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1. 发明申请

WO2008106915A2 ANORDNUNG MIT EINEM HALBLEITERCHIP UND EINER LICHTLEITERSCHICHT 审中-公开
标题翻译：与半导体芯片和光纤层排列
公开(公告)号：WO2008106915A2
公开(公告)日：2008-09-12
申请号：PCT/DE2008/000124
申请日：2008-01-23
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HERRMANN, Siegfried , HAHN, Berthold , SORG, Joerg , GRUBER, Stefan
发明人： HERRMANN, Siegfried , HAHN, Berthold , SORG, Joerg , GRUBER, Stefan
IPC分类号： G02B6/00 , F21V8/00
CPC分类号： G02B6/0055 , G02B6/0018 , G02B6/0051 , G02B6/0073 , G02B6/0076
摘要： Die Erfindung betrifft eine Anordnung mit einem Halbleiterchip (1), der dazu eingerichtet ist, im Betrieb Licht zu emittieren, und einer Abdeckschicht (2), die einer lichtabstrahlenden Oberfläche des Halbleiterchips (1) gegenüber liegt, so dass von dem Halbleiterchip (1) abgestrahltes Licht in die Abdeckschicht (2) eindringt. Die Anordnung ist erfindungsgemäß dadurch gekennzeichnet, dass in einem sich mit dem Chip (1) überschneidenden Bereich der Abdeckschicht (2) eine Licht umlenkende Struktur vorgesehen ist, durch die in die Abdeckschicht (2) eingedrungenes Licht in Richtung der Längserstreckung der Abdeckschicht (2) umgelenkt wird und die Abdeckschicht (2) als Lichtleiter wirkt und dazu eingerichtet ist, dass Licht verteilt über die Oberseite der Abdeckschicht (2) abzustrahlen.
摘要翻译：本发明涉及一种与适于工作时发射光的半导体芯片（1）的布置，和覆盖（2），其上，使得（1）的半导体芯片是半导体芯片（1）的发光面发射的光渗透到覆盖层（2）。根据本发明的装置其特征在于在所涉及的重叠与芯片覆盖层（1）的领域（2）偏转结构提供了一种光，通过该覆盖层（2）在所述覆盖层的纵向延伸的方向上已经穿透光（2）被偏转和覆盖层（2）用作一个导光体和被配置为使得光被分布在所述覆盖层（2）到辐射的上侧。

2. 发明申请

WO2008040315A2 LEUCHTDIODENANORDNUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER SOLCHEN 审中-公开
标题翻译： LED和用于制备这种
公开(公告)号：WO2008040315A2
公开(公告)日：2008-04-10
申请号：PCT/DE2007/001733
申请日：2007-09-25
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , SORG, Jörg Erich , GRUBER, Stefan , HERRMANN, Siegfried , HAHN, Berthold
发明人： SORG, Jörg Erich , GRUBER, Stefan , HERRMANN, Siegfried , HAHN, Berthold
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/50 , H01L33/62
CPC分类号： H01L25/0753 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L33/0079 , H01L33/508 , H01L33/62 , H01L2224/24226 , H01L2224/24998 , H01L2224/48091 , H01L2224/76155 , H01L2224/82039 , H01L2224/82102 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/01047 , H01L2924/01058 , H01L2924/01068 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01105 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： Die Erfindung betrifft eine Leuchtdiodenanordnung mit einer Mehrzahl von Halbleiterchips, die dazu vorgesehen sind, von ihrer Vorderseite (101) elektromagnetische Strahlung zu emittieren, und die mit ihrer der Vorderseite gegenüberliegenden Rückseite (102) auf einer ersten Hauptfläche (201) eines gemeinsamen Trägerkörpers (2) befestigt sind wobei die Halbleiterchips aus je einem substratlosen Halbleiterschichtstapel (1) bestehen und ohne Hilfsträger an dem gemeinsamen Trägerkörper befestigt sind, sowie ein Verfahren zur Herstellung einer solchen Leuchtdiodenanordnung.
摘要翻译：本发明涉及一种具有多个半导体芯片，其被设置成从电磁辐射的其前侧（101），用于发出光的发光二极管阵列，将其相反它们在共同的支撑体的第一主表面（201）正面背面（102）（2 ）固定虽然有半导体芯片（一个衬底的半导体层堆叠体1）和被固定到公共支撑体无副载波，以及用于制造这样的发光二极管装置的方法。

3. 发明申请

WO2008014750A2 DÜNNFILM-HALBLEITERBAUELEMENT UND BAUELEMENT-VERBUND 审中-公开
标题翻译：薄膜半导体元件和构件
公开(公告)号：WO2008014750A2
公开(公告)日：2008-02-07
申请号：PCT/DE2007/001273
申请日：2007-07-16
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HERRMANN, Siegfried , HAHN, Berthold
发明人： HERRMANN, Siegfried , HAHN, Berthold
IPC分类号： H01L33/00 , H01L27/15
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L27/15 , H01L33/385 , H01L33/54 , H01L33/62 , H01L33/642 , H01L33/647 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
摘要： Die Erfindung beschreibt ein Dünnfilm-Halbleiterbauelemen mit einer Trägerschicht und einem auf der Trägerschicht angeordneten Schichtenstapel, der ein Halbleitermaterial enthält und zur Emission von Strahlung vorgesehen ist, wobei auf der Trägerschicht eine zur Kühlung des Halbleiterbauelements vorgesehene Wärmeableitungsschicht aufgebracht ist. Ferner beschreibt die Erfindung einen Bauelement-Verbund.
摘要翻译：
本发明描述了d导航用途nnfilm-Halbleiterbauelemen带Tr的AUML;设置lt和辐射的发射，层的载流子BEAR载体层布置堆叠在载体层和在载体BEAR包含＆AUML的半导体材料设置用于冷却半导体部件的散热层。此外，本发明描述了组件组合。

4. 发明申请

WO2007016908A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON HALBLEITERBAUELEMENTEN UND DÜNNFILM-HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：用于生产半导体元件和薄膜半导体元件
公开(公告)号：WO2007016908A1
公开(公告)日：2007-02-15
申请号：PCT/DE2006/001367
申请日：2006-08-04
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HERRMANN, Siegfried , HAHN, Berthold
发明人： HERRMANN, Siegfried , HAHN, Berthold
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L21/6835 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L33/0079 , H01L2221/68363 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01068 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/10253 , H01L2924/12036 , H01L2924/181 , Y02P20/582 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen, wobei ein ein Halbleitermaterial enthaltender Schichtenverbund (6) auf einem Aufwachssubstrat (1) ausgebildet wird, eine flexible Trägerschicht auf den Schichtenverbund (6) aufgebracht wird, die flexible Trägerschicht zu einer selbsttragenden Trägerschicht (2) ausgehärtet wird und das Aufwachssubstrat (1) abgelöst wird. Alternativ kann die Trägerschicht (2) eine Grundschicht (2b) und eine auf dem Schichtenverbund haftende Haftschicht (2a) aufweisen.
摘要翻译：本发明涉及一种用于生产半导体器件的方法，其中（6）的生长衬底（1），柔性支撑层到层复合材料（6）被施加上形成含有层叠体的半导体材料，所述柔性支撑层，以形成自支撑的载体层（2）被固化和生长衬底（1）被分离。替代地，载体层（2），基极层（2b）和所述层压粘附层（2A）上的粘合剂具有。

5. 发明申请

WO2011009821A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES LEUCHTMITTELS UND LEUCHTMITTEL 审中-公开
标题翻译：用于生产灯泡和灯具
公开(公告)号：WO2011009821A1
公开(公告)日：2011-01-27
申请号：PCT/EP2010/060345
申请日：2010-07-16
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HAHN, Berthold , MAUTE, Markus , HERRMANN, Siegfried
发明人： HAHN, Berthold , MAUTE, Markus , HERRMANN, Siegfried
IPC分类号： H01L25/16 , F21K99/00 , H01L25/075 , H01L33/00 , H01L33/50
CPC分类号： H01L25/167 , H01L25/0753 , H01L33/0079 , H01L33/50 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Leuchtmittels angegeben, mit den folgenden Schritten: Bereitstellen einer Vielzahl von Leuchtdioden (4), wobei jede Leuchtdiode einen strahlungsdurchlässigen Träger (44) und zumindest zwei räumlich voneinander getrennte Halbleiterkörper (41, 42, 43) aufweist, jeder Halbleiterkörper (41, 42, 43) zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung vorgesehen ist, die Halbleiterkörper (41, 42, 43) getrennt voneinander ansteuerbar sind und die Halbleiterkörper (41, 42, 43) an der Oberseite (44a) des strahlungsdurchlässigen Trägers (44) auf dem strahlungsdurchlässigen Träger (44) angeordnet sind, Bereitstellen eines Chip-Verbundes (1) aus CMOS-Chips (10), wobei jeder CMOS-Chip (10) an seiner Oberseite (10a) zumindest zwei Anschlussstellen (2) aufweist, Verbinden zumindest einer der Leuchtdioden (4) mit einem der CMOS-Chips (10), wobei die Leuchtdiode (4) an der Oberseite (44a) des strahlungsdurchlässigen Trägers (44) an der Oberseite (10a) des CMOS-Chips (10) angeordnet wird und jeder Halbleiterkörper (41, 42, 43) der Leuchtdiode mit einer Anschlussstelle (2) des CMOS-Chips (10) verbunden wird.
摘要翻译：本发明提供一种方法用于生产荧光物质的方法，包括以下步骤：提供多个发光二极管（4），其中每个发光二极管，包括每一个辐射透射的支撑件（44）和至少两个空间上分离的半导体基体（41，42，43）半导体主体（41，42，43）被设置用于在所述辐射透射支座的顶部（44a）上产生电磁辐射，所述半导体主体（41，42，43）彼此独立地控制，和半导体本体（41，42，43）（44 有）（在辐射透射的支撑件44）被布置，提供了一个芯片复合材料（1）制成的CMOS芯片（10），每个CMOS芯片（10）（在其顶部侧10 a）至少两个连接点（2），连接的发光二极管（4）配有一个CMOS芯片（10）的至少一个，其中所述发光二极管（4）在透射辐射的支撑件（44）的顶部的顶部（44A）（10A ）CMOS芯片（10）的设置，并且每个具有CMOS芯片（2）的结发光二极管的半导体本体（41，42，43）的（10）连接。

6. 发明申请

WO2010034277A1 LED-MODUL UND HERSTELLUNGSVERFAHREN 审中-公开
标题翻译： LED模块，并且method
公开(公告)号：WO2010034277A1
公开(公告)日：2010-04-01
申请号：PCT/DE2009/001207
申请日：2009-08-26
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BOGNER, Georg , HAHN, Berthold , HERRMANN, Siegfried
发明人： BOGNER, Georg , HAHN, Berthold , HERRMANN, Siegfried
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/62
CPC分类号： H01L33/486 , H01L25/0753 , H01L25/0756 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H05K3/3442 , H01L2924/00
摘要： Auf einer Oberseite eines Substrates (4) ist mindestens ein Schichtstapel (1) einer substratlosen LED angeordnet. Kontaktflächen befinden sich an einer Seitenfläche (14) des Substrates (4), die an die Oberseite angrenzt. Anschlüsse der LED sind über Anschlussleitungen (10, 20) mit den Kontaktflächen verbunden. Die Kontaktflächen können insbesondere durch Leiterschichten (6) in Lötkehlen (5) an vertikalen Kanten des Substrates (4) gebildet sein. Zur Herstellung können in einem oberseitig mit LEDs versehenen Wafer Durchkontaktierungen gebildet werden, die nach dem Zerteilen des Wafers metallisierte Lötkehlen an seitlichen Kanten der Substrate (4) bilden.
摘要翻译：上的基板的上表面（4）是至少一种层堆叠（1）的无基材LED布置。接触表面位于所述衬底（4）相邻的顶端的侧表面（14）。 LED的端子经由连接到接触表面的连接线（10，20）。可以特别是在基板的垂直边缘被形成为通过在焊接圆角（5）的导体层（6）的接触面（4）。用于制造镀通孔可以在设置有LED的晶片的上侧晶片的金属化焊脚的在基板（4）的横向边缘的分割后形成来形成。

7. 发明申请

WO2011080058A1 STRAHLUNGSEMITTIERENDE LICHTLEITERVORRICHTUNG FÜR DIE BELEUCHTUNG, MODUL MIT EINER SOLCHEN VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER SOLCHEN 审中-公开
标题翻译：辐射光纤装置用于照明模块制造这种这样的装置和方法
公开(公告)号：WO2011080058A1
公开(公告)日：2011-07-07
申请号：PCT/EP2010/069520
申请日：2010-12-13
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HERRMANN, Siegfried , ILLEK, Stefan
发明人： HERRMANN, Siegfried , ILLEK, Stefan
IPC分类号： G02B6/00
CPC分类号： G02B6/0021 , G02B6/0068 , G02B6/0073 , G02B6/0083
摘要： Es ist eine strahlungsemittierende Vorrichtung angegeben, die einen Lichtleiter (2) und zumindest eine Trägerplatte (1) aufweist. Die Trägerplatte (1) bildet eine Hauptebene (11) aus. Zumindest ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement (3) ist in oder auf einem herausgebogenen Teil der Trägerplatte (1) angeordnet, wobei eine strahlungsemittierende Oberfläche (32) des Halbleiterbauelements (3) in einem Winkel α zur Hauptebene (11) der Trägerplatte (1) steht. Der Lichtleiter (2) ist auf der dem Halbleiterbauelement (3) zugewandten Seite der Trägerplatte (1) angeordnet. Weiter sind ein Modul mit einer strahlungsemittierenden Vorrichtung und ein Verfahren zur Herstellung einer strahlungsemittierenden Vorrichtung angegeben.
摘要翻译：它是提供一种发射辐射的装置，包括：光导（2）和至少一个承载板（1）。承载板（1）形成的主平面（11）。至少一个发射辐射的半导体部件（3）被布置在或在载体板（1）的弯曲出部件，其中，在对承载板的主平面（11）的角度的所述半导体部件（3）的发射辐射的表面（32）（1）。的光导（2）的半导体元件（3）上侧面向承载板（1）。此外，与发射辐射的装置和制造发射辐射的装置的方法的模块被示出。

8. 发明申请

WO2009076933A1 STRAHLUNGSEMITTIERENDE VORRICHTUNG 审中-公开
标题翻译：发射辐射的装置
公开(公告)号：WO2009076933A1
公开(公告)日：2009-06-25
申请号：PCT/DE2008/002026
申请日：2008-12-03
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HERRMANN, Siegfried
发明人： HERRMANN, Siegfried
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L27/15 , H01L25/0756 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Strahlungsemittierende Vorrichtung (40), die aufweist eine erste aktive Halbleiterschicht (12), die zur Emission elektromagnetischer Strahlung und zum direkten Kontakt mit Anschlusselektroden (18, 20) ausgebildet ist, und eine weitere aktive Halbleiterschicht (14), die zur Emission elektromagnetischer Strahlung und zum direkten Kontakt mit Anschlusselektroden (18, 20) ausgebildet ist, wobei die erste aktive Halbleiterschicht (12) und die weitere aktive Halbleiterschicht (14) übereinander gestapelt angeordnet sind.
摘要翻译：辐射发射装置（40）包括被设计为发射电磁辐射和用端子电极直接接触（18，20）的第一有源半导体层（12），以及用于发射电磁辐射的另一半导体有源层（14），和被设计用于与终端电极（18，20）直接接触，所述第一半导体有源层（12）和被布置在其他有源半导体层（14）堆叠在另一个之上。

9. 发明申请

WO2010040342A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUTEIL 审中-公开
标题翻译： OPTO电子元件
公开(公告)号：WO2010040342A1
公开(公告)日：2010-04-15
申请号：PCT/DE2009/001391
申请日：2009-10-08
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BOGNER, Georg , HERRMANN, Siegfried , ZEILER, Thomas , ENGL, Karl
发明人： BOGNER, Georg , HERRMANN, Siegfried , ZEILER, Thomas , ENGL, Karl
IPC分类号： H01L25/075
CPC分类号： H01L25/0753 , F21K9/00 , H01L33/62 , H01L33/64 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils (1) umfasst dieses einen planaren Grundkörper (2) und zumindest eine Gruppe (30) mit wenigstens zwei Grundelementen (3), wobei jedes Grundelement (3) mit einem optoelektronischen Halbleiterelement (4) gestaltet ist. Die Grundelemente (3) sind auf einer Montagefläche (5) an einer Oberseite (31) des Grundkörpers (2) angebracht. Weiterhin sind die Grundelemente (3) der Gruppe (30) in einer Reihe lateral benachbart auf der Montagefläche (5) angeordnet und elektrisch in Serie geschaltet. Wenigstens zwei Grundelemente (3) der Gruppe (30) sind einstückig ausgeführt. Die Gruppe (30) der Grundelemente (3) ist über Feder- und/oder Druckkontakte (6) mit dem Grundkörper (2) elektrisch kontaktiert.
摘要翻译：在光电子器件中的至少一个实施例中（1）包括所述一个平面基体（2）和至少一组（30）与至少两个基体单元（3），每个基体部件（3）的光电子半导体元件（4）被设计。基本元件（3）在基体的上侧（31）安装在安装面（5）（2）。此外，所述组（30）的基本要素（3）是在横向相邻于安装表面（5）和串联电连接的一排。的组（30）的至少两个基本元件（3）一体制成。底座元件的组（30）（3）可以是弹簧和/或压力接触件（6）在基体（2）的电接触。

10. 发明申请

WO2010034274A1 STRAHLUNG EMITTIERENDE VORRICHTUNG 审中-公开
标题翻译：发射装置
公开(公告)号：WO2010034274A1
公开(公告)日：2010-04-01
申请号：PCT/DE2009/001116
申请日：2009-08-06
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HERRMANN, Siegfried
发明人： HERRMANN, Siegfried
IPC分类号： H01L25/075
CPC分类号： H01L25/0756 , F21K9/00 , F21V29/70 , F21V29/89 , F21Y2103/10 , F21Y2115/10 , H01L33/20 , H01L33/58 , H01L33/648 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： In mindestens einer Ausführungsform der Strahlung emittierenden Vorrichtung (1) umfasst diese mindestens zwei optoelektronische Halbleiterchips (2), wobei die Halbleiterchips (2) in einem Stapel (3) übereinander angeordnet sind. Eine Hauptabstrahlung der Vorrichtung (1) erfolgt bezüglich einer Längsachse (A) des Stapels (3) lateral. Ein Abstand (D) zwischen zwei benachbarten Halbleiterchips (2) in Richtung der Längsachse (A) beträgt mindestens 1 mm.
摘要翻译：在发射辐射的装置的至少一个实施例中（1），包括所述至少两个光电子半导体芯片（2），其中所述半导体芯片（2）的叠层（3）被布置在另一个之上。所述装置（1）的主辐射相对于进行到堆栈（3）横向的纵向轴线（A）。在所述纵向轴线（A）的方向上的两个相邻的半导体芯片（2）之间的距离（D）为至少1毫米。

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