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1. 发明专利

JP2009076913A Circuit device and method for operating pulse laser diode 审中-公开
标题翻译：用于操作脉冲激光二极管的电路装置和方法
公开(公告)号：JP2009076913A
公开(公告)日：2009-04-09
申请号：JP2008240046
申请日：2008-09-18
申请人： Osram Opto Semiconductors Gmbh , オスラムオプトセミコンダクターズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH
发明人： BEHRINGER MARTIN RUDOLF , MARIC JOSIP , MORGOTT STEFAN
IPC分类号： H01S5/068
CPC分类号： H01S5/042 , H01S5/0428 , H01S5/06216 , H01S5/0622 , H01S5/06837 , H01S5/0687
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a circuit device for operating a pulse laser diode that can operate the pulse diode as stably as possible. SOLUTION: The circuit device has the pulse laser diode 1 and a pulse generating circuit 5 and further includes a DC current source 2 capable of varying the light emission wavelength of the pulse laser diode by supplying a bias current having a smaller value than a light emission threshold to the pulse laser diode and varying the value of the bias current to control the temperature of a chip of the pulse laser diode. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种可以尽可能稳定地操作脉冲二极管的脉冲激光二极管的电路装置。解决方案：电路装置具有脉冲激光二极管1和脉冲发生电路5，并且还包括直流电流源2，其能够通过提供具有小于等于的脉冲激光二极管的值的偏置电流来改变脉冲激光二极管的发光波长对脉冲激光二极管的发光阈值，并改变偏置电流的值以控制脉冲激光二极管芯片的温度。版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

2. 发明专利

JP2009210577A Sensor system having lighting system and detecting device 有权
标题翻译：具有照明系统和检测装置的传感器系统
公开(公告)号：JP2009210577A
公开(公告)日：2009-09-17
申请号：JP2009044343
申请日：2009-02-26
申请人： Osram Opto Semiconductors Gmbh , オスラムオプトセミコンダクターズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH
发明人： BEHRINGER MARTIN RUDOLF , HEERLEIN JOERG , LUFT JOHANN
IPC分类号： G01S7/48 , G01C3/06 , G01S17/93 , H01S5/00 , H01S5/22
CPC分类号： G01V8/20 , H01S5/2036 , H01S5/227 , H01S5/3095 , H01S5/4018 , H01S5/4043 , H01S5/4087
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a sensor system having a detecting device and lighting systems and usable in many fields.
SOLUTION: In the sensor system S having the lighting systems 1, 3 and the detecting device D, the lighting systems are constituted to radiate laser beams L11, L12 of first wavelength and laser beams L21, L22 of second wavelength different from the first wavelength, and the detecting device is constituted to detect electromagnetic beams of the first and second wavelength.
COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供具有检测装置和照明系统的传感器系统，并且可用于许多领域。解决方案：在具有照明系统1,3和检测装置D的传感器系统S中，照明系统被构造成照射第一波长的激光束L11，L12和不同于第二波长的第二波长的激光束L21，L22 第一波长，并且检测装置被构造成检测第一和第二波长的电磁波。版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

3. 发明申请

WO2016066645A3 METHOD FOR DETACHING A SUBSTRATE, DEVICE FOR CARRYING OUT SUCH A METHOD AND PUMPING DEVICE FOR PUMPING ETCHING SOLUTION 审中-公开
标题翻译：去除基板的方法，执行该方法的装置和用于泵浦沉积溶液的泵送装置
公开(公告)号：WO2016066645A3
公开(公告)日：2016-06-23
申请号：PCT/EP2015074875
申请日：2015-10-27
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： SUNDGREN PETRUS , ENGLHARD MARCO , BEHRINGER MARTIN RUDOLF , KLEMP CHRISTOPH
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01L33/0079 , C23F1/20 , H01L21/67086 , H01L21/67092 , H01L24/95
摘要： The invention relates to a method for detaching a substrate (11) from a layer sequence (13), comprising the following steps: a) providing a composite (1, 2) having - a wafer (1) with the substrate (11), the layer sequence (13) and a sacrificial layer (12) arranged between the substrate (11) and the layer sequence (13); - a support (2) on a cover surface (13a) of the layer sequence (13), which faces away from the substrate (11), and - at least two separating trenches (14) which extend in the vertical direction (Z) through the layer sequence (13); b) attaching a pumping device (3) on the composite (1, 2); c) introducing the composite (1, 2) into an etching bath (4) with an etching solution (41); and subsequently d) generating a pressure gradient (5) between the separating trenches (14) and the etching solution (41) with the pumping device (3) such that the etching solution (41) flows through the separating trenches (14) in some places along the sacrificial layer (12) and is in some places in direct contact with the sacrificial layer (12); e) detaching the substrate (11).
摘要翻译：本发明提供了一种用于一个层序列（13）的衬底（11）的分离，包括以下步骤：a）提供一个复合物（1,2），包括： - 一个晶片（1）与基板（11）在背离（11）远的层序列（13）的基板顶面（13a）的支撑件（2），以及 - 布置一系列的层（13）和所述基板（11）和所述层序列（13）之间的牺牲层（12）的， - 在通过该层序列（13）的垂直方向（Z）延伸的至少两个隔离沟槽（14），b）将泵送装置（3）向复合物（1，2），c）将复合材料（1，2）在具有蚀刻溶液（41）的蚀刻槽（4）中，然后d）利用泵送装置（3）在分离槽（14）和蚀刻溶液（41）之间产生压力梯度（5），使得蚀刻溶液（41）沿着牺牲层（12）的位置处的分离沟槽（14）流动并且处于直接接触的位置与牺牲层（12），e）衬底（11）分离。

4. 发明申请

WO2010069282A3 LUMINOUS MEANS AND PROJECTOR COMPRISING AT LEAST ONE LUMINOUS MEANS OF THIS TYPE 审中-公开
标题翻译：灯和投影仪至少有一个这样的灯
公开(公告)号：WO2010069282A3
公开(公告)日：2010-11-11
申请号：PCT/DE2009001448
申请日：2009-10-19
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , LELL ALFRED , TAUTZ SOENKE , STRAUSS UWE , BEHRINGER MARTIN RUDOLF , BRUENINGHOFF STEFANIE , DINI DIMITRI , EISERT DOMINIK , EICHLER CHRISTOPH
发明人： LELL ALFRED , TAUTZ SOENKE , STRAUSS UWE , BEHRINGER MARTIN RUDOLF , BRUENINGHOFF STEFANIE , DINI DIMITRI , EISERT DOMINIK , EICHLER CHRISTOPH
IPC分类号： H04N9/31
CPC分类号： H04N9/3161 , H01S5/005 , H01S5/02292 , H01S5/4093 , H04N9/3129
摘要： In at least one embodiment of the luminous means (1), the latter comprises at least one semiconductor laser (2) which is designed to emit a primary radiation (P) having a wavelength of between 360 nm and 485 nm inclusive. Furthermore, the luminous means (1) comprises at least one conversion means (3) which is disposed downstream of the semiconductor laser (2) and is designed to convert at least part of the primary radiation (P) into secondary radiation (S) having a greater wavelength that is different from the primary radiation (P). In this case, the radiation (R) emitted by the luminous means (1) exhibits an optical coherence length amounting to at most 50 µm.
摘要翻译：在发光装置（1）的至少一个实施例中，这包括至少一个半导体激光器（2），该半导体激光器被设置为发射波长在360nm和485nm之间（包括端值）的初级辐射（P）。此外，所述发光装置（1）包括至少一个转换装置（3），半导体激光器（2）的下游，并适于至少一个初级辐射（P）的成次级辐射（S）与所述初级辐射（P）不同的一个部分，转换更大的波长。由发光装置（1）发射的辐射（R）表现出至多50μm的光学相干长度。

5. 发明申请

WO0016410A3 SEMICONDUCTOR COMPONENT CONTAINING LATTICE MISMATCHED SEMICONDUCTOR MATERIALS 审中-公开
标题翻译：具有栅格水平半导体材料的半导体结构元件
公开(公告)号：WO0016410A3
公开(公告)日：2000-06-08
申请号：PCT/DE9902847
申请日：1999-09-08
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BEHRINGER MARTIN RUDOLF , HOMMEL DETLEF
发明人： BEHRINGER MARTIN RUDOLF , HOMMEL DETLEF
IPC分类号： H01L31/0296 , H01L31/0352 , H01L29/22
CPC分类号： H01L31/02963 , H01L31/0296 , H01L31/0352
摘要： The invention relates to a semiconductor component in which in one and the same semiconductor body a first semiconductor material (1) having a first lattice constant, such as ZnSe, is combined with a second semiconductor material (2) having a second lattice constant, such as ZnTe, and the first and second lattice constants differ from each other. The first semiconductor material (1) forms at least one partial area of a matrix (4) in which a plurality of submonolayer islands (5) are embedded which comprise the second semiconductor material (2). This permits the production of highly doped zones in materials which are difficult to dope as highly.
摘要翻译：一种半导体器件的组合，其中在一个第一半导体材料并具有第一晶格常数为Biespiel的ZnSe与第二半导体材料（2）具有第二晶格常数为相同的半导体主体（1），例如，的ZnTe和所述第一和第二晶格常数彼此不同。第一半导体材料（1）至少形成在一个矩阵（4），其中多个亚单层岛（5）被嵌入的部分区域，具有第二半导体材料（2），并因此使得能够产生高掺杂区域在材料很难掺杂得如此之高。

6. 发明专利

DE102020119227A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES STRAHLUNGSEMITTIERENDEN HALBLEITERKÖRPERS UND STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERKÖRPER 未知
公开(公告)号：DE102020119227A1
公开(公告)日：2022-01-27
申请号：DE102020119227
申请日：2020-07-21
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： WAGNER JAN , NAHLE LARS , GERHARD SVEN , LELL ALFRED , KONIG HARALD , EICHLER CHRISTOPH , BREUDERL GEORG , BEHRINGER MARTIN RUDOLF

8. 发明专利

DE102017129326A1 Verfahren zur Herstellung von Halbleiterlichtquellen und Halbleiterlichtquelle 未知
公开(公告)号：DE102017129326A1
公开(公告)日：2019-06-13
申请号：DE102017129326
申请日：2017-12-08
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： STRASSBURG MARTIN , AVRAMESCU ADRIAN STEFAN , VARGHESE TANSEN , HERRMANN SIEGFRIED , BEHRINGER MARTIN RUDOLF
IPC分类号： H01L25/075 , B82Y40/00 , G09F9/33 , H01L21/68 , H01L33/20 , H01L33/50 , H01L33/52
摘要： In einer Ausführungsform dient das Verfahren zur Herstellung von Halbleiterlichtquellen (1) und umfasst die Schritte:A) Wachsen einer Vielzahl von Halbleitersäulen (3) an einer Aufwachsfläche (20) zumindest eines Aufwachssubstrats (2), wobei die Halbleitersäulen (3) zur Strahlungserzeugung eingerichtet sind,B) Einprägen der fertig gewachsenen Halbleitersäulen (3) in eine Prägematrix (4), sodass zumindest Seitenflächen (35) der Halbleitersäulen (3) unmittelbar von einem Material der Prägematrix (4) umschlossen werden, undC) Ablösen der Halbleitersäulen (3) von dem zumindest einen Aufwachssubstrat (2) nach dem Einprägen in die Prägematrix (4), wobei die Prägematrix (4) die Halbleitersäulen (3) beim Ablösen festhält.

9. 发明专利

DE102017120037A1 Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl strahlungsemittierender Halbleiterchips, strahlungsemittierender Halbleiterchip und strahlungsemittierender Halbleiterchip-Array 未知
公开(公告)号：DE102017120037A1
公开(公告)日：2019-02-28
申请号：DE102017120037
申请日：2017-08-31
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： BEHRINGER MARTIN RUDOLF , MÜLLER CHRISTIAN
IPC分类号： H01L27/15 , H01L33/08 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/46
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl strahlungsemittierender Halbleiterchips mit den folgenden Schritten angegeben:- Bereitstellen eines Wachstumssubstrats (1),- Epitaktisches Aufwachsen einer epitaktischen Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Zone (3), die dazu geeignet ist, elektromagnetische Strahlung zu erzeugen, auf das Wachstumssubstrat (1), wobei die Halbleiterschichtenfolge (2) ein Nitridverbindungshalbleitermaterial umfasst,- Aufbringen einer strukturierten Fotolackschicht (4) mit sechseckigen Strukturelementen (5) auf die Halbleiterschichtenfolge (2), wobei Bereiche der Halbleiterschichtenfolge (2) zwischen den Strukturelementen (5) frei zugänglich sind, und- Ätzen der Halbleiterschichtenfolge (2) in den frei zugänglichen Bereichen, sodass sechseckige Halbleiterschichtenstapel (2) mit Seitenflächen (11) entstehen, von denen zumindest eine Seitenfläche (11) parallel zu einer m-Fläche (7) oder parallel zu einer a-Fläche (6) des Nitridverbindungshalbleitermaterials verläuft.

10. 发明专利

DE102011115312A1 Halbleiterschichtenfolge, optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterschichtenfolge 未知
公开(公告)号：DE102011115312A1
公开(公告)日：2013-04-04
申请号：DE102011115312
申请日：2011-09-29
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： TAANGRING IVAR , BEHRINGER MARTIN RUDOLF
IPC分类号： H01L33/06 , H01L31/0248 , H01L33/08 , H01L33/30 , H01S5/343
摘要： In mindestens einer Ausführungsform ist die Halbleiterschichtenfolge (1) für einen optoelektronischen Halbleiterchip (10) vorgesehen. Die Halbleiterschichtenfolge (1) beinhaltet mindestens drei Quantentöpfe (2), die zur Erzeugung einer elektromagnetischen Strahlung eingerichtet sind. Weiterhin umfasst die Halbleiterschichtenfolge (1) mehrere Barriereschichten (3), von denen jeweils mindestens eine zwischen zwei benachbarten Quantentöpfen (2) angeordnet ist. Die Quantentöpfe (2) weisen einen ersten mittleren Indiumgehalt und die Barriereschichten (3) einen zweiten, kleineren mittleren Indiumgehalt auf. Eine zweite mittlere Gitterkonstante der Barriereschichten (3) ist dabei kleiner als eine erste mittlere Gitterkonstante der Quantentöpfe (2).

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