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1. 发明申请

WO2009036730A2 OPTO-ELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP HAVING QUANTUM WELL STRUCTURE 审中-公开
标题翻译：具有量子头结构的光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2009036730A2
公开(公告)日：2009-03-26
申请号：PCT/DE2008001445
申请日：2008-08-29
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , SCHILLGALIES MARC , RUMBOLZ CHRISTIAN , EICHLER CHRISTOPH , LELL ALFRED , AVRAMESCU ADRIAN STEFAN , BRUEDERL GEORG , STRAUSS UWE
发明人： SCHILLGALIES MARC , RUMBOLZ CHRISTIAN , EICHLER CHRISTOPH , LELL ALFRED , AVRAMESCU ADRIAN STEFAN , BRUEDERL GEORG , STRAUSS UWE
IPC分类号： H01S5/343 , H01L33/06
CPC分类号： H01L33/06 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： The invention relates to an opto-electronic semiconductor chip, which has a radiation-emitting semiconductor layer sequence (1) with an active zone (120). The active zone comprises a first quantum well layer (3), a second quantum well layer (4), and two end barrier layers (51). The first quantum well layer and the second quantum well layer are disposed between the two end barrier layers. The active zone has a semiconductor material, which comprises at least one first and a second component. The fraction of the first component in the semiconductor material of the two end barrier layers is lower than in the first and second quantum well layers. Compared to the first quantum well layer, the second quantum well layer has either a lower layer thickness and a larger fraction of the first component of the semiconductor material, or a higher or the same layer thickness and a lower fraction of the first component of the semiconductor material.
摘要翻译：公开了一种光电子半导体芯片，其具有带有有源区（120）的发射辐射的半导体层序列（1）。有源区包括第一量子阱层（3），第二量子阱层（4）和两个终止势垒层（51）。第一量子阱层和第二量子阱层设置在两个终止势垒层之间。有源区包括含有至少第一和第二组分的半导体材料。两个终止势垒层的半导体材料中第一组分的比例低于第一和第二量子阱层中的比例。与第一量子阱层相比，第二量子阱层具有较小的层厚度和较大比例的半导体材料的第一组分或者较大或相同的层厚度以及较小比例的半导体材料的第一组分。

2. 发明申请

WO2011104274A3 OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2011104274A3
公开(公告)日：2011-12-01
申请号：PCT/EP2011052681
申请日：2011-02-23
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , EICHLER CHRISTOPH , LERMER TERESA , AVRAMESCU ADRIAN STEFAN
发明人： EICHLER CHRISTOPH , LERMER TERESA , AVRAMESCU ADRIAN STEFAN
IPC分类号： H01S5/343 , H01S5/20
CPC分类号： H01S5/2018 , B82Y20/00 , H01S5/0655 , H01S5/2009 , H01S5/2027 , H01S5/3211 , H01S5/34333 , H01S2301/18
摘要： In at least one embodiment of the optoelectronic semiconductor chip (1) the same comprises a substrate (2) and a semiconductor layer sequence (3) which is epitaxially grown on the substrate (2). The semiconductor layer sequence (3) is based on a nitride compound semiconductor material and includes at least one active zone (4) for generating electromagnetic radiation and at least one waveguide layer (5) which adjoins the active zone (4) indirectly or directly, thereby forming a waveguide (45). The semiconductor layer sequence (4) further comprises a p-cladding (6p) adjoining the waveguide layer (4) on a p-doped side or/and an n-cladding (6n) on an n-doped side of the active zone (4). The waveguide layer (5) adjoins the cladding (6n, 6p) indirectly or directly. An effective refractive index (neff) of a mode (M) passing through the waveguide is higher than a refractive index of the substrate (2).
摘要翻译：在载体（2）的光电子半导体芯片（1）的至少一个实施例，并且所述载体（2）上生长的半导体层序列（3）。半导体层序列（3）基于氮化物的化合物半导体材料，并且包括至少一个有源区（4），用于产生电磁辐射和至少一个波导层（5），其直接或间接地邻接所述有源区（4），其中一个波导（ 45）形成。此外，半导体层序列（3）包括一个以上的掺杂p侧和/或n覆层（6 N）的波导层（4）接壤p覆层（6P）在有源区（4）的n型掺杂侧上。波导层（5）间接或直接毗邻包层（6N，6P）上。在波导（M）引导的模式的有效折射率（夫）在这种情况下比所述载体（2）的折射率更大。

3. 发明申请

WO2009112020A3 METHOD FOR PRODUCING A PLURALITY OF OPTOELECTRONIC SEMI-CONDUCTOR CHIPS AND OPTOELECTRONIC SEMI-CONDUCTOR CHIP 审中-公开
标题翻译：方法制造光电子半导体芯片和光电子半导体芯片，各种
公开(公告)号：WO2009112020A3
公开(公告)日：2009-11-05
申请号：PCT/DE2009000332
申请日：2009-03-09
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ENGL KARL , STRASSBURG MARTIN , AVRAMESCU ADRIAN STEFAN
发明人： ENGL KARL , STRASSBURG MARTIN , AVRAMESCU ADRIAN STEFAN
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/00 , H01L33/18 , H01L33/32
CPC分类号： H01L25/0756 , H01L31/1864 , H01L31/1892 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/18 , H01L33/325 , H01L2924/0002 , H01S5/0201 , H01S5/0215 , H01S5/0217 , Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L2924/00
摘要： The invention relates to a method for producing a plurality of optoelectronic semi-conductor chips having buried p-sides, comprising the following steps: a) producing a wafer (1, 2, 3) having a semi-conductor layer sequence (100, 200, 300), which comprises an n-doped layer (12, 22, 32), an active layer (13, 23, 33) and a p-doped layer (14, 24, 34), wherein the active layer is disposed between the n-doped layer and the p-doped layer and the p-doped layer is exposed, b) electrically activating the acceptors in the exposed p-doped layer (14, 24, 34) by a thermal activation method, c) covering the p-doped layer (14, 24, 34), and d) dicing the wafer (1, 2 3) into a plurality of optoelectronic semi-conductor chips.
摘要翻译：一种用于制备光电子半导体芯片的多个具有掩埋p侧，其包括下列方法步骤的方法表示：a）制备一个晶片（1，2，3）和具有正的半导体层序列（100，200，300）掺杂层（12，22，32），有源层（13，23，33）和p掺杂层（14，24，34），其中，所述n型掺杂层和p掺杂之间的有源层层被设置和p掺杂层被暴露，b）通过热激活方法电激活在暴露的p型掺杂层（）的受体14，24，34，C），其覆盖p掺杂层（14，24， 34），以及d）切割所述晶片（1，2，3）为多个的光电子半导体芯片。

4. 发明申请

WO2009033448A9 LIGHT-EMITTING STRUCTURE 审中-公开
标题翻译：发光结构
公开(公告)号：WO2009033448A9
公开(公告)日：2010-02-25
申请号：PCT/DE2008001426
申请日：2008-08-25
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , AVRAMESCU ADRIAN STEFAN , LUGAUER HANS-JUERGEN , PETER MATTHIAS , MILLER STEPHAN
发明人： AVRAMESCU ADRIAN STEFAN , LUGAUER HANS-JUERGEN , PETER MATTHIAS , MILLER STEPHAN
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/08
CPC分类号： H01L33/08 , H01L33/06
摘要： The invention relates to a light-emitting structure (7) which comprises a p-doped region (1) for injecting wholes, an n-doped region (2) for injecting electrons, at least one InGaN quantum well (4) of a first type and at least one InGaN quantum well (5) of a second type, which are arranged between the n-doped region (2) and the p-doped region (1), the InGaN quantum well (5) of the second type having a higher indium content than the InGaN quantum well (4) of the first type.
摘要翻译：这是孔，一个n掺杂区的注入设置有p掺杂区（1）的发光结构（7）（2）的电子的注入，至少一个InGaN量子阱（4）的第一类型的，并且至少一个 InGaN量子阱（5）的第二类型，其被设置在所述n型掺杂的区域（2）和p掺杂区（1）之间，其中所述InGaN量子阱（5）的第二类型具有更高的铟含量比的InGaN -Quantentopf（4）所述第一类型的。

5. 发明申请

WO2009033448A2 LIGHT-EMITTING STRUCTURE 审中-公开
标题翻译：发光结构
公开(公告)号：WO2009033448A2
公开(公告)日：2009-03-19
申请号：PCT/DE2008001426
申请日：2008-08-25
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , AVRAMESCU ADRIAN STEFAN , LUGAUER HANS-JUERGEN , PETER MATTHIAS , MILLER STEPHAN
发明人： AVRAMESCU ADRIAN STEFAN , LUGAUER HANS-JUERGEN , PETER MATTHIAS , MILLER STEPHAN
IPC分类号： H01L33/08
CPC分类号： H01L33/08 , H01L33/06
摘要： The invention relates to a light-emitting structure (7) which comprises a p-doped region (1) for injecting wholes, an n-doped region (2) for injecting electrons, at least one InGaN quantum well (4) of a first type and at least one InGaN quantum well (5) of a second type, which are arranged between the n-doped region (2) and the p-doped region (1), the InGaN quantum well (5) of the second type having a higher indium content than the InGaN quantum well (4) of the first type.
摘要翻译：这是孔，一个n掺杂区的注入设置有p掺杂区（1）的发光结构（7）（2）的电子的注入，至少一个InGaN量子阱（4）的第一类型的，并且至少一个 InGaN量子阱（5）的第二类型，其被设置在所述n型掺杂的区域（2）和p掺杂区（1）之间，其中所述InGaN量子阱（5）的第二类型具有更高的铟含量比的InGaN -Quantentopf（4）所述第一类型的。

6. 发明专利

DE112018001450B4 Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung 未知
公开(公告)号：DE112018001450B4
公开(公告)日：2022-09-01
申请号：DE112018001450
申请日：2018-03-16
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： AVRAMESCU ADRIAN STEFAN , VARGHESE TANSEN , STRASSBURG MARTIN , LUGAUER HANS-JÜRGEN , FÜNDLING SÖNKE , HARTMANN JANA , STEIB FREDERIK , WAAG ANDREAS
IPC分类号： H01L33/08 , H01L33/16 , H01L33/20 , H01L33/44
摘要： Optoelektronischer Halbleiterchip mit- einer Vielzahl von Lamellen (1), und- einer Stromaufweitungsschicht (7) zur gemeinsamen Kontaktierung zumindest mancher der Lamellen (1), wobei- jede Lamelle (1) zwei Seitenflächen (1a) aufweist, die einander gegenüberliegend angeordnet sind,- an jeder der Seitenflächen (1a) ein aktiver Bereich (16) angeordnet ist,- die Lamellen (1) parallel zueinander angeordnet sind,- die Vielzahl von Lamellen (1) innenliegende Lamellen (1) und außengelegene Lamellen (1) umfasst, die nur an einer Seite eine benachbarte Lamelle (1) aufweisen,- die Stromaufweitungsschicht (7) sich mit den innenliegenden Lamellen (1) an deren Außenseite in direktem Kontakt befindet, und- die außengelegenen Lamellen (1) mit einer isolierenden Schicht (5) bedeckt sind, die direkt an die außengelegenen Lamellen (1) und die Stromaufweitungsschicht (7) grenzt und die außengelegenen Lamellen (1) elektrisch von der Stromaufweitungsschicht (7) isoliert.

7. 发明专利

DE102015104206A1 Laserdiode 未知
公开(公告)号：DE102015104206A1
公开(公告)日：2016-09-22
申请号：DE102015104206
申请日：2015-03-20
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： LELL ALFRED , KÖNIG HARALD , AVRAMESCU ADRIAN STEFAN
IPC分类号： H01S5/30 , H01S5/34
摘要： Die Erfindung betrifft eine Laserdiode (1) mit einer Schichtanordnung mit aufeinander angeordneten Schichten, wobei die Schichtanordnung eine erste, eine zweite und eine dritte Schichtstruktur (15, 26, 27) mit wenigstens einer aktiven Zone (18) und zwei Wellenleiterschichten (16, 17) umfasst, wobei die aktive Zone (18) zwischen den zwei Wellenleiterschichten (16, 17) angeordnet ist, mit einer ersten Schichtstruktur (15), wobei sich die erste Schichtstruktur entlang einer Z-Achse in einer Längsrichtung, entlang einer X-Achse in einer Querrichtung und entlang einer Y-Achse in einer Höhenrichtung erstreckt, mit einer zweiten und einer dritten Schichtstruktur (26, 27), die entlang der Z-Achse an gegenüberliegenden Längsseiten der ersten Schichtstruktur angeordnet sind, und an die erste Schichtstruktur (15) angrenzen, wobei die aktive Zone der ersten Schichtstruktur (15) in der Höhe versetzt gegenüber den aktiven Zonen (18) der zweiten und der dritten Schichtstruktur (26, 27) angeordnet ist. Zudem betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung der Laserdiode.

8. 发明专利

DE102011116232A1 Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung 未知
公开(公告)号：DE102011116232A1
公开(公告)日：2013-04-18
申请号：DE102011116232
申请日：2011-10-17
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： AVRAMESCU ADRIAN STEFAN , STRASBURG MARTIN , RODE PATRICK
IPC分类号： H01L33/08 , H01L33/38
摘要： Es wird ein Halbleiterchip mit einem Schichtenstapel angegeben, der eine erste Halbleiterschichtenfolge (21a) und eine zweite Halbleiterschichtenfolge (21b) aufweist. Die erste Halbleiterschichtenfolge (21a) weist einen ersten Halbleiterbereich (2a) eines ersten Leitfähigkeitstyps, eine zweiten Halbleiterbereich (2b) eines zweiten Leitfähigkeitstyps und eine dazwischen angeordnete aktive Zone (1a) auf. Die zweite Halbleiterschichtenfolge (21b) weist den zweiten Halbleiterbereich (2b) des zweiten Leitfähigkeitstyps, einen dritten Halbleiterbereich (2c) des ersten Leitfähigkeitstyps und eine dazwischen angeordnete zweite aktive Zone (1b) auf. Weiter wird ein Verfahren zum Herstellen eines derartigen Halbleitertyps angegeben.

9. 发明专利

DE102018116224A1 Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen und optoelektronisches Halbleiterbauteil 未知
公开(公告)号：DE102018116224A1
公开(公告)日：2020-01-09
申请号：DE102018116224
申请日：2018-07-04
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： TONKIKH ALEXANDER , AVRAMESCU ADRIAN STEFAN , BEHRINGER MARTIN RUDOLF
IPC分类号： H01L27/15 , H01L33/08 , H01L33/20 , H01L33/30
摘要： In einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen eingerichtet und umfasst die Schritte:A) Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (2), undB) Wachsen einer Vielzahl von lichtemittierenden Halbleitersäulen (3) an dem Aufwachssubstrat (2), wobei- ein mittlerer Durchmesser der Halbleitersäulen (3) bei höchstens 1 µm liegt,- eine erste Gruppe (31) und/oder eine zweite Gruppe (32) der Halbleitersäulen (3) an dem Aufwachssubstrat (2) aus einem III-Nitrid-Material gewachsen wird, und- eine dritte Gruppe (33) der Halbleitersäulen (3) an dem Aufwachssubstrat (2) aus oder mit einem III-Phosphid-Material gewachsen wird.

10. 发明专利

DE102012106687B4 Steglaser 未知
公开(公告)号：DE102012106687B4
公开(公告)日：2019-01-24
申请号：DE102012106687
申请日：2012-07-24
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： MÜLLER JENS , AVRAMESCU ADRIAN STEFAN
IPC分类号： H01S5/22 , H01S5/02 , H01S5/042 , H01S5/34
摘要： Steglaser (1) mit- einer Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Zone (20),- einem Wellenleiter (3) an einer p-dotierten Seite der Halbleiterschichtenfolge (2), auch bezeichnet als Steg, mit einer Breite (B), wobei der Wellenleiter (3) aus der Halbleiterschichtenfolge (2) als Erhebung geformt ist,- einer Kontaktmetallisierung (4) aus einem Metall oder aus einer Metalllegierung, die auf einer der aktiven Zone (20) abgewandten Oberseite (30) des Wellenleiters (3) aufgebracht ist, und- einer Bestromungsschicht (5), die in direktem Kontakt mit der Kontaktmetallisierung (4) steht und über die die Kontaktmetallisierung (4) elektrisch angeschlossen ist,wobei- die Oberseite (30) parallel zur aktiven Zone (20) orientiert ist,- eine Bestromungsbreite (C) der aktiven Zone (20) und/oder des Wellenleiters (3) kleiner ist als die Breite (B) des Wellenleiters (3),- der Wellenleiter (3) von der aktiven Zone (20) beabstandet ist,- die Oberseite (30) nur teilweise von der Kontaktmetallisierung (4) mit einer Kontaktbreite (M) bedeckt ist und die Kontaktbreite (M) kleiner ist als die Breite (B) des Wellenleiters (3),- die Bestromungsschicht (5) die Oberseite (30) stellenweise berührt,- ein Abstand der Kontaktmetallisierung (4) von einer Kante der Oberseite (30) mindestens 0,15 µm und/oder mindestens 2,5 % der Breite (B) des Wellenleiters (3) beträgt,- sich zwischen der Halbleiterschichtenfolge (2) und der Bestromungsschicht (5) stellenweise eine Passivierungsschicht (6) befindet,- eine Definition einer optischen Modenbreite über die Breite des Wellenleiters (3) und über die Brechungsindizes der beteiligten Materialien erfolgt und die Bestromungsbreite (C) hingegen über die Kontaktmetallisierung (4) an der Oberseite (30) eingestellt ist,- für die Kontaktbreite M, die Breite B des Wellenleiters (3) und einen Bedeckungsanteil S der Oberseite (30) durch die Bestromungsschicht (5) gilt: 0,1 B ≤ M ≤ 0,8 B und 0,4 (B-M) ≤ S ≤ (B-M),- die Halbleiterschichtenfolge (2) frei von einer Stromblockschicht ist, und- die Bestromungsschicht (5) mit der Halbleiterschichtenfolge (2) einen nicht-ohmschen Kontakt bildet und die Kontaktmetallisierung (4) gegenüber der Halbleiterschichtenfolge (2) eine höhere Austrittsarbeit aufweist als die Bestromungsschicht (5) gegenüber der Halbleiterschichtenfolge (2).

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