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1. 发明专利

DE102020116563A1 HALBLEITERVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DERSELBEN 未知
公开(公告)号：DE102020116563A1
公开(公告)日：2021-03-04
申请号：DE102020116563
申请日：2020-06-24
申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
发明人： KIM HYOSUB , KIM KEUNNAM , KIM DONGOH , KIM BONGSOO , KIM EUNA , YOON CHANSIC , LEE KISEOK , JUNG HYEONOK , HAN SUNGHEE , HWANG YOOSANG
IPC分类号： H01L27/108 , H01L21/8242
摘要： Halbleitervorrichtung enthält: einen aktiven Bereich, der durch eine in einem Substrat gebildete Vorrichtungs-Isolationsschicht definiert ist; eine Wortleitung, die eingerichtet ist, um den aktiven Bereich zu durchqueren, wobei sich die Wortleitung in einer ersten Richtung erstreckt und in dem Substrat gebildet wird; eine Bitleitung, die sich in einer zweiten Richtung senkrecht zur ersten Richtung auf der Wortleitung erstreckt; einen ersten Kontakt, der die Bitleitung mit dem aktiven Bereich verbindet; eine erste Maske zur Bildung des aktiven Bereichs, wobei die erste Maske auf dem aktiven Bereich gebildet wird; und eine zweite Maske, deren eine Höhe einer Oberseite größer als eine Höhe einer Oberseite des aktiven Bereichs ist, wobei die zweite Maske die Wortleitung bedeckt, wobei der aktive Bereich eine Balkenform aufweist, die sich erstreckt, um einen spitzen Winkel in Bezug auf die erste Richtung zu bilden.

2. 发明专利

DE102020116751A1 DREIDIMENSIONALE HALBLEITERSPEICHERVORRICHTUNG 未知
公开(公告)号：DE102020116751A1
公开(公告)日：2021-04-29
申请号：DE102020116751
申请日：2020-06-25
申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
发明人： SHIN JOONGCHAN , KIM CHANGKYU , KIM HUI-JUNG , SHIN ILJAE , AN TAEHYUN , LEE KISEOK , CHO EUNJU , CHOI HYUNGEUN , PARK SUNG-MIN , LEE AHRAM , HAN SANGYEON , HWANG YOOSANG
IPC分类号： H01L27/11514 , H01L27/108 , H01L27/11556 , H01L27/11578 , H01L27/22 , H01L27/24
摘要： Eine dreidimensionale Halbleiterspeichervorrichtung umfasst erste Halbleiterstrukturen, die auf einem Substrat vertikal voneinander beabstandet sind und von denen jedes einen ersten und einen zweiten voneinander beabstandeten Endabschnitt und eine erste und eine zweite voneinander beabstandete Seitenfläche zum Verbinden der ersten und zweiten Endabschnitte umfasst, erste und zweite Source/Drain-Regionen, die in jeder der ersten Halbleiterstrukturen und neben den ersten bzw. zweiten Endabschnitten angeordnet sind, eine Kanalregion in jeder der ersten Halbleiterstrukturen und zwischen den ersten und zweiten Source/Drain-Regionen, eine erste Wortleitung neben den ersten Seitenflächen und den Kanalregionen, die sich vertikal erstreckt, und eine Gate-Isolationsschicht, die zwischen der ersten Wortleitung und den ersten Seitenflächen angeordnet ist. Die Gate-Isolationsschicht kann sich so erstrecken, dass sie zwischen den ersten Source/Drain-Regionen liegt.

3. 发明专利

DE102018119616A1 Halbleiterspeichervorrichtungen 未知
公开(公告)号：DE102018119616A1
公开(公告)日：2019-04-04
申请号：DE102018119616
申请日：2018-08-13
申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
发明人： KIM JIYOUNG , LEE KISEOK , KIM BONG-SOO , KIM JUNSOO , WOO DONGSOO , LEE KYUPIL , HONG HYEONGSUN , HWANG YOOSANG
IPC分类号： H01L27/105 , H01L27/108 , H01L27/11 , H01L27/115
摘要： Halbleiterspeichervorrichtungen sind vorgesehen. Eine Halbleiterspeichervorrichtung weist ein Substrat (100) auf. Die Halbleiterspeichervorrichtung weist eine Mehrzahl von Speicherzelltransistoren (MCT) auf, welche vertikal auf dem Substrat (100) gestapelt sind. Die Halbleiterspeichervorrichtung weist eine erste leitfähige Leitung (CL1) auf, welche mit einem Sourcebereich wenigstens eines der Mehrzahl von Speicherzelltransistoren (MCT) verbunden ist. Die Halbleiterspeichervorrichtung weist eine zweite leitfähige Leitung (CL2) auf, welche mit einer Mehrzahl von Gate-Elektroden der Mehrzahl von Speicherzelltransistoren (MCT) verbunden ist. Darüber hinaus weist die Halbleiterspeichervorrichtung ein Datenspeicherelement (DS) auf, welches mit einem Drainbereich des wenigstens einen der Mehrzahl von Speicherzelltransistoren (MCT) verbunden ist.

4. 发明专利

DE102018125635A1 Halbleiterspeichervorrichtungen 未知
公开(公告)号：DE102018125635A1
公开(公告)日：2019-07-04
申请号：DE102018125635
申请日：2018-10-16
申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
发明人： KIM HUI-JUNG , LEE KISEOK , KIM JUNSOO , HAN SUNGHEE , KIM BONG-SOO , HWANG YOOSANG
IPC分类号： H01L27/108 , H01L21/8242 , H01L27/11578
摘要： Es werden Halbleiterspeichervorrichtungen bereitgestellt. Eine Halbleiterspeichervorrichtung weist ein Substrat (100) und einen Stapel (SS), der eine Mehrzahl von Schichten (L1, L2, L3) an dem Substrat (100) aufweist, auf. Jede der Mehrzahl von Schichten (L1, L2, L3) weist Halbleitermuster (SP) und eine erste leitfähige Leitung (CL1), die mit mindestens einem der Halbleitermuster (SP) verbunden ist, auf. Eine zweite leitfähige Leitung (CL2) und eine dritte leitfähige Leitung (CL3) durchdringen den Stapel (SS). Die Halbleitermuster (SP) weisen ein erstes Halbleitermuster und ein zweites Halbleitermuster auf, die in einer ersten Schicht (L1) aus der Mehrzahl von Schichten (L1, L2, L3) benachbart zueinander und voneinander beabstandet sind. Die dritte leitfähige Leitung (CL3) befindet sich zwischen dem ersten und dem zweiten Halbleitermuster (SP) und ist mit denselben gemeinsam verbunden.

5. 发明专利

DE102018120840A1 Halbleiterspeichervorrichtungen 未知
公开(公告)号：DE102018120840A1
公开(公告)日：2019-05-29
申请号：DE102018120840
申请日：2018-08-27
申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
发明人： LEE KISEOK , KIM JUNSOO , KIM HUI-JUNG , KIM BONG-SOO , YAMADA SATORU , LEE KYUPIL , HAN SUNGHEE , HONG HYEONGSUN , HWANG YOOSANG
IPC分类号： H01L27/108
摘要： Eine Halbleiterspeichervorrichtung weist eine Stapelstruktur (SS) auf, welche eine Mehrzahl von Schichten (L1 - L4) aufweist, welche vertikal auf einem Substrat (100) gestapelt sind. Jede der Mehrzahl von Schichten (L1 - L4) weist eine erste dielektrische Schicht (ILD1), eine Halbleiterschicht (SL) und eine zweite dielektrische Schicht (ILD2) auf, welche aufeinanderfolgend gestapelt sind, und eine erste leitfähige Leitung (CL1) in der zweiten dielektrischen Schicht (ILD2) und sich in einer ersten Richtung (D1) erstreckend. Die Vorrichtung weist ebenso eine zweite leitfähige Leitung (CL2) auf, welche sich vertikal durch die Stapelstruktur (SS) erstreckt und einen Kondensator in der Stapelstruktur (SS) und beabstandet von der zweiten leitfähigen Leitung (CL2). Die Halbleiterschicht (SL) weist Halbleiterstrukturen (SP) auf, welche sich in einer zweiten Richtung (D2) erstrecken, welche die erste Richtung (D1) zwischen der ersten leitfähigen Leitung (CL1) und dem Substrat (100) schneidet. Die zweite leitfähige Leitung (CL2) ist zwischen einem Paar der Halbleiterstrukturen (SP) benachbart zueinander in der ersten Richtung (D1). Ein Ende jeder der Halbleiterstrukturen (SP) ist elektrisch mit einer ersten Elektrode (EL1) des Kondensators verbunden.

6. 发明专利

DE102018120840B4 Halbleiterspeichervorrichtungen mit Stapelstruktur und Datenspeicherelement 未知
公开(公告)号：DE102018120840B4
公开(公告)日：2022-08-11
申请号：DE102018120840
申请日：2018-08-27
申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
发明人： LEE KISEOK , KIM JUNSOO , KIM HUI-JUNG , KIM BONG-SOO , YAMADA SATORU , LEE KYUPIL , HAN SUNGHEE , HONG HYEONGSUN , HWANG YOOSANG
IPC分类号： H01L27/11514 , H01L27/108 , H01L27/22 , H01L27/24
摘要： Halbleiterspeichervorrichtung, die Folgendes aufweist:eine Stapelstruktur (SS), welche eine Mehrzahl von Schichten (L1 - L4) aufweist, welche vertikal auf einem Substrat (100) gestapelt sind, wobei jede der Mehrzahl von Schichten (L1 - L4) Folgendes aufweist:eine erste dielektrische Schicht (ILD1), eine Halbleiterschicht (SL) und eine zweite dielektrische Schicht (ILD2), welche aufeinanderfolgend gestapelt sind, undeine erste leitfähige Leitung (CL1) in der zweiten dielektrischen Schicht (ILD2) und sich horizontal in einer ersten Richtung (D1) erstreckend, welche parallel zu einer oberen Oberfläche des Substrats (100) verläuft;eine zweite leitfähige Leitung (CL2), welche sich vertikal in eine dritte Richtung und durch die Stapelstruktur (SS) erstreckt, wobei die dritte Richtung rechtwinklig zur oberen Oberfläche des Substrats (100) verläuft; undeinen Kondensator in der Stapelstruktur (SS) und beabstandet von der zweiten leitfähigen Leitung (CL2), wobei der Kondensator eine erste Elektrode (EL1) aufweist, die sich horizontal in eine zweite Richtung (D2) erstreckt, welche die erste Richtung (D1) schneidet,wobei die Halbleiterschicht (SL) Halbleiterstrukturen (SP) aufweist, welche sich horizontal von der ersten leitfähigen Leitung (CL1) in der zweiten Richtung (D2) erstrecken,wobei die zweite leitfähige Leitung (CL2) zwischen einem Paar von Halbleiterstrukturen (SP) ist, die benachbart zueinander in der ersten Richtung (D1) sind, wobei ein Ende wenigstens einer der Halbleiterstrukturen (SP) elektrisch mit der ersten Elektrode (EL1) verbunden ist,wobei sich jede der Halbleiterstrukturen (SP) länger in die zweite Richtung (D2) erstreckt als sowohl in die erste (D1) als auch in die dritte Richtung,wobei sich die erste leitfähige Leitung (CL1) länger in die erste Richtung (D1) erstreckt als sowohl in die zweite (D2) und als auch in die dritte Richtung,wobei sich die zweite leitfähige Leitung (CL2) länger in die dritte Richtung erstreckt als sowohl in die erste (D1) als auch in die zweite (D2) Richtung.

7. 发明公开

EP3207445A4 METHOD AND APPARATUS FOR PROVIDING USER INTERFACE 有权
标题翻译： VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR BEREITSTELLUNG EINERBENUTZEROBERFLÄCHE
公开(公告)号：EP3207445A4
公开(公告)日：2017-09-27
申请号：EP15850054
申请日：2015-10-15
申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
发明人： HONG DOHY , CHEUN KYUNGWHOON , OH JISUNG , LEE KISEOK , CHOI DONGJOO
IPC分类号： G06F3/0488 , G06F3/0481 , G06F3/0482
CPC分类号： G06F3/04812 , G06F3/0481 , G06F3/04842 , G06F3/04883

8. 发明公开

EP3264806A4 METHOD AND DEVICE FOR PROVIDING INFORMATION IN COMMUNICATION NETWORK 有权
公开(公告)号：EP3264806A4
公开(公告)日：2018-04-11
申请号：EP16786739
申请日：2016-04-27
申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
发明人： HONG DOHY , BYUN DOJUN , SEO SINSEOK , LEE KISEOK , CHOI DAEKYU
IPC分类号： H04W4/02 , H04W8/20 , H04W88/02 , H04W88/18
CPC分类号： H04W4/00 , H04W4/02 , H04W8/20 , H04W88/02 , H04W88/18
摘要： According to one embodiment of the present disclosure, a method and a terminal can be provided, and a beacon service method of the terminal comprises the steps of: transmitting a beacon including identification information of the terminal; receiving beacon-related information from a reception device having received the beacon; receiving a beacon-related information report request message from an information collection device; and transmitting stored beacon-related information to the information collection device. In addition, the present disclosure can provide a beacon reception device communicating with the terminal and an operation method therefor, an information collection device communicating with the terminal and an operation method therefor, and a server for providing a beacon service and an operation method of the server.

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