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1. 发明申请

WO2012159615A3 OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2012159615A3
公开(公告)日：2013-05-23
申请号：PCT/DE2012100118
申请日：2012-04-26
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , MAUTE MARKUS , ENGL KARL , TAEGER SEBASTIAN , WALTER ROBERT , STOCKER JOHANNES
发明人： MAUTE MARKUS , ENGL KARL , TAEGER SEBASTIAN , WALTER ROBERT , STOCKER JOHANNES
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/40 , H01L33/42
CPC分类号： H01L33/46 , H01L33/06 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/60 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： The invention relates to an optoelectronic semiconductor chip (10), which comprises a semiconductor body (1) made of semiconductor material, a p-contact layer (21a) and an n-contact layer (2). The semiconductor body (1) comprises an active layer (1a) provided for generating radiation. The semiconductor body has a p-side (1c) and an n-side (1b), between which the active layer (1a) is arranged. The p-contact layer (21a) is provided for electrical contacting of the p-side (1c). The n-contact layer (2) is provided for electrical contacting of the n-side (1b). The n-contact layer (2) contains a TCO layer (2a) and a mirror layer (2b), wherein the TCO layer (2a) is arranged between the n-side (1b) of the semiconductor body (1) and the mirror layer (2b).
摘要翻译：提供了一种光电子半导体芯片（10），包括半导体材料的半导体主体（1），p型接触层（21a）和一个n型接触层（2）。半导体本体（1）具有用于产生辐射活性层（LA）中的开口。该半导体主体包括一p侧（1c）和n侧（1b）中，活性层（LA）被布置在它们之间。 p接触层（21a）的电接触的p侧（1c）中被提供。提供了一种用于在n侧（1b）的电接触n型接触层（2）。的n型接触层（2）含有（1b）的（2b）中设置在所述半导体主体（1）和镜层的n侧之间的TCO层（2a）和镜面层（2b）中，其中，所述TCO层（2a）的是。

2. 发明申请

WO2010139567A2 OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR BODY AND OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP 审中-公开
标题翻译：光电子半导体本体和光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2010139567A2
公开(公告)日：2010-12-09
申请号：PCT/EP2010057073
申请日：2010-05-21
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , MAUTE MARKUS , ENGL KARL
发明人： MAUTE MARKUS , ENGL KARL
IPC分类号： H01L33/38
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/20 , H01L33/44
摘要： The present application relates to an optoelectronic semiconductor body (1), comprising a front face (120), which is provided to emit and/or receive electromagnetic radiation, a rear face (110), which is located opposite of the front face (120) and which is provided for application on a support plate (7), and an active semiconductor layer sequence (2), which, in the direction from the rear face (110) to the front face (120), comprises a layer of a first conductivity type (21), an active layer (22), and a layer of a second conductivity type (23) in this order. The present application further relates to a semiconductor chip comprising such a semiconductor body (1).
摘要翻译：本申请涉及的光电子半导体本体（1），其具有前（120）被设置用于发射和/或接收电磁辐射，前侧中的一个（120）相对的后侧（110）（用于施加到支撑板 7）设置，和有源半导体层序列（2）（在从后侧110的方向）（与前侧120）的第一导电类型（21），有源层（22）和第二导电类型的层的层（23）包括以该顺序。此外，本申请涉及具有这样的半导体主体（1）的半导体芯片。

3. 发明申请

WO2012171817A3 METHOD FOR PRODUCING A PLURALITY OF OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIPS 审中-公开
标题翻译：方法制造光电子半导体芯片的多个
公开(公告)号：WO2012171817A3
公开(公告)日：2013-06-06
申请号：PCT/EP2012060393
申请日：2012-06-01
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , REUFER MARTIN , MAUTE MARKUS , ALBRECHT TONY
发明人： REUFER MARTIN , MAUTE MARKUS , ALBRECHT TONY
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/44
CPC分类号： H01L33/24 , H01L33/0062 , H01L33/007 , H01L33/0095 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/44
摘要： The invention relates to a method for producing a plurality of optoelectronic semiconductor chips, which comprises at least the following method steps: providing at least one semiconductor body (1); introducing at least one trench (2) into the semiconductor body (1) by means of at least one structuring process (3), wherein the trench (2) breaks through the active zone (12) in a vertical direction (V); applying at least one cleaning process (4) at least to exposed points of the semiconductor body (1) in the area of the trench (2), wherein the cleaning process (4) comprises at least one plasma cleaning process (33), and the plasma cleaning process (44) reduces a number and/or a physical extent of structuring residues (333) at exposed points of the semiconductor body (1), at least in the area of the trench (2); and applying at least one passivation layer (5) at least to exposed points of the semiconductor body (1) in the area of the trench (2).
摘要翻译：一种用于制造多个给定光电半导体芯片的方法，包括至少以下步骤： - 提供至少一个半导体本体（1）; - （2）通过在半导体本体的至少一个图案化工艺（3）的装置将至少一个沟槽（1），其中 - 所述槽（2）在垂直方向（V）突破了有源区（12）; - 至少在至少一个清洁过程（4）的应用在半导体本体的暴露的部分（1）在所述沟槽的区域（2），其中 - 所述清洁工艺（4）包括至少一个等离子清洁工艺（33），以及 - 所述等离子清洁工艺（44）包括一个数字和 /或在半导体本体（1）至少在所述沟槽的区域（2）被至少减少外露部分结构化残留物（333）的空间范围; - 在所述沟槽的区域上的半导体主体（1）的外露部分施加至少至少一个钝化层（5）（2）。

4. 发明公开

KR20180055922A 광전 반도체 칩 审中-公开
公开(公告)号：KR20180055922A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：KR20187013663
申请日：2012-04-26
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： MAUTE MARKUS , ENGL KARL , TAEGER SEBASTIAN , WALTER ROBERT , STOCKER JOHANNES
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/00 , H01L33/06 , H01L33/20 , H01L33/42 , H01L33/60 , H01L33/62
CPC分类号： H01L33/46 , H01L33/06 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/60 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 본발명은반도체물질로이루어진반도체바디(1), p-콘택층(21a) 및 n-콘택층(2)을포함하는광전반도체칩(10)에관한것이다. 반도체바디(1)는복사를생성하기위해제공된활성층(1a)을포함한다. 반도체바디는 p-면(1c)과 n-면(1b)을포함하고, 상기면들사이에활성층(1a)이배치된다. p-콘택층(21a)은 p-면(1c)의전기접촉을위해제공된다. n-콘택층(2)은 n-면(1b)의전기접촉을위해제공된다. n-콘택층(2)은 TCO 층(2a)과거울층(2b)을포함하고, 이경우 TCO 층(2a)은반도체바디(1)의 n-면(1b)과거울층(2b) 사이에배치된다.

5. 发明专利

DE102009023849B4 Optoelektronischer Halbleiterkörper und optoelektronischer Halbleiterchip 未知
公开(公告)号：DE102009023849B4
公开(公告)日：2022-10-20
申请号：DE102009023849
申请日：2009-06-04
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： MAUTE MARKUS , ENGL KARL DR
IPC分类号： H01L33/00 , H01L23/14 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L33/20 , H01L33/38
摘要： Optoelektronischer Halbleiterkörper (1) mit- einer Vorderseite (120), die zur Emission und/oder zum Empfang von elektromagnetischer Strahlung vorgesehen ist,- einer der Vorderseite (120) gegenüberliegenden Rückseite (110), die zum Aufbringen auf eine Trägerplatte (7) vorgesehen ist, und- einer aktiven Halbleiterschichtenfolge (2) die in Richtung von der Rückseite (110) zur Vorderseite (120) eine Schicht eines ersten Leitfähigkeitstyps (21), eine aktive Schicht (22) und eine Schicht eines zweiten Leitfähigkeitstyps (23) in dieser Reihenfolge aufweist, wobei- die Halbleiterschichtenfolge (2) mindestens eine Vertiefung (4) aufweist, die sich von der Rückseite (110) her in die Halbleiterschichtenfolge (2) hinein erstreckt, wobei die Vertiefung (4) in einer lateralen Richtung parallel zur Haupterstreckungsrichtung der Halbleiterschichtenfolge (2) vollständig von einer kontinuierlichen Bahn der aktiven Schicht (22) umschlossen ist;- die Vertiefung (4) einen ersten Abschnitt (41) aufweist, welcher durch die Schicht des ersten Leitfähigkeitstyps (21) und die aktive Schicht (22) hindurch in die Schicht des zweiten Leitfähigkeitstyps (23) hinein verläuft und in der Schicht des zweiten Leitfähigkeitstyps (23) eine Bodenfläche (411) aufweist;- die Vertiefung (4) einen zweiten Abschnitt (42) mit einer Öffnung (420) aufweist, wobei in der lateralen Richtung die Öffnung (420) nicht vollständig einen Bereich der aktiven Schicht (22) umschließt und wobei die Öffnung (420) in Draufsicht auf die Rückseite (110) von einer Außenkontur der Bodenfläche (411) des ersten Abschnitts (41) vollständig umschlossen ist und der zweite Abschnitt (42) sich ausgehend von der Öffnung (420) in Richtung zur Vorderseite (120) hin erstreckt und zumindest in der Schicht des zweiten Leitfähigkeitstyps (23) verläuft.

6. 发明专利

DE102013105870A1 Optoelektronischer Halbleiterchip 未知
公开(公告)号：DE102013105870A1
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：DE102013105870
申请日：2013-06-06
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： WALTHER SABINE , MAUTE MARKUS
IPC分类号： H01L33/38 , H01L21/283 , H01L33/44
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterchips. Das Verfahren umfasst ein Ausbilden einer Halbleiterschichtenfolge (130) auf einem Ausgangssubstrat (120) und ein Strukturieren der Halbleiterschichtenfolge (130), wobei eine Halbleiterstruktur (230, 232) in Form einer Erhebung mit einer umlaufenden Mantelfläche (239) ausgebildet wird, indem Material der Halbleiterschichtenfolge (130) in einem die Halbleiterstruktur (230, 232) umgebenden Bereich wenigstens bis zu einer Tiefe entfernt wird, dass die aktive Zone (133) der Halbleiterschichtenfolge (130) an der umlaufenden Mantelfläche (239) freiliegt. Das Verfahren umfasst ferner ein Ausbilden einer Passivierungsschicht (150), wobei die Passivierungsschicht (150) auf der umlaufenden Mantelfläche (239) der Halbleiterstruktur (230, 232) angeordnet ist, ein Ausbilden einer Anschlussstruktur im Bereich der Halbleiterstruktur (230, 232) mit wenigstens einer Durchkontaktierung (260) nach dem Ausbilden der Passivierungsschicht (150), ein Verbinden der Anschlussstruktur mit einem Trägersubstrat (125), und ein Entfernen des Ausgangssubstrats (120). Die Erfindung betrifft des Weiteren einen optoelektronischen Halbleiterchip.

7. 发明专利

DE102011102376A1 Optoelektronischer Halbleiterchip 未知
公开(公告)号：DE102011102376A1
公开(公告)日：2012-11-29
申请号：DE102011102376
申请日：2011-05-25
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： MAUTE MARKUS , TAEGER SEBASTIAN , ENGL KARL , WALTER ROBERT , STOCKER JOHANNES
IPC分类号： H01L33/40
摘要： Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) angegeben, der einen Halbleiterkörper (1) aus Halbleitermaterial, eine p-Kontaktschicht (21a) und eine n-Kontaktschicht (2) umfasst. Der Halbleiterkörper (1) weist eine zur Strahlungserzeugung vorgesehene aktive Schicht (1a) auf. Der Halbleiterkörper weist eine p-Seite (1c) und eine n-Seite (1b) auf, zwischen denen die aktive Schicht (1a) angeordnet ist. Die p-Kontaktschicht (21a) ist zur elektrischen Kontaktierung der p-Seite (1c) vorgesehen. Die n-Kontaktschicht (2) ist zur elektrischen Kontaktierung der n-Seite (1b) vorgesehen und enthält eine TCO-Schicht (2a).

8. 发明专利

DE102011011140A1 Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips 未知
公开(公告)号：DE102011011140A1
公开(公告)日：2012-08-16
申请号：DE102011011140
申请日：2011-02-14
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： ENGL KARL DR , BRUENINGHOFF STEFANIE , MAUTE MARKUS , KASPRZAK-ZABLOCKA ANNA
IPC分类号： H01L33/54 , H01L33/62
摘要： Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (1) mit einem Halbleiterkörper (2) und einem Träger (7), auf dem der Halbleiterkörper angeordnet ist, angegeben, wobei der Halbleiterkörper einen aktiven Bereich (20) aufweist, der zwischen einer ersten Halbleiterschicht (21) eines ersten Leitungstyps und einer zweiten Halbleiterschicht (22) eines vom ersten Leitungstyp verschiedenen zweiten Leitungstyps angeordnet ist. Die erste Halbleiterschicht ist auf der dem Träger zugewandten Seite des aktiven Bereichs angeordnet. Die erste Halbleiterschicht ist elektrisch leitend mit einer ersten Anschlussschicht (31) verbunden, die zwischen dem Träger und dem Halbleiterkörper angeordnet ist. Zwischen der ersten Anschlussschicht und dem Träger ist eine Verkapselungsschicht angeordnet, die in Aufsicht auf den Halbleiterchip zumindest bereichsweise über eine den Halbleiterkörper begrenzende Seitenfläche (26) hinausragt. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips angegeben.

9. 发明专利

DE102010002204A1 Halbleiterdiode und Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterdiode 未知
公开(公告)号：DE102010002204A1
公开(公告)日：2011-08-25
申请号：DE102010002204
申请日：2010-02-22
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： ALBRECHT TONY , MAUTE MARKUS , REUFER MARTIN , ZULL HERIBERT
IPC分类号： H01L33/38 , H01L21/22 , H01L21/265 , H01L21/74 , H01L33/02
摘要： Eine Halbleiterdiode weist eine ersten Halbleiterschicht (102) eines ersten Leitungstyps und eine zweite Halbleiterschicht eines zweiten Leitungstyps mit einer Dotierung auf. Die zweite Halbleiterschicht weist einen Durchkontaktierungsbereich (106) auf, in der die Dotierung derart verändert ist, dass der Durchkontaktierungsbereich (106) den ersten Leitungstyp aufweist. Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer solchen Halbleiterdiode beschrieben.

10. 发明专利

DE112014005323A5 Optoelektronischer Halbleiterchip mit integriertem ESD-Schutz 未知
公开(公告)号：DE112014005323A5
公开(公告)日：2016-08-04
申请号：DE112014005323
申请日：2014-11-07
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： LEIRER CHRISTIAN , HAHN BERTHOLD , ENGL KARL , BAUR JOHANNES , HERRMANN SIEGFRIED , PLÖSSL ANDREAS , KATZ SIMEON , ZINI LORENZO , MAUTE MARKUS , MEYER TOBIAS
IPC分类号： H01L27/15 , H01L25/16 , H01L33/38 , H01L33/62

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