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1. 发明申请

WO2009026915A2 METHOD FOR PRODUCING POLYCRYSTALLINE SILICON RODS AND POLYCRYSTALLINE SILICON ROD 审中-公开
标题翻译：工艺制备多晶硅的棒和多晶硅ブ
公开(公告)号：WO2009026915A2
公开(公告)日：2009-03-05
申请号：PCT/DE2008001459
申请日：2008-08-28
申请人： PV SILICON FORSCHUNGS UND PROD , AULICH HUBERT , SCHULZE FRIEDRICH-WILHELM
发明人： AULICH HUBERT , SCHULZE FRIEDRICH-WILHELM
IPC分类号： C01B33/035
CPC分类号： C01B33/035
摘要： The invention relates to a method for producing polycrystalline silicon, particularly for solar applications, and to silicon rods produced using said method. Until now, primarily residue from ultrapure silicon production was used to obtain solar silicon. The thin Si rods used in the Siemens method for starting the process are typically made of ultrapure silicon and must be externally preheated to enable power flow. According to the invention, silicon is deposited on doped thin Si rods using the Siemens method. Said thin Si rods are doped with boron and optionally with other doping agents such that they exhibit electric conductivity, which when applying a voltage of
摘要翻译：本发明涉及一种制备多晶硅的，特别是用于太阳能应用的方法，以及用这种方法生产的硅棒。到目前为止，被主要用于生产太阳能硅的Reinstsiliziumherstellung的残余。在西门子法用于启动过程中的Si细棒通常预热由超纯硅的和必须在外部，使得电流流动是可能的。根据西门子方法根据本发明的硅沉积在Si掺杂的细棒。该Si细棒是这样的有硼和任选的掺杂有，他们有这样的导电性，这允许其他的掺杂材料，当<1400V的电流流过这些硅细棒，它加热到所需的沉积温度的电压。有利的是，所述Si细棒被掺杂，使得硅棒具有这样的“整体掺杂”，这是需要用于生产晶片的太阳能电池。因此，根据本发明中的Si-杆可被直接用作用于多晶硅或单晶硅的结晶的制备后续工艺的原料。

2. 发明专利

DE102009005837A1 Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Siliziumdünnstäben 未知
公开(公告)号：DE102009005837A1
公开(公告)日：2010-07-22
申请号：DE102009005837
申请日：2009-01-21
申请人： PV SILICON FORSCHUNGS UND PROD
发明人： RIEMANN HELGE , SCHULZE FRIEDRICH-WILHELM , RENNER MATTHIAS , FISCHER JOERG
IPC分类号： C30B13/00 , C01B33/035 , C30B13/20
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Herstellung von Siliziumdünnstäben, wie sie beim herkömmlichen Siemens-Verfahren für die Siliziumabscheidung verwendet werden. Durch den stark steigenden Bedarf an Silizium für Halbleiter und Solarzellen steigt auch der Bedarf an Siliziumdünnstäben. Das erfindungsgemäße Verfahren entspricht grundsätzlich dem klassischen Pedestal-Verfahren. Erfindungsgemäß weist die verwendete Induktionsspule (1) um die stromumflossene Zentralöffnung (4) herum weitere Ziehöffnungen (5.1, 5.2, 5.3, 5.4) auf. Im Vorratsstab unter der Induktionsspule (1) wird ein ausreichend gleichmäßiges Temperaturprofil erzeugt, dass die Kuppe des Vorratsstabes schmilzt und ein Schmelzensee entsteht (6.1) auf (6). Durch die weiteren Ziehöffnungen in der Induktionsspule kann jeweils ein Siliziumdünnstab (9.1, 9.2, 9.3, 9.4) aus dem Schmelzensee nach oben gezogen werden. Im Gegensatz zum bekannten Stand der Technik wird durch die stromumflossene Zentralöffnung kein Stab nach oben gezogen. Die weiteren zusätzlichen Ziehöffnungen sind vorzugsweise konzentrisch zur Zentralöffnung und mit einem ausreichenden Abstand zum Außenrand des Vorratsstabes (6) angeordnet. Ihr Abstand zueinander ist so gewählt, dass die wachsenden Siliziumdünnstäbe sich gegenseitig thermisch nicht zu stark beeinflussen, damit die einzelnen Siliziumdünnstäbe möglichst gleich wachsen. Je größer der Durchmesser des verwendeten Si-Rohstabes ist, desto größer kann auch der ...

3. 发明专利

DE102009020143A1 Verfahren zur Aufbereitung von Sägeabfällen zur Rückgewinnung von Silizium für die Herstellung von Solarsilizium 未知
公开(公告)号：DE102009020143A1
公开(公告)日：2010-11-11
申请号：DE102009020143
申请日：2009-05-04
申请人： PV SILICON FORSCHUNGS UND PROD
发明人： SCHULZE FRIEDRICH-WILHELM , SCHAAFF FRIEDRICH
IPC分类号： C01B33/00 , C01B33/037 , C01B33/107 , C01G49/10
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Aufbereitung von Sägeabfällen zur Rückgewinnung von Solarsilizium für die Herstellung von Solarzellen. Zur Herstellung von Siliziumwafern werden die Siliziumblöcke mit Drahtsägen in Wafer mit einer durchschnittlichen Dicke von ca. 180 Mikrometern geschnitten. Dabei werden ca. 45% des teuren Ausgangsmaterials zerspant und in der Slurry davon geschwemmt. Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren werden die festen Bestandteile der Sägeabfälle, die Siliziumanteile mit der geforderten Reinheit aufweisen zu Granulat geeigneter Größe geformt und anschließend in einem Reaktionsgefäß mit Clorwasserstoff in Reaktion gebracht, so dass dabei Trichlorsilan und Siliziumtetrachlorid entstehen und die Eisenbestandteile der Sägeabfälle in Eisenchlorid umgewandelt werden, während sich die enthaltenen SiC-Anteile unverändert im unteren Teil des Reaktionsgefäßes als Staub ansammeln. Die in dem Reaktionsgefäß entstehenden Reaktionsgase Trichlorsilan und Siliziumtetrachlorid werden in nachfolgenden Destillationsschritten getrennt und dem Silizium-Herstellungsprozess wieder zugeführt. Das Verfahren kann als Wirbelschichtverfahren in einem Wirbelschichtofen durchgeführt werden, wobei die Korngröße des Granulats in einem Bereich von einigen hundert Mikrometern liegt und der Umwandlungsprozess bei Temperaturen von ca. 350°C erfolgt. Das Verfahren kann alternativ in einem Schachtofen durchgeführt werden, wobei die Korngröße des Granulats in einem Bereich ...

4. 发明专利

DE102007041803A1 未知
公开(公告)号：DE102007041803A1
公开(公告)日：2009-03-05
申请号：DE102007041803
申请日：2007-08-30
申请人： PV SILICON FORSCHUNGS UND PROD
发明人： AULICH HUBERT , SCHULZE FRIEDRICH-WILHELM
IPC分类号： C01B33/035

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