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1. 发明申请

WO2011039023A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：光电组件
公开(公告)号：WO2011039023A1
公开(公告)日：2011-04-07
申请号：PCT/EP2010/062733
申请日：2010-08-31
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , MÜLLER, Klaus , SPATH, Günter , HERRMANN, Siegfried , GÜNTHER, Ewald, Karl, Michael , BRUNNER, Herbert
发明人： MÜLLER, Klaus , SPATH, Günter , HERRMANN, Siegfried , GÜNTHER, Ewald, Karl, Michael , BRUNNER, Herbert
IPC分类号： H01L33/48 , H01L25/075 , H01L25/16 , H01L33/62 , H01L33/54 , H01L33/00
CPC分类号： H01L31/0224 , H01L25/0753 , H01L25/167 , H01L33/0079 , H01L33/486 , H01L33/54 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48471 , H01L2924/00014 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2224/4554
摘要： Es wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben, mit - einem Träger (1), der eine erste Hauptfläche (Ia) aufweist, - zumindest einem substratlosen optoelektronischen Halbleiterchip (2), und - einer Kontaktmetallisierung (3a, 3b), wobei - der Träger (1) elektrisch isolierend ist, - der zumindest eine optoelektronische Halbleiterchip (2) mittels eines Verbindungsmaterials (4), insbesondere eines Lotmaterials, an der ersten Hauptfläche (Ia) des Trägers (1) befestigt ist, - die Kontaktmetallisierung (3a, 3b) zumindest einen Bereich der ersten Hauptfläche (Ia) bedeckt, der frei vom optoelektronischen Halbleiterchip (2) ist, und - die Kontaktmetallisierung (3a, 3b) elektrisch leitend mit dem optoelektronischen Halbleiterchip (2) verbunden ist.
摘要翻译：本发明提供一种光电器件，包括： - （1），具有第一主表面（Ia）中的载体， - 至少一个衬底的光电子半导体芯片（2），以及 - 接触金属化（3A，3B），其特征在于， - 所述支撑件（1 ）是电绝缘的， - 其连接至少一个光电子半导体芯片（2）通过粘结材料的装置（4），在所述载体（1），的第一主表面（Ia）的特定的焊料材料 - 接触金属化物（3A，3B）的至少一个所述第一主表面（Ia）的覆盖，这是免费的光电子半导体芯片（2）的，与面积 - 接触金属化部（3a，3b）的导电连接到光电子半导体芯片（2）。

2. 发明申请

WO2010025694A3 OPTOELEKTRONISCHES BAUTEIL 审中-公开
公开(公告)号：WO2010025694A3
公开(公告)日：2010-03-11
申请号：PCT/DE2009/001103
申请日：2009-08-04
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , GÜNTHER, Ewald, Karl, Michael , HERRMANN, Siegfried , ZEHNDER, Ulrich , BRUNNER, Herbert
发明人： GÜNTHER, Ewald, Karl, Michael , HERRMANN, Siegfried , ZEHNDER, Ulrich , BRUNNER, Herbert
IPC分类号： H01L33/62 , H01L25/075
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils (1) weist dieses einen Träger (2) mit einer Montageseite (20) und mit mindestens einem Funktionselement (3) auf. Ferner umfasst das optoelektronische Bauteil (1) mindestens einen substratlosen, optoelektronischen Halbleiterchip (4) mit einer Oberseite (44) und einer dieser gegenüberliegenden Unterseite (45), wobei eine elektrische Kontaktierung des Halbleiterchips (4) über die Oberseite (44) und die Unterseite (45) erfolgt, und wobei die Unterseite (45) der Montageseite (20) des Trägers (2) zugewandt ist. Der mindestens eine Halbleiterchip (4) ist auf der Montageseite (20) aufgebracht. Weiterhin beinhaltet das optoelektronische Bauteil (1) mindestens einen elektrischen Kontaktfilm (5) an der Oberseite (44) des Halbleiterchips (1), wobei der Kontaktfilm (5) strukturiert ist. Ein solches optoelektronisches Bauteil (1) ist kompakt aufgebaut und weist gute thermische Eigenschaften auf.

3. 发明申请

WO2010028637A1 LED-PROJEKTOR 审中-公开
标题翻译： LED投影机
公开(公告)号：WO2010028637A1
公开(公告)日：2010-03-18
申请号：PCT/DE2009/001270
申请日：2009-09-09
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , GRÖTSCH, Stefan , GÜNTHER, Ewald Karl Michael , WILM, Alexander , HERRMANN, Siegfried
发明人： GRÖTSCH, Stefan , GÜNTHER, Ewald Karl Michael , WILM, Alexander , HERRMANN, Siegfried
IPC分类号： G03B21/20 , H01L27/15
CPC分类号： G03B21/2033
摘要： Bei dem LED-Projektor weist jeder Bildpunkt (1) eine Stacked-Epi-LED oder mindestens zwei nebeneinander angeordnete LEDs (2) als Lichtquelle auf. Eine Adressierung der LEDs kann über Leiterbahnen (3) für Zeilenadressierung und Leiterbahnen (4) für Spaltenadressierung, in deren Kreuzungspunkt die zu betreibende LED angeordnet ist, erfolgen.
摘要翻译：在LED投影仪，每个图像点（1）的叠层外延LED或至少两个相邻设置的发光二极管（2）作为光源。的LED的寻址可以经由用于行导体轨迹（3）寻址和列导体条迹（4）寻址，在LED的交叉点被操作布置实现。

4. 发明申请

WO2011080058A1 STRAHLUNGSEMITTIERENDE LICHTLEITERVORRICHTUNG FÜR DIE BELEUCHTUNG, MODUL MIT EINER SOLCHEN VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER SOLCHEN 审中-公开
标题翻译：辐射光纤装置用于照明模块制造这种这样的装置和方法
公开(公告)号：WO2011080058A1
公开(公告)日：2011-07-07
申请号：PCT/EP2010/069520
申请日：2010-12-13
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HERRMANN, Siegfried , ILLEK, Stefan
发明人： HERRMANN, Siegfried , ILLEK, Stefan
IPC分类号： G02B6/00
CPC分类号： G02B6/0021 , G02B6/0068 , G02B6/0073 , G02B6/0083
摘要： Es ist eine strahlungsemittierende Vorrichtung angegeben, die einen Lichtleiter (2) und zumindest eine Trägerplatte (1) aufweist. Die Trägerplatte (1) bildet eine Hauptebene (11) aus. Zumindest ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement (3) ist in oder auf einem herausgebogenen Teil der Trägerplatte (1) angeordnet, wobei eine strahlungsemittierende Oberfläche (32) des Halbleiterbauelements (3) in einem Winkel α zur Hauptebene (11) der Trägerplatte (1) steht. Der Lichtleiter (2) ist auf der dem Halbleiterbauelement (3) zugewandten Seite der Trägerplatte (1) angeordnet. Weiter sind ein Modul mit einer strahlungsemittierenden Vorrichtung und ein Verfahren zur Herstellung einer strahlungsemittierenden Vorrichtung angegeben.
摘要翻译：它是提供一种发射辐射的装置，包括：光导（2）和至少一个承载板（1）。承载板（1）形成的主平面（11）。至少一个发射辐射的半导体部件（3）被布置在或在载体板（1）的弯曲出部件，其中，在对承载板的主平面（11）的角度的所述半导体部件（3）的发射辐射的表面（32）（1）。的光导（2）的半导体元件（3）上侧面向承载板（1）。此外，与发射辐射的装置和制造发射辐射的装置的方法的模块被示出。

5. 发明申请

WO2009076933A1 STRAHLUNGSEMITTIERENDE VORRICHTUNG 审中-公开
标题翻译：发射辐射的装置
公开(公告)号：WO2009076933A1
公开(公告)日：2009-06-25
申请号：PCT/DE2008/002026
申请日：2008-12-03
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HERRMANN, Siegfried
发明人： HERRMANN, Siegfried
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L27/15 , H01L25/0756 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Strahlungsemittierende Vorrichtung (40), die aufweist eine erste aktive Halbleiterschicht (12), die zur Emission elektromagnetischer Strahlung und zum direkten Kontakt mit Anschlusselektroden (18, 20) ausgebildet ist, und eine weitere aktive Halbleiterschicht (14), die zur Emission elektromagnetischer Strahlung und zum direkten Kontakt mit Anschlusselektroden (18, 20) ausgebildet ist, wobei die erste aktive Halbleiterschicht (12) und die weitere aktive Halbleiterschicht (14) übereinander gestapelt angeordnet sind.
摘要翻译：辐射发射装置（40）包括被设计为发射电磁辐射和用端子电极直接接触（18，20）的第一有源半导体层（12），以及用于发射电磁辐射的另一半导体有源层（14），和被设计用于与终端电极（18，20）直接接触，所述第一半导体有源层（12）和被布置在其他有源半导体层（14）堆叠在另一个之上。

6. 发明申请

WO2008014750A2 DÜNNFILM-HALBLEITERBAUELEMENT UND BAUELEMENT-VERBUND 审中-公开
标题翻译：薄膜半导体元件和构件
公开(公告)号：WO2008014750A2
公开(公告)日：2008-02-07
申请号：PCT/DE2007/001273
申请日：2007-07-16
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HERRMANN, Siegfried , HAHN, Berthold
发明人： HERRMANN, Siegfried , HAHN, Berthold
IPC分类号： H01L33/00 , H01L27/15
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L27/15 , H01L33/385 , H01L33/54 , H01L33/62 , H01L33/642 , H01L33/647 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
摘要： Die Erfindung beschreibt ein Dünnfilm-Halbleiterbauelemen mit einer Trägerschicht und einem auf der Trägerschicht angeordneten Schichtenstapel, der ein Halbleitermaterial enthält und zur Emission von Strahlung vorgesehen ist, wobei auf der Trägerschicht eine zur Kühlung des Halbleiterbauelements vorgesehene Wärmeableitungsschicht aufgebracht ist. Ferner beschreibt die Erfindung einen Bauelement-Verbund.
摘要翻译：
本发明描述了d导航用途nnfilm-Halbleiterbauelemen带Tr的AUML;设置lt和辐射的发射，层的载流子BEAR载体层布置堆叠在载体层和在载体BEAR包含＆AUML的半导体材料设置用于冷却半导体部件的散热层。此外，本发明描述了组件组合。

7. 发明申请

WO2007016908A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON HALBLEITERBAUELEMENTEN UND DÜNNFILM-HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：用于生产半导体元件和薄膜半导体元件
公开(公告)号：WO2007016908A1
公开(公告)日：2007-02-15
申请号：PCT/DE2006/001367
申请日：2006-08-04
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HERRMANN, Siegfried , HAHN, Berthold
发明人： HERRMANN, Siegfried , HAHN, Berthold
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L21/6835 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L33/0079 , H01L2221/68363 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01068 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/10253 , H01L2924/12036 , H01L2924/181 , Y02P20/582 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen, wobei ein ein Halbleitermaterial enthaltender Schichtenverbund (6) auf einem Aufwachssubstrat (1) ausgebildet wird, eine flexible Trägerschicht auf den Schichtenverbund (6) aufgebracht wird, die flexible Trägerschicht zu einer selbsttragenden Trägerschicht (2) ausgehärtet wird und das Aufwachssubstrat (1) abgelöst wird. Alternativ kann die Trägerschicht (2) eine Grundschicht (2b) und eine auf dem Schichtenverbund haftende Haftschicht (2a) aufweisen.
摘要翻译：本发明涉及一种用于生产半导体器件的方法，其中（6）的生长衬底（1），柔性支撑层到层复合材料（6）被施加上形成含有层叠体的半导体材料，所述柔性支撑层，以形成自支撑的载体层（2）被固化和生长衬底（1）被分离。替代地，载体层（2），基极层（2b）和所述层压粘附层（2A）上的粘合剂具有。

8. 发明申请

WO2010040342A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUTEIL 审中-公开
标题翻译： OPTO电子元件
公开(公告)号：WO2010040342A1
公开(公告)日：2010-04-15
申请号：PCT/DE2009/001391
申请日：2009-10-08
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BOGNER, Georg , HERRMANN, Siegfried , ZEILER, Thomas , ENGL, Karl
发明人： BOGNER, Georg , HERRMANN, Siegfried , ZEILER, Thomas , ENGL, Karl
IPC分类号： H01L25/075
CPC分类号： H01L25/0753 , F21K9/00 , H01L33/62 , H01L33/64 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils (1) umfasst dieses einen planaren Grundkörper (2) und zumindest eine Gruppe (30) mit wenigstens zwei Grundelementen (3), wobei jedes Grundelement (3) mit einem optoelektronischen Halbleiterelement (4) gestaltet ist. Die Grundelemente (3) sind auf einer Montagefläche (5) an einer Oberseite (31) des Grundkörpers (2) angebracht. Weiterhin sind die Grundelemente (3) der Gruppe (30) in einer Reihe lateral benachbart auf der Montagefläche (5) angeordnet und elektrisch in Serie geschaltet. Wenigstens zwei Grundelemente (3) der Gruppe (30) sind einstückig ausgeführt. Die Gruppe (30) der Grundelemente (3) ist über Feder- und/oder Druckkontakte (6) mit dem Grundkörper (2) elektrisch kontaktiert.
摘要翻译：在光电子器件中的至少一个实施例中（1）包括所述一个平面基体（2）和至少一组（30）与至少两个基体单元（3），每个基体部件（3）的光电子半导体元件（4）被设计。基本元件（3）在基体的上侧（31）安装在安装面（5）（2）。此外，所述组（30）的基本要素（3）是在横向相邻于安装表面（5）和串联电连接的一排。的组（30）的至少两个基本元件（3）一体制成。底座元件的组（30）（3）可以是弹簧和/或压力接触件（6）在基体（2）的电接触。

9. 发明申请

WO2010034274A1 STRAHLUNG EMITTIERENDE VORRICHTUNG 审中-公开
标题翻译：发射装置
公开(公告)号：WO2010034274A1
公开(公告)日：2010-04-01
申请号：PCT/DE2009/001116
申请日：2009-08-06
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HERRMANN, Siegfried
发明人： HERRMANN, Siegfried
IPC分类号： H01L25/075
CPC分类号： H01L25/0756 , F21K9/00 , F21V29/70 , F21V29/89 , F21Y2103/10 , F21Y2115/10 , H01L33/20 , H01L33/58 , H01L33/648 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： In mindestens einer Ausführungsform der Strahlung emittierenden Vorrichtung (1) umfasst diese mindestens zwei optoelektronische Halbleiterchips (2), wobei die Halbleiterchips (2) in einem Stapel (3) übereinander angeordnet sind. Eine Hauptabstrahlung der Vorrichtung (1) erfolgt bezüglich einer Längsachse (A) des Stapels (3) lateral. Ein Abstand (D) zwischen zwei benachbarten Halbleiterchips (2) in Richtung der Längsachse (A) beträgt mindestens 1 mm.
摘要翻译：在发射辐射的装置的至少一个实施例中（1），包括所述至少两个光电子半导体芯片（2），其中所述半导体芯片（2）的叠层（3）被布置在另一个之上。所述装置（1）的主辐射相对于进行到堆栈（3）横向的纵向轴线（A）。在所述纵向轴线（A）的方向上的两个相邻的半导体芯片（2）之间的距离（D）为至少1毫米。

10. 发明申请

WO2010031367A1 LEUCHTMITTEL 审中-公开
标题翻译： LAMPS
公开(公告)号：WO2010031367A1
公开(公告)日：2010-03-25
申请号：PCT/DE2009/001122
申请日：2009-08-07
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , EISSLER, Dieter , HERRMANN, Siegfried
发明人： EISSLER, Dieter , HERRMANN, Siegfried
IPC分类号： H01L25/075
CPC分类号： H01L25/0753 , H01L25/0756 , H01L33/44 , H01L33/54 , H01L33/58 , H01L2224/48091 , H01L2224/48472 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des Leuchtmittels (10) weist dieses eine erste Gruppe (11) von Halbleiterchips (1) und eine zweite Gruppe (22) von Halbleiterchips (2) auf, wobei die Gruppen (11, 22) jeweils mindestens einen Halbleiterchip (1, 2) umfassen und die erste und die zweite Gruppe (11, 22) von Halbleiterchips (1, 2) wenigstens zum Teil bezüglich einer Hauptabstrahlrichtung (H) des Leuchtmittels (10) lateral nebeneinander angeordnet sind. Weiterhin umfasst das Leuchtmittel (10) eine dritte Gruppe (33) von Halbleiterchips (3), die mindestens einen Halbleiterchip (3) beinhaltet und wobei die dritte Gruppe (33) bezüglich der Hauptabstrahlrichtung (H) der ersten und der zweiten Gruppe (11, 22) nachgeordnet ist. Jede Gruppe (11, 22, 33) von Halbleiterchips (1, 2, 3) ist dazu ausgestaltet, in paarweise voneinander verschiedenen Wellenlängenbereichen elektromagnetische Strahlung (L1, L2, L3), insbesondere im sichtbaren Spektralbereich, zu emittieren. Die von der dritten Gruppe (33) von Halbleiterchips (3) emittierte Strahlung (L3) weist hierbei den kurzwelligsten Wellenlängenbereich auf. Die von der ersten und zweiten Gruppe (11, 22) von Halbleiterchips (1, 2) emittierte Strahlung (L1, L2) gelangt wenigstens teilweise in den wenigstens einen Halbleiterchip (3) der dritten Gruppe (33). Über eine Abstrahlfläche (4) des Leuchtmittels (10) wird eine Mischstrahlung (M) emittiert.
摘要翻译：在发光装置的至少一个实施例中（10）具有在半导体芯片（1）和半导体芯片（2）的第二组（22）的该第一组（11），其中，所述组（11，22）各具有至少（一个半导体芯片1 包括2）和发光装置（10）的第一和2）至少部分的半导体芯片（参照图1，第二组（11，22）相对于发射（H的主方向）横向并置。此外，所述发光装置（10）包括半导体芯片的第三组（33）（3）包括至少一个半导体芯片（3）和相对于所述第一和第二组的主波束方向（H）的第三组（33）（11， 22）被布置在下游。的半导体芯片的每个组（11,22，33）（1，2，3）适于在对电磁辐射（L1，L2，L3）的相互不同的波长范围在可见光谱范围内发射特定。从在这种情况下，半导体芯片（3）所发出的第三组（33）的辐射（L3）的具有波长的最短波长范围。半导体芯片的第一和第二组（11，22）的（1，2）发射的辐射（L1，L2）通过至少部分地进入所述至少一个半导体芯片（3）第三组（33）。混合辐射经由灯泡（10）的辐射表面（4）发出的光（M）。

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