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1. 发明申请

WO2009082995A1 KANTENEMITTIERENDER HALBLEITERLASERCHIP MIT ZUMINDEST EINER STROMBARRIERE 审中-公开
标题翻译：边缘发射半导体激光器芯片与至少一个电流势垒
公开(公告)号：WO2009082995A1
公开(公告)日：2009-07-09
申请号：PCT/DE2008/002085
申请日：2008-12-15
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , KÖNIG, Harald , LAUER, Christian , MÜLLER, Martin , REUFER, Martin , MAYER, Bernd
发明人： KÖNIG, Harald , LAUER, Christian , MÜLLER, Martin , REUFER, Martin , MAYER, Bernd
IPC分类号： H01S5/10 , H01S5/20
CPC分类号： H01S5/0425 , H01S3/08072 , H01S5/024 , H01S5/02461 , H01S5/1014 , H01S5/168 , H01S5/2004 , H01S5/2205 , H01S5/2231 , H01S5/3095 , H01S5/4031 , H01S5/4081 , H01S2301/18
摘要： Es wird ein kantenemittierender Halbleiterlaserchip (1) angegeben, mit - zumindest einem Kontaktstreifen (2), wobei der Kontaktreifen (2) eine Breite B aufweist, - einer aktiven Zone (14), in der im Betrieb des Halbleiterlaserchips (1) elektromagnetische Strahlung erzeugt wird, - zumindest zwei Strombarrieren (4), die auf unterschiedlichen Seiten des Kontaktstreifens (2) angeordnet sind und sich längs des Kontaktstreifens (2) erstrecken, wobei der größte Abstand V zwischen zumindest einer der Strombarrieren (4) und dem Kontaktstreifen (3) derart gewählt ist, dass das Verhältnis von größtem Abstand V zur Breite B V/B > 1 ist.
摘要翻译：提供了一种边发射半导体激光器芯片（1），具有： - 至少一个接触片（2），其中，所述接触轮胎（2）具有宽度B， - 有源区（14），在半导体激光芯片的操作产生的（1）的电磁辐射是 - 被布置在所述接触带（2）的不同侧并且沿着接触片延伸的至少两个流动屏障（4）（2），其特征在于，当前的障碍的至少一个之间的最大距离V（4）和所述接触片（3）被选择为使得最大距离V与宽度BV / B> 1的比率。

2. 发明申请

WO2012171817A3 METHOD FOR PRODUCING A PLURALITY OF OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIPS 审中-公开
标题翻译：方法制造光电子半导体芯片的多个
公开(公告)号：WO2012171817A3
公开(公告)日：2013-06-06
申请号：PCT/EP2012060393
申请日：2012-06-01
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , REUFER MARTIN , MAUTE MARKUS , ALBRECHT TONY
发明人： REUFER MARTIN , MAUTE MARKUS , ALBRECHT TONY
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/44
CPC分类号： H01L33/24 , H01L33/0062 , H01L33/007 , H01L33/0095 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/44
摘要： The invention relates to a method for producing a plurality of optoelectronic semiconductor chips, which comprises at least the following method steps: providing at least one semiconductor body (1); introducing at least one trench (2) into the semiconductor body (1) by means of at least one structuring process (3), wherein the trench (2) breaks through the active zone (12) in a vertical direction (V); applying at least one cleaning process (4) at least to exposed points of the semiconductor body (1) in the area of the trench (2), wherein the cleaning process (4) comprises at least one plasma cleaning process (33), and the plasma cleaning process (44) reduces a number and/or a physical extent of structuring residues (333) at exposed points of the semiconductor body (1), at least in the area of the trench (2); and applying at least one passivation layer (5) at least to exposed points of the semiconductor body (1) in the area of the trench (2).
摘要翻译：一种用于制造多个给定光电半导体芯片的方法，包括至少以下步骤： - 提供至少一个半导体本体（1）; - （2）通过在半导体本体的至少一个图案化工艺（3）的装置将至少一个沟槽（1），其中 - 所述槽（2）在垂直方向（V）突破了有源区（12）; - 至少在至少一个清洁过程（4）的应用在半导体本体的暴露的部分（1）在所述沟槽的区域（2），其中 - 所述清洁工艺（4）包括至少一个等离子清洁工艺（33），以及 - 所述等离子清洁工艺（44）包括一个数字和 /或在半导体本体（1）至少在所述沟槽的区域（2）被至少减少外露部分结构化残留物（333）的空间范围; - 在所述沟槽的区域上的半导体主体（1）的外露部分施加至少至少一个钝化层（5）（2）。

3. 发明申请

WO2011101280A1 HALBLEITERDIODE UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER HALBLEITERDIODE 审中-公开
标题翻译：半导体二极管及其制造方法半导体二极管
公开(公告)号：WO2011101280A1
公开(公告)日：2011-08-25
申请号：PCT/EP2011/051925
申请日：2011-02-10
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ALBRECHT, Tony , MAUTE, Markus , REUFER, Martin , ZULL, Heribert
发明人： ALBRECHT, Tony , MAUTE, Markus , REUFER, Martin , ZULL, Heribert
IPC分类号： H01L33/38
CPC分类号： H01L33/38 , H01L33/025 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016 , H01L2924/00
摘要： Eine Halbleiterdiode weist eine ersten Halbleiterschicht (102) eines ersten Leitungstyps und eine zweite Halbleiterschicht eines zweiten Leitungstyps mit einer Dotierung auf. Die zweite Halbleiterschicht weist einen mit der ersten Halbleiterschicht verbundenen vertikalen Durchkontaktierungsbereich (106) auf, in der die Dotierung derart verändert ist, dass der Durchkontaktierungsbereich (106) den ersten Leitungstyp aufweist. Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer solchen Halbleiterdiode beschrieben.
摘要翻译：的半导体二极管包括第一导电类型并且具有掺杂的第二导电类型的第二半导体层的第一半导体层（102）。所述第二半导体层具有连接到所述第一半导体层通过连接区域（106）垂直，其中所述掺杂发生改变，使得通过具有所述第一导电类型的连接区域（106）的输出。提供了一种制造这种半导体二极管中描述的方法。

4. 发明申请

WO2012171817A2 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER MEHRZAHL VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS 审中-公开
标题翻译：方法制造光电子半导体芯片的多个
公开(公告)号：WO2012171817A2
公开(公告)日：2012-12-20
申请号：PCT/EP2012/060393
申请日：2012-06-01
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , REUFER, Martin , MAUTE, Markus , ALBRECHT, Tony
发明人： REUFER, Martin , MAUTE, Markus , ALBRECHT, Tony
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/24 , H01L33/0062 , H01L33/007 , H01L33/0095 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/44
摘要： Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips angegeben, das zumindest die folgenden Verfahrensschritte umfasst: - Bereitstellen zumindest eines Halbleiterkörpers (1); - Einbringen von zumindest einem Graben (2) mittels zumindest eines Strukturierungsprozesses (3) in den Halbleiterkörper (1), wobei - der Graben (2) in einer vertikalen Richtung (V) die aktive Zone (12) durchbricht; - Anwendung zumindest eines Reinigungsprozesses (4) zumindest auf freiliegende Stellen des Halbleiterkörpers (1) im Bereich des Grabens (2), wobei - der Reinigungsprozess (4) zumindest einen Plasmareinigungsprozess (33) umfasst, und - der Plasmareinigungsprozess (44) eine Anzahl und/oder eine räumliche Ausdehnung von Strukturierungsrückständen (333) an freiliegenden Stellen des Halbleiterkörpers (1) zumindest im Bereich des Grabens (2) zumindest verringert; - Aufbringen zumindest einer Passivierungsschicht (5) zumindest auf freiliegende Stellen des Halbleiterkörpers (1) im Bereich des Grabens (2).
摘要翻译：一种用于制造多个给定光电半导体芯片的方法，包括至少以下步骤： - 提供至少一个半导体本体（1）; - （2）通过在半导体本体的至少一个图案化工艺（3）的装置将至少一个沟槽（1），其中 - 所述槽（2）在垂直方向（V）突破了有源区（12）; - 至少在至少一个清洁过程（4）的应用在半导体本体的暴露的部分（1）在所述沟槽的区域（2），其中 - 所述清洁工艺（4）包括至少一个等离子清洁工艺（33），以及 - 所述等离子清洁工艺（44）包括一个数字和 /或在半导体本体（1）至少在所述沟槽的区域（2）被至少减少外露部分结构化残留物（333）的空间范围; - 在所述沟槽的区域上的半导体主体（1）的外露部分施加至少至少一个钝化层（5）（2）。

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