. At least one erase gate is formed below the charge trap layer. In the erase mode for eliminating the electrons stored in the charge trap layer, the erase gate injects holes into the charge trap layer and makes the electrons stored in the charge trap layer and the injected holes recombine. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种使用擦除栅极执行擦除操作的半导体存储器件，并提供其制造方法。解决方案：半导体存储器件包括半导体衬底，电荷陷阱层和至少一个擦除栅极。电荷陷阱层位于半导体衬底上并存储流入的电子。在电荷陷阱层下面形成至少一个擦除栅极。在消除存储在电荷陷阱层中的电子的擦除模式中，擦除栅极将空穴注入到电荷陷阱层中，并使存储在电荷陷阱层中的电子和注入的空穴复合。版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

10. 发明专利

JP2012119665A Graphene electronic element 有权
标题翻译：石墨电子元件
公开(公告)号：JP2012119665A
公开(公告)日：2012-06-21
申请号：JP2011230617
申请日：2011-10-20
申请人： Samsung Electronics Co Ltd , 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd.
发明人： HEO JIN SEONG , SEO SUN-AE , LEE SUNG-HUN , CHUNG HYUN-JONG , YANG HEE-JUN
IPC分类号： H01L29/786 , B82Y30/00 , H01L29/06 , H01L51/05 , H01L51/30
CPC分类号： H01L29/778 , H01L29/0657 , H01L29/1606
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a graphene electronic element.SOLUTION: The graphene electronic element comprises a gate electrode, a gate oxide arranged on the gate electrode, a graphene channel layer on the gate oxide, and a source electrode and a drain electrode arranged, respectively, at both ends of the graphene channel layer. A plurality of nano holes are formed in one row in the width direction of the graphene channel layer. Furthermore, the plurality of nano holes are arranged in the graphene channel layer substantially perpendicularly to the longitudinal direction thereof.

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