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1. 发明申请

WO2003062507A3 METHOD FOR MANUFACTURING A FREE-STANDING SUBSTRATE MADE OF MONOCRYSTALLINE SEMI-CONDUCTOR MATERIAL 审中-公开
公开(公告)号：WO2003062507A3
公开(公告)日：2003-07-31
申请号：PCT/EP2003/000693
申请日：2003-01-21
申请人： S.O.I.TEC SILICON INSULATOR TECHNOLOGIES , GHYSELEN, Bruno , LETERTRE, Fabrice , MAZURE, Carlos
发明人： GHYSELEN, Bruno , LETERTRE, Fabrice , MAZURE, Carlos
IPC分类号： C30B29/40
摘要： The invention relates to a method for manufacturing a free-standing substrate made of monocrystalline semi-conductor material.This method is characterized by the following steps comprising: - transferring of a thin nucleation layer (5, 5') onto a support (7) by creating between the two a removable bonding interface (9) ;- growing by epitaxy on said thin nucleation layer (5, 5'), a microcrystalline layer (10) of material intended to comprise said substrate, until it attains a sufficient thickness to be free-standing, while preserving the removable character of the bonding interface (9) ; the coefficients of thermal expansion of the material of the thick layer (10) and of the support material (7) being chosen to be different from each other, such that at the time of cooling of the assembly, the stresses induced by differential thermal expansion between the support material (7) and that of the thick layer (10) causing the removal of said nucleation layer (5, 5') and said monocrystalline thick layer (10) from said support (7) at the level of said removable bonding interface (9).

2. 发明申请

WO2010015401A2 RELAXATION OF STRAINED LAYERS 审中-公开
标题翻译：应变层的松弛
公开(公告)号：WO2010015401A2
公开(公告)日：2010-02-11
申请号：PCT/EP2009/005694
申请日：2009-08-06
申请人： S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , LETERTRE, Fabrice , MAZURE, Carlos , KRAMES, Michael, R. , MCLAURIN, Melvin, B. , GARDNER, Nathan, F.
发明人： LETERTRE, Fabrice , MAZURE, Carlos , KRAMES, Michael, R. , MCLAURIN, Melvin, B. , GARDNER, Nathan, F.
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/20 , H01L33/00
CPC分类号： H01L21/2007 , H01L21/02422 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L21/3245 , H01L33/0095
摘要： The present invention relates to a method for relaxing a strained material layer, comprising depositing a first low-viscosity layer comprising a first compliant material on the strained material layer, depositing a second low-viscosity layer comprising a second compliant material on the strained material layer to form a first sandwiched structure and subjecting the first sandwiched structure to a heat treatment such that reflow of the first and the second low-viscosity layers is caused thereby at least partly relaxing the strained material layer.
摘要翻译：本发明涉及一种松弛应变材料层的方法，包括在应变材料层上沉积包含第一顺应材料的第一低粘度层，在应变材料层上沉积包含第二柔性材料的第二低粘度层以形成第一夹层结构，并对第一夹层结构进行热处理，从而使第一和第二低粘度层的回流至少部分地松弛应变材料层。

3. 发明申请

WO2006103491A1 HYBRID FULLY SOI-TYPE MULTILAYER STRUCTURE 审中-公开
标题翻译：混合完全SOI型多层结构
公开(公告)号：WO2006103491A1
公开(公告)日：2006-10-05
申请号：PCT/IB2005/001136
申请日：2005-03-29
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , LETERTRE, Fabrice , MAZURE, Carlos
发明人： LETERTRE, Fabrice , MAZURE, Carlos
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/762
CPC分类号： H01L21/2007 , H01L21/76254
摘要： The invention proposes a SOI-type multilayer structure (105), comprising a support layer (101), at least two working layers (103, 104) having different crystalline orientations, an insulating layer (102) extending over at least a portion of said support layer (101), characterized in that said insulating layer (102) extends over the whole surface of said support layer (101), so as to extend between said support layer (101) and said working layers (103, 104). A process for manufacturing such a structure (105) is also provided.
摘要翻译：本发明提出了一种SOI型多层结构（105），其包括支撑层（101），至少两个具有不同晶体取向的工作层（103,104），绝缘层（102），其延伸至所述支撑层（101），其特征在于，所述绝缘层（102）在所述支撑层（101）的整个表面上延伸，以在所述支撑层（101）和所述工作层（103,104）之间延伸。还提供了一种制造这种结构（105）的方法。

4. 发明申请

WO2005004232A1 PROCEDE D'OBTENTION CONCOMITANTE D'UNE PAIRE DE SUBSTRATS RECOUVERTS D'UNE COUCHE UTILE 审中-公开
标题翻译：同时获得有用层覆盖的基板对的方法
公开(公告)号：WO2005004232A1
公开(公告)日：2005-01-13
申请号：PCT/FR2004/001368
申请日：2004-06-03
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , GHYSELEN, Bruno , AULNETTE, Cécile , BATAILLOU, Benoït , MAZURE, Carlos , MORICEAU, Hubert
发明人： GHYSELEN, Bruno , AULNETTE, Cécile , BATAILLOU, Benoït , MAZURE, Carlos , MORICEAU, Hubert
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254 , Y10S438/977
摘要： L'invention concerne un procédé d'obtention concomitante d'au moins une paire de structures (51,52) comprenant chacune une couche utile (110,120) reportée sur un substrat (71,2). Ce procédé est remarquable en ce qu'il comprend les étapes consistant à : a) préparer une structure de rang 1 comprenant une couche utile reportée sur un substrat support (2), b) former une zone de fragilisation à l'intérieur de ladite couche utile, de façon à y définir une couche utile avant (110) et une couche utile arrière (120), c) faire adhérer un substrat raidisseur (71) sur la ladite couche utile avant (110), d) procéder au détachement de l'empilement de couches le long de la zone de fragilisation, pour obtenir deux structures de rang 2, la première (51) comprenant ledit substrat support (2) et ladite couche utile arrière (120) et la seconde (52) comprenant ledit substrat raidisseur (71) et ladite couche utile avant (110). Applications dans les domaines de l'électronique, l'optoélectronique ou l'optique.
摘要翻译：本发明涉及一种用于同时获得至少一对结构（51,52）的方法，每个结构（51,52）具有放置在基底（71,2）上的有用层（110,120）。该方法的特征在于包括以下步骤：a）制备具有放置在支撑衬底（2）上的有用层的行结构（1）; b）在所述有用层内形成脆性区域，由此限定前部有用层（110）和后部有用层（120）; c）将加强基底（71）粘附到所述前部有用层（110）上; d）沿着脆化区域去除层叠层，以便获得两个行结构（2），第一（51）包含支撑基底（2）和后部有用区域（120），第二（52）包含加强基板（71）和前部有用层（110）。本发明用于电子学，光电子学或光学领域。

5. 发明申请

WO2004077552A1 RELAXATION OF A THIN LAYER AFTER ITS TRANSFER 审中-公开
标题翻译：转移后薄层的放松
公开(公告)号：WO2004077552A1
公开(公告)日：2004-09-10
申请号：PCT/IB2004/000927
申请日：2004-03-01
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , GHYSELEN, Bruno , MAZURE, Carlos , ARENE, Emmanuel
发明人： GHYSELEN, Bruno , MAZURE, Carlos , ARENE, Emmanuel
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/324 , H01L21/76254 , H01L21/76259
摘要： The invention relates to a method of forming a relaxed or pseudo-relaxed layer on a substrate, the relaxed layer (2’) being in a material selected from semiconductior materials, characterized in that the method comprises the following steps: (a) growing on a donor substrate (1) an elastically strained layer (2) consisting of at least a material selected among the semiconductor materials; (b) forming on the strained layer (2) or on a receiving substrate (7), a vitreous layer (4) made of a material viscous from a viscosity temperature; (c) bonding the receiving substrate (7), to the strained layer (2) via the vitreous layer (4); (d) removing a portion of the donor substrate (1), so as to form a structure comprising the receiving substrate (2), the vitreous layer (4), the strained layer (2) and the unremoved portion of the donor substrate (1) which thereby forms a surface layer (1B); (e) heat treating the structure at a temperature close to or higher than the viscosity temperature. The invention further relates to structures obtained during the method of forming a relaxed or pseudo-relaxed layer on a substrate.
摘要翻译：本发明涉及一种在衬底上形成松弛或假松弛层的方法，所述松弛层（2'）是选自半导体材料的材料，其特征在于该方法包括以下步骤：（a）供体衬底（1）由至少由半导体材料中选择的材料组成的弹性应变层（2）; （b）在应变层（2）或接收基板（7）上形成玻璃质层（4），其由粘度为粘性的材料制成; （c）经由玻璃质层（4）将接收基板（7）接合到应变层（2）; （d）去除供体衬底（1）的一部分，以便形成包括接收衬底（2），玻璃质层（4），应变层（2）和供体衬底的未移动部分 1），由此形成表面层（1B）; （e）在接近或高于粘度温度的温度下对结构进行热处理。本发明还涉及在衬底上形成松弛或假松弛层的方法期间获得的结构。

6. 发明申请

WO2004044975A1 SEMICONDUCTOR STRUCTURE, AND METHODS FOR FABRICATING SAME 审中-公开
标题翻译：半导体结构及其制造方法
公开(公告)号：WO2004044975A1
公开(公告)日：2004-05-27
申请号：PCT/EP2003/013697
申请日：2003-11-06
申请人： S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , GHYSELEN, Bruno , RAYSSAC, Olivier , AULNETTE, Cécile , MAZURE, Carlos
发明人： GHYSELEN, Bruno , RAYSSAC, Olivier , AULNETTE, Cécile , MAZURE, Carlos
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/76243 , H01L21/76259 , Y10S438/959 , Y10S438/977 , Y10S438/981
摘要： The invention relates to a method of producing a semiconductor structure, the method comprising: - forming in a first semiconductor material substrate (30) a first dielectric area (32a-c) of a first dielectric material having a first thickness and a second dielectric area (34a-b) having a second thickness, - assembling said first substrate with a second semiconductor material substrate (40), - fracturing the portion of the substrate in which the weakened layer is produced, and- thinning one or both substrates.
摘要翻译：本发明涉及一种制造半导体结构的方法，该方法包括：在第一半导体材料衬底（30）中形成具有第一厚度的第一介电材料的第一介电区域（32a-c）和第二介电区域（34a-b）， - 第二半导体材料基板（40）组装所述第一基板， - 破坏其中产生弱化层的基板的部分，以及 - 使一个或两个基板变薄。

7. 发明申请

WO2003017357A1 PROCEDE D'OBTENTION D'UNE COUCHE MINCE SEMICONDUCTRICE AUTO-PORTEE POUR CIRCUITS ELECTRONIQUES 审中-公开
标题翻译：用于获得电子电路的自载体半导体薄层的方法
公开(公告)号：WO2003017357A1
公开(公告)日：2003-02-27
申请号：PCT/FR2002/002879
申请日：2002-08-14
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , RAYSSAC, Olivier , MAZURE, Carlos , GHYSELEN, Bruno
发明人： RAYSSAC, Olivier , MAZURE, Carlos , GHYSELEN, Bruno
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254
摘要： L'invention concerne un procédé d'obtention d'une couche mince auto-portée d'un matériau semi-conducteur, supportant au moins un composant et/ou circuit électronique (3) sur une de ses faces, à partir d'une plaquette (1) dudit matériau, celle-ci présentant une face avant (2), supportant ou destinée à supporter au moins un composant et/ou circuit électronique (3) et une face arrière (4'). Ce procédé est remarquable en ce qu'il comprend les étapes consistant à : a) implanter des espèces atomiques à l'intérieur de ladite plaquette (1), depuis sa face arrière (4, 4'), de façon à obtenir une zone de fragilisation (5) délimitant une partie avant (6) s'étendant de ladite face avant (2) à ladite zone de fragilisation (5) et une partie arrière (7) formée du reste de la plaquette (1), b) détacher ladite partie arrière (7), la partie avant (6), c) répéter, si nécessaire, les étapes a) et b) sur la face arrière de ladite partie avant (6) jusqu'à ce que celle-ci présente l'épaisseur désirée pour constituer ladite couche mince auto-portée.
摘要翻译：
本发明涉及一种方法为了获得半导体材料的自支撑薄层，在其一个面上支撑至少一个元件和/或电子电路（3）从所述材料的晶片（1），所述材料具有支撑或预期用作载体的前表面（2）; 支撑至少一个部件和/或电子电路（3）和一个后面（4'）。这个过程是其显着之处在于它包括以下步骤：：a）植入原子种类; 所述晶片（1）的内部从其背面（4,4'），在所述晶片（1）的内侧，从其背面（4,4'），获得限制从所述前表面（2）延伸的前部（6）的脆化区（5）; 所述脆化区（5）和由所述晶片（1）的其余部分形成的后部（7），b）将所述后部（7），所述前部（6），c ）如果需要，将前部（6）的后面上的步骤a）和b）缩回到端部; 它表现出构成所述自磨薄层所需的厚度。

8. 发明申请

WO2004077553A1 RELAXATION OF A THIN LAYER AT A HIGH TEMPERATURE AFTER ITS TRANSFER 审中-公开
标题翻译：转移后高温下的薄层放松
公开(公告)号：WO2004077553A1
公开(公告)日：2004-09-10
申请号：PCT/IB2004/000931
申请日：2004-03-01
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , GHYSELEN, Bruno , MAZURE, Carlos , ARENE, Emmanuel
发明人： GHYSELEN, Bruno , MAZURE, Carlos , ARENE, Emmanuel
IPC分类号： H01L21/763
CPC分类号： H01L21/76259 , H01L21/76254
摘要： The invention relates to a method for forming a relaxed or pseudo-relaxed layer on a substrate, the relaxed layer being in a material selected from among semiconductor materials, comprising the following steps: a) growing on a donor substrate (1) an elastically strained layer (2) constituted by at least a material chosen from among the semiconductor materials; b) forming on the strained layer (2), or on a receiver substrate (7), a vitreous layer (4) made of a material which is viscous above a viscosity temperature of more than about 900°C; c) bonding the receiver substrate (7) to the strained layer (2) by means of the vitreous layer (4) formed in step (b); d) removing the donor substrate (1), so as to form a structure (20) comprising the receiver substrate, the vitreous layer (4) and the strained layer (2); e) thermal treating the structure at a temperature close to or above the viscosity temperature, so as to relax at least a part of the constraints in the strained layer (2).
摘要翻译：本发明涉及一种用于在衬底上形成松弛或假松弛层的方法，所述松弛层是选自半导体材料的材料，包括以下步骤：a）在施主衬底（1）上生长弹性应变至少由选自半导体材料的材料构成的层（2） b）在应变层（2）上或在接收器基底（7）上形成玻璃质层（4），所述玻璃质层（4）由粘度高于大约900℃的粘度的材料制成; c）通过步骤（b）中形成的玻璃质层（4）将接收器衬底（7）接合到应变层（2）; d）去除施主衬底（1），以形成包括接收衬底，玻璃质层（4）和应变层（2）的结构（20）; e）在接近或高于粘度温度的温度下热处理该结构，以便使应变层（2）中的至少一部分约束松弛。

9. 发明申请

WO2010002516A3 LOW-COST DOUBLE STRUCTURE SUBSTRATES AND METHODS FOR THEIR MANUFACTURE 审中-公开
公开(公告)号：WO2010002516A3
公开(公告)日：2010-01-07
申请号：PCT/US2009/044825
申请日：2009-05-21
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , NGUYEN, Bich-yen , MAZURE, Carlos
发明人： NGUYEN, Bich-yen , MAZURE, Carlos
IPC分类号： H01L21/20
摘要： In preferred embodiments, the invention provides substrates that include a support, a first insulating layer arranged on the support, a non-mono-crystalline semi-conducting layer arranged on the first insulating layer, a second insulating layer arranged on the non-mono-crystalline semi-conducting layer; and top layer disposed on the second insulating layer. Additionally, a first gate electrode can be formed on the top layer and a second gate electrode can be formed in the non-mono-crystalline semi-conducting layer. The invention also provides methods for manufacture of such substrates.

10. 发明申请

WO2011123199A1 BONDED SEMICONDUCTOR STRUCTURES AND METHOD OF FORMING SAME 审中-公开
标题翻译：粘结半导体结构及其形成方法
公开(公告)号：WO2011123199A1
公开(公告)日：2011-10-06
申请号：PCT/US2011/025647
申请日：2011-02-22
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , MAZURE, Carlos , NGUYEN, Bich-Yen , SADAKA, Mariam
发明人： MAZURE, Carlos , NGUYEN, Bich-Yen , SADAKA, Mariam
IPC分类号： H01L27/06 , H01L21/822
CPC分类号： H01L27/0688 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02667 , H01L21/187 , H01L21/8221 , H01L2924/00011 , H01L2224/80001
摘要： Methods of forming semiconductor structures include transferring a portion (116a) of a donor structure to a processed semiconductor structure (102) that includes at least one non-planar surface. An amorphous film (144) may be formed over at least one non-planar surface of the bonded semiconductor structure, and the amorphous film may be planarized to form one or more planarized surfaces. Semiconductor structures include a bonded semiconductor structure having at least one non-planar surface, and an amorphous film disposed over the at least one non-planar surface. The bonded semiconductor structure may include a processed semiconductor structure and a portion of a single crystal donor structure attached to a non-planar surface of the processed semiconductor structure.
摘要翻译：形成半导体结构的方法包括将施主结构的部分（116a）转移到包括至少一个非平面表面的经处理的半导体结构（102）。可以在结合的半导体结构的至少一个非平面表面上形成非晶膜（144），并且非晶膜可以被平坦化以形成一个或多个平坦化表面。半导体结构包括具有至少一个非平面表面的键合半导体结构和设置在所述至少一个非平面表面上的非晶膜。键合的半导体结构可以包括处理的半导体结构和附接到处理的半导体结构的非平面表面的单晶体施主结构的一部分。

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