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1. 发明申请

WO2009026915A2 METHOD FOR PRODUCING POLYCRYSTALLINE SILICON RODS AND POLYCRYSTALLINE SILICON ROD 审中-公开
标题翻译：工艺制备多晶硅的棒和多晶硅ブ
公开(公告)号：WO2009026915A2
公开(公告)日：2009-03-05
申请号：PCT/DE2008001459
申请日：2008-08-28
申请人： PV SILICON FORSCHUNGS UND PROD , AULICH HUBERT , SCHULZE FRIEDRICH-WILHELM
发明人： AULICH HUBERT , SCHULZE FRIEDRICH-WILHELM
IPC分类号： C01B33/035
CPC分类号： C01B33/035
摘要： The invention relates to a method for producing polycrystalline silicon, particularly for solar applications, and to silicon rods produced using said method. Until now, primarily residue from ultrapure silicon production was used to obtain solar silicon. The thin Si rods used in the Siemens method for starting the process are typically made of ultrapure silicon and must be externally preheated to enable power flow. According to the invention, silicon is deposited on doped thin Si rods using the Siemens method. Said thin Si rods are doped with boron and optionally with other doping agents such that they exhibit electric conductivity, which when applying a voltage of
摘要翻译：本发明涉及一种制备多晶硅的，特别是用于太阳能应用的方法，以及用这种方法生产的硅棒。到目前为止，被主要用于生产太阳能硅的Reinstsiliziumherstellung的残余。在西门子法用于启动过程中的Si细棒通常预热由超纯硅的和必须在外部，使得电流流动是可能的。根据西门子方法根据本发明的硅沉积在Si掺杂的细棒。该Si细棒是这样的有硼和任选的掺杂有，他们有这样的导电性，这允许其他的掺杂材料，当<1400V的电流流过这些硅细棒，它加热到所需的沉积温度的电压。有利的是，所述Si细棒被掺杂，使得硅棒具有这样的“整体掺杂”，这是需要用于生产晶片的太阳能电池。因此，根据本发明中的Si-杆可被直接用作用于多晶硅或单晶硅的结晶的制备后续工艺的原料。

2. 发明专利

DK1866466T3 Fremgangsmåde til fremstilling af en monokrystallinsk skive med tilnærmelsesvis polygonalt tværsnit 未知
公开(公告)号：DK1866466T3
公开(公告)日：2010-10-25
申请号：DK06724135
申请日：2006-04-04
申请人： PV SILICON FORSCHUNGS UND PROD
发明人： LUEDGE ANKE , MUIZNIEKS ANDRIS , RIEMANN HELGE , ABROSIMOV NIKOLAI
IPC分类号： C30B29/06 , C30B13/30

3. 发明专利

DE502006007373D1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER EINKRISTALLINEN SI-SCHEIBE MIT ANNÄHERND POLYGONALEM QUERSCHNITT 未知
公开(公告)号：DE502006007373D1
公开(公告)日：2010-08-19
申请号：DE502006007373
申请日：2006-04-04
申请人： PV SILICON FORSCHUNGS UND PROD
发明人： ABROSIMOV NIKOLAI , LUEDGE ANKE , MUIZNIEKS ANDRIS , RIEMANN HELGE
IPC分类号： C30B29/06 , C30B13/30

4. 发明专利

NO20045319L 未知
公开(公告)号：NO20045319L
公开(公告)日：2004-12-03
申请号：NO20045319
申请日：2004-12-03
申请人： PV SILICON FORSCHUNGS UND PROD
发明人： ABROSIMOV NICOLAI V , RIEMANN HELGE
IPC分类号： B22D11/01 , C01B33/02 , B22D11/00 , C30B13/00 , C30B13/20 , C30B15/00 , C30B15/08 , H01L21/208
摘要： The invention relates to a device for the production of crystal rods having a defined cross-section and a column-shaped polycrystalline structure by means of floating-zone continuous crystallization, comprising at least one crucible filled with crystalline material, provided with a central deviation for transporting the contents of the crucible to a growing crystal rod arranged below the crucible, whereby the central deviation plunges into the melt meniscus, also comprising means for continuously adjustable provision of crystalline material to the crucible, and means for simultaneously feeding the melt energy and adjusting the crystallization front. In order to produce crystal rods having a defined diameter and a column-shaped polycrystalline structure using heating means which are technically less complex, while at the same time guaranteeing high crystallization rates and stable phase definition, the means for simultaneously feeding the melt energy and adjusting the crystallization front on the growing crystal rod ( 8 ) is a flat induction coil ( 5 ) which has an opening, said induction coil ( 5 ) being arranged at a distance from the crucible ( 4 ) and/or being vertically moveable in relation to the crystallization front.

5. 发明专利

DE102009020143A1 Verfahren zur Aufbereitung von Sägeabfällen zur Rückgewinnung von Silizium für die Herstellung von Solarsilizium 未知
公开(公告)号：DE102009020143A1
公开(公告)日：2010-11-11
申请号：DE102009020143
申请日：2009-05-04
申请人： PV SILICON FORSCHUNGS UND PROD
发明人： SCHULZE FRIEDRICH-WILHELM , SCHAAFF FRIEDRICH
IPC分类号： C01B33/00 , C01B33/037 , C01B33/107 , C01G49/10
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Aufbereitung von Sägeabfällen zur Rückgewinnung von Solarsilizium für die Herstellung von Solarzellen. Zur Herstellung von Siliziumwafern werden die Siliziumblöcke mit Drahtsägen in Wafer mit einer durchschnittlichen Dicke von ca. 180 Mikrometern geschnitten. Dabei werden ca. 45% des teuren Ausgangsmaterials zerspant und in der Slurry davon geschwemmt. Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren werden die festen Bestandteile der Sägeabfälle, die Siliziumanteile mit der geforderten Reinheit aufweisen zu Granulat geeigneter Größe geformt und anschließend in einem Reaktionsgefäß mit Clorwasserstoff in Reaktion gebracht, so dass dabei Trichlorsilan und Siliziumtetrachlorid entstehen und die Eisenbestandteile der Sägeabfälle in Eisenchlorid umgewandelt werden, während sich die enthaltenen SiC-Anteile unverändert im unteren Teil des Reaktionsgefäßes als Staub ansammeln. Die in dem Reaktionsgefäß entstehenden Reaktionsgase Trichlorsilan und Siliziumtetrachlorid werden in nachfolgenden Destillationsschritten getrennt und dem Silizium-Herstellungsprozess wieder zugeführt. Das Verfahren kann als Wirbelschichtverfahren in einem Wirbelschichtofen durchgeführt werden, wobei die Korngröße des Granulats in einem Bereich von einigen hundert Mikrometern liegt und der Umwandlungsprozess bei Temperaturen von ca. 350°C erfolgt. Das Verfahren kann alternativ in einem Schachtofen durchgeführt werden, wobei die Korngröße des Granulats in einem Bereich ...

6. 发明专利

DE102005063346B4 Verfahren zur Herstellung einer einkristallinen Si-Scheibe mit annähernd rundem polygonalem Querschnitt 未知
公开(公告)号：DE102005063346B4
公开(公告)日：2010-10-28
申请号：DE102005063346
申请日：2005-04-06
申请人： PV SILICON FORSCHUNGS UND PROD
发明人： ABROSIMOV NIKOLAI V , LUEDGE ANKE , MUIZNIEKS ANDRIS , RIEMANN HELGE
IPC分类号： C30B13/00 , C30B13/28

7. 发明专利

AT473313T 未知
公开(公告)号：AT473313T
公开(公告)日：2010-07-15
申请号：AT06724135
申请日：2006-04-04
申请人： PV SILICON FORSCHUNGS UND PROD
发明人： ABROSIMOV NIKOLAI , LUEDGE ANKE , MUIZNIEKS ANDRIS , RIEMANN HELGE
IPC分类号： C30B29/06 , C30B13/30
摘要： A method of making a single-crystalline Si wafer with an approximately polygonal cross section and having a material property that is the same as a zone-pulled Si crystal, and the single-crystalline Si wafer. The method includes pulling at least one bottle neck of a crystal vertically downwards from a rotating hanging melt drop. The rotational speed of the crystal is reduced to between 0 and less than 1 rpm. In a crystal-growth phase, a Si single crystal ingot is pulled vertically downwards with an approximately polygonal cross section. An inductor is used to generate a temperature profile at a growth phase boundary of the crystal that corresponds to the shape of a cross section of the pulled Si single crystal ingot. The growth is ended at a desired pulling length and the Si single crystal ingot is cut into wafers having an approximately polygonal cross section.

8. 发明专利

DE102005016776B4 未知
公开(公告)号：DE102005016776B4
公开(公告)日：2009-06-18
申请号：DE102005016776
申请日：2005-04-06
申请人： PV SILICON FORSCHUNGS UND PROD
发明人： ABROSIMOV NIKOLAI V , LUEDGE ANKE , MUIZNIEKS ANDRIS , RIEMANN HELGE
IPC分类号： C30B13/00 , C30B13/20
摘要： A method of making a single-crystalline Si wafer with an approximately polygonal cross section and having a material property that is the same as a zone-pulled Si crystal, and the single-crystalline Si wafer. The method includes pulling at least one bottle neck of a crystal vertically downwards from a rotating hanging melt drop. The rotational speed of the crystal is reduced to between 0 and less than 1 rpm. In a crystal-growth phase, a Si single crystal ingot is pulled vertically downwards with an approximately polygonal cross section. An inductor is used to generate a temperature profile at a growth phase boundary of the crystal that corresponds to the shape of a cross section of the pulled Si single crystal ingot. The growth is ended at a desired pulling length and the Si single crystal ingot is cut into wafers having an approximately polygonal cross section.

9. 发明专利

DE102007041803A1 未知
公开(公告)号：DE102007041803A1
公开(公告)日：2009-03-05
申请号：DE102007041803
申请日：2007-08-30
申请人： PV SILICON FORSCHUNGS UND PROD
发明人： AULICH HUBERT , SCHULZE FRIEDRICH-WILHELM
IPC分类号： C01B33/035

10. 发明专利

ES2290458T3 DISPOSICION DE FABRICACION DE VARILLAS DE CRISTAL CON SECCION TRANSVERSAL DEFINIDA Y ESTRUCTURA POLICRISTALINA COLUMNAR POR MEDIO DE CRISTALIZACION CONTINUA SIN CRISOL. 未知
公开(公告)号：ES2290458T3
公开(公告)日：2008-02-16
申请号：ES03724889
申请日：2003-05-06
申请人： PV SILICON FORSCHUNGS UND PROD
发明人： ABROSIMOV NIKOLAI V , RIEMANN HELGE
IPC分类号： B22D11/00 , C30B15/08 , B22D11/01 , C01B33/02 , C30B13/00 , C30B13/20 , C30B15/00 , H01L21/208
摘要： Disposición de fabricación de varillas de cristal con sección transversal definida y estructura policristalina columnar por medio de cristalización continua sin crisol, que presenta al menos un crisol lleno de material de cristal y dotado de un conducto de salida central para transportar el contenido del crisol hasta una varilla de cristal regulable en altura que crece por debajo del crisol, sumergiéndose el conducto de salida central en el menisco de fusión sobre la superficie frontal superior de la varilla de cristal, medios para efectuar una carga continuamente regulable del crisol con material de cristal sólido, medios para alimentar la energía de fusión y medios para ajustar el frente de cristalización sobre la varilla de cristal creciente, caracterizada porque como medio común para efectuar simultáneamente la alimentación de la energía de fusión y el ajuste del frente de cristalización sobre la varilla de cristal creciente (8) está dispuesta una bobinan de inducción plana (5) con unaabertura, siendo ajustables la distancia entre la bobina de inducción (5) y el crisol (4) y la distancia entre la bobina de inducción (5) y el frente de cristalización y estando estas distancias ajustadas de tal manera que por encima de la bobina de inducción (5) se funda el material de cristal (3) contenido en el crisol (4) y por debajo de la bobina de inducción (5) se cristalice el material fundido transportado a través del conducto de salida tubular central que se extiende a través de la abertura de la bobina de inducción (5) hasta la superficie de la varilla de cristal creciente (8), y se genere un campo de temperatura adaptado a la sección transversal deseada de la varilla de cristal (8), e inmediatamente por encima de la varilla de cristal creciente (8) está dispuesto un marco (6) que hace contacto con la masa fundida.

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